Документация

Характеристики биполярного транзистора PnP

Этот пример показывает генерацию Ic по сравнению с кривой Vce для биполярного транзистора PnP. Задайте вектор основных токов, и минимальные и максимальные эмиттерные коллектором напряжения путем двойного щелчка по блоку маркировали 'Define Conditions (Ib and Vce)'. Запустите тесты и сгенерируйте графики кривых путем нажатия в модели на гиперссылке 'на кривые графика'.

Этот тип графика может быть сравнен с таблицей данных производителя, чтобы подтвердить правильную реализацию параметров транзистора. Можно также использовать эту модель, чтобы исследовать транзисторные характеристики в противоположной области путем определения области значений положительных значений Vce. В этой области усиление задано Противоположным текущим параметром BR отношения передачи. Увеличьте этот параметр выше одного, чтобы произвести противоположное текущее усиление.

Чтобы исследовать свойства биполярного транзистора NPN, откройте модель ee_npn.