Характеристика MOSFET Используя параметры Y
Этот пример показывает генерацию I-V и характеристик C-V для транзистора NMOS. Задайте условия смещения для источника логического элемента и дренажа - исходные развертки напряжения и типы графиков, которые будут сгенерированы путем двойного щелчка по блоку Define Sweep Parameters. Затем нажмите, "Генерируют графики" гиперссылка в модели. Выходную емкость, C_oss, только показывают для разверток напряжения источника дренажа. Обратите внимание на то, что характеристики C-V могут занять несколько минут каждый, чтобы сгенерировать.
Этот тип анализа может использоваться в порядке выдержать сравнение с таблицей данных производителя, чтобы подтвердить правильную реализацию параметров транзистора. Это применяется и к DC и к транзисторным характеристикам AC. Можно также использовать эту модель, чтобы исследовать нелинейные характеристики емкости как функции условий смещения.
Дважды кликните блок Analyzer, чтобы видеть базовую схему. Это накладывает напряжение маленького сигнала AC сверх напряжения смещения DC. Характеристики DC получены путем отфильтровывания части AC ответа. Y-параметры маленькие сигнала получены путем вычитания постоянного тока из общего количества текущий (AC+DC), и затем деления на напряжение возбуждения маленькое сигнала.
Модель
Результаты симуляции от Simscape Logging
Графики ниже ID показа, Ciss, Crss и Coss как функции Vgs и/или Vds как подходящий для выбранных параметров. Последовательные симуляции запущены для области значений заданных условий смещения. В порядке обработать измерения маленькие сигнала, каждую точку смещения оставляют согласиться на определенное число циклов AC, прежде чем измерение будет зарегистрировано для графического вывода.
