Exponenta Banner

Light-Emitting Diode

Экспоненциальный светодиод с выходным портом оптической силы

расширьте все на странице
  • Библиотека:

  • Simscape / Электрический / Sensors & Transducers

Описание

Блок Light-Emitting Diode представляет светодиод как экспоненциальный диод последовательно с датчиком тока. Оптическая сила, представленная в порте W сигнала, равна продукту текущего течения через диод и значение параметров Optical power per unit current.

Экспоненциальная диодная модель обеспечивает следующее отношение между диодом, текущим я и диодным напряжением V:

I=IS⋅(eqVNkTm1−1)

где:

  • q является элементарным зарядом на электроне (1.602176e–19 Кулоны).

  • k является Постоянная Больцмана (1.3806503e–23 J/K).

  • N является коэффициентом эмиссии.

  • IS является текущим насыщением.

  • T m1 является температурой, при которой диодные параметры заданы, как задано значением параметров Measurement temperature.

Когда (q V / N k T m1)> 80, замены блока eqVNkTm1 с (q V / N k T m1 – 79) e80, который совпадает с градиентом диода, текущего в (q V / N k T m1) = 80, и экстраполирует линейно. Когда (q V / N k T m1) <–79, замены блока eqVNkTm1 с (q V / N k T m1 + 80) электронный 79, который также совпадает с градиентом и экстраполирует линейно. Типичные электрические схемы не достигают этих экстремумов. Блок обеспечивает эту линейную экстраполяцию, чтобы помочь сходимости при решении для ограничений в процессе моделирования.

Когда вы выбираете Use parameters IS and N для параметра Parameterization вы задаете диод в терминах параметров Emission coefficient N и Saturation current IS. Когда вы выбираете Use I-V curve data points для параметра Parameterization вы задаете два напряжения и текущие точки измерения на диоде, кривая I-V и блок выводят IS и значения N. Когда вы задаете текущий и измерения напряжения, блок вычисляет IS и N можно следующим образом:

  • N=((V1−V2)/Vt)/(журнал(I1)−журнал(I2))

  • =(I1/(exp(V1/(NVt))−1)+I2/(exp(V2/(NVt))−1))/2

где:

  • V t = k T m1 / q.

  • V1 и V2 являются значениями в векторе Voltages [V1 V2].

  • I1 и I2 являются значениями в векторе Currents [I1 I2].

Экспоненциальная диодная модель предоставляет возможность включать емкость перехода:

  • Когда вы выбираете Fixed or zero junction capacitance для параметра Junction capacitance фиксируется емкость.

  • Когда вы выбираете Use parameters CJO, VJ, M & FC для параметра Junction capacitance блок использует коэффициенты CJO, VJ, M, и FC, чтобы вычислить емкость перехода, которая зависит от напряжения на переходе.

  • Когда вы выбираете Use C-V curve data points для параметра Junction capacitance блок использует три значения емкости на кривой емкости C-V, чтобы оценить CJO, VJ и M и использует эти значения с заданным значением FC, чтобы вычислить емкость перехода, которая зависит от напряжения на переходе. Блок вычисляет CJO, VJ и M можно следующим образом:

    • CJ0=C1((VR2−VR1)/(VR2−VR1(C2/C1)−1/M))M

    • VJ=−(−VR2(C1/C2)−1/M+VR1)/(1−(C1/C2)−1/M)

    • M=журнал(C3/C2)/журнал(VR2/VR3)

    где:

    • VR1, VR2 и VR3 являются значениями в векторе Reverse bias voltages [VR1 VR2 VR3].

    • C1, C2 и C3 являются значениями в векторе Corresponding capacitances [C1 C2 C3].

    Не возможно оценить FC надежно от табличных данных, таким образом, необходимо задать его значение с помощью параметра Capacitance coefficient FC. В отсутствие подходящих данных для этого параметра используйте типичное значение 0,5.

    Напряжения обратного смещения (заданный как положительные значения) должны удовлетворить VR3> VR2> VR1. Это означает, что емкости должны удовлетворить C1> C2> C3, когда обратное смещение расширяет область истощения и следовательно уменьшает емкость. Нарушение этих неравенств приводит к ошибке. Напряжения VR2 и VR3 должны хорошо быть вдали от потенциала Соединения VJ. Напряжение VR1 должно быть меньше потенциала Соединения VJ с типичным значением для VR1, являющегося 0,1 В.

Зависимое напряжением соединение задано в терминах устройства хранения данных заряда конденсатора Qj как:

  • Для V <FC · VJ:

    Qj=CJ0⋅(VJ/(M−1))⋅((1−V/VJ)1−M−1)

  • Для V ≥ FC · VJ:

    Qj=CJ0⋅F1+(CJ0/F2)⋅(F3⋅(V−FC⋅VJ)+0.5(M/VJ)⋅(V2−(FC⋅VJ)2))

где:

  • F1=(VJ/(1−M))⋅(1−(1−FC)1−M))

  • F2=(1−FC)1+M))

  • F3=1−FC⋅(1+M)

Эти уравнения эквивалентны используемый в [2], за исключением того, что температурная зависимость VJ и FC не моделируется. Эта модель не включает термин емкости диффузии, который влияет на производительность для приложений переключения высокой частоты.

Блок Light-Emitting Diode содержит несколько опций для моделирования зависимости диодного отношения текущего напряжения на температуре в процессе моделирования. Температурная зависимость емкости перехода не моделируется, этот являющийся намного меньшим эффектом. Для получения дополнительной информации смотрите страницу с описанием Diode.

Тепловой порт

Блок имеет дополнительный тепловой порт, скрытый по умолчанию. Чтобы осушить тепловой порт, щелкните правой кнопкой по блоку по своей модели, и затем из контекстного меню выбирают Simscape> Block choices> Show thermal port. Это действие отображает тепловой порт H на значке блока и отсоединяет параметры Thermal Port.

Используйте тепловой порт, чтобы симулировать эффекты выработанного тепла и температуры устройства. Для получения дополнительной информации об использовании тепловых портов и на параметрах Thermal Port, смотрите Термальные эффекты Симуляции в Полупроводниках.

Переменные

Используйте раздел Variables интерфейса блока, чтобы установить приоритет и начальные целевые значения для переменных в блоках до симуляции. Для получения дополнительной информации смотрите Приоритет Набора и Начальную Цель для Переменных в блоках (Simscape).

Предположения и ограничения

  • Когда вы выбираете Use I-V curve data points для параметра Parameterization выберите пару напряжений около диодного поворота - на напряжении. Обычно это находится в диапазоне от 0,05 до 1 вольта. Используя значения за пределами этой области может привести к числовым проблемам и плохим оценкам для IS и N.

  • Вы, возможно, должны использовать ненулевые омические значения сопротивления и емкости перехода, чтобы предотвратить числовые проблемы симуляции, но симуляция может запуститься быстрее с этими обнуленными значениями.

Порты

Вывод

развернуть все

Порт физического сигнала сопоставлен с оптической выходной мощностью.

Сохранение

развернуть все

Электрический порт сохранения сопоставлен с анодом.

Электрический порт сохранения сопоставлен с катодом.

Параметры

развернуть все

Основной

Количество оптической силы светодиод генерирует на модуль текущего течения через диод.

Выберите один из следующих методов для параметризации модели:

  • Use I-V curve data points — Задайте результаты измерений в двух точках на диоде кривая I-V. Это - метод по умолчанию.

  • Use parameters IS and N — Задайте текущее насыщение и коэффициент эмиссии.

Вектор текущих значений в двух точках на диоде кривая I-V, что использование блока, чтобы вычислить IS и N.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда вы выбираете Use I-V curve data points для параметра Parameterization.

Вектор значений напряжения в двух точках на диоде кривая I-V, что использование блока, чтобы вычислить IS и N.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда вы выбираете Use I-V curve data points для параметра Parameterization.

Величина тока, к которому идеальное диодное уравнение приближается асимптотически для очень больших уровней обратного смещения.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда вы выбираете Use parameters IS and N для параметра Parameterization.

Диодный коэффициент эмиссии или фактор идеальности.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда вы выбираете Use parameters IS and N для параметра Parameterization.

Серийное диодное сопротивление связи.

Температура, при которой были измерены IS или кривая I-V.

Емкость перехода

Выберите одну из следующих опций для моделирования емкости перехода:

  • Fixed or zero junction capacitance — Смоделируйте емкость перехода как фиксированное значение.

  • Use C-V curve data points — Задайте результаты измерений в трех точках на диоде кривая C-V.

  • Use parameters CJ0, VJ, M & FC — Задайте емкость перехода нулевого смещения, потенциал соединения, градуируя коэффициент и коэффициент емкости истощения прямого смещения.

Значение емкости помещается параллельно с экспоненциальным диодным термином.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда вы выбираете Fixed or zero junction capacitance или Use parameters CJ0, VJ, M & FC для параметра Junction capacitance.

Вектор значений напряжения обратного смещения в трех точках на диоде кривая C-V, что использование блока, чтобы вычислить CJ0, VJ и M.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда вы выбираете Use C-V curve data points для параметра Junction capacitance.

Вектор значений емкости в трех точках на диоде кривая C-V, что использование блока, чтобы вычислить CJ0, VJ и M.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда вы выбираете Use C-V curve data points для параметра Junction capacitance.

Потенциал соединения. Этот параметр только отображается, когда вы выбираете Use parameters CJ0, VJ, M & FC для параметра Junction capacitance.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда вы выбираете Use parameters CJ0, VJ, M & FC для параметра Junction capacitance.

Коэффициент классификации.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда вы выбираете Use parameters CJ0, VJ, M & FC для параметра Junction capacitance.

Подходящий коэффициент, который определяет количество уменьшения емкости истощения с приложенным напряжением.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда вы выбираете Use C-V curve data points или Use parameters CJ0, VJ, M & FC для параметра Junction capacitance.

Температурная зависимость

Выберите один из следующих методов для температурной параметризации зависимости:

  • None — Simulate at parameter measurement temperature — Температурная зависимость не моделируется, или модель симулирована в T m1 температуры измерения (как задано параметром Measurement temperature на вкладке Main). Это - метод по умолчанию.

  • Use an I-V data point at second measurement temperature T2 — Если вы выбираете эту опцию, вы задаете второй T m2 температуры измерения, и текущие значения и значения напряжения при этой температуре. Модель использует эти значения, наряду со значениями параметров в первом T m1 температуры измерения, чтобы вычислить значение энергетического кризиса.

  • Specify saturation current at second measurement temperature T2 — Если вы выбираете эту опцию, вы задаете второй T m2 температуры измерения и текущее значение насыщения при этой температуре. Модель использует эти значения, наряду со значениями параметров в первом T m1 температуры измерения, чтобы вычислить значение энергетического кризиса.

  • Specify the energy gap EG — Задайте значение энергетического кризиса непосредственно.

Задайте диод текущее значение I1, когда напряжением будет V1 при второй температуре измерения.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда вы выбираете Use an I-V data point at second measurement temperature T2 для параметра Parameterization.

Задайте диодное напряжение значение V1, когда током будет I1 при второй температуре измерения.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда вы выбираете Use an I-V data point at second measurement temperature T2 для параметра Parameterization.

Задайте насыщение текущее значение IS при второй температуре измерения.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда вы выбираете Specify saturation current at second measurement temperature T2 для параметра Parameterization.

Задайте значение для второй температуры измерения.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда вы выбираете Use an I-V data point at second measurement temperature T2 или Specify saturation current at second measurement temperature T2 для параметра Parameterization.

Выберите значение для энергетического кризиса из списка предопределенных опций или задайте пользовательское значение:

  • Use nominal value for silicon (EG=1.11eV) Это значение по умолчанию.

  • Use nominal value for 4H-SiC silicon carbide (EG=3.23eV)

  • Use nominal value for 6H-SiC silicon carbide (EG=3.00eV)

  • Use nominal value for germanium (EG=0.67eV)

  • Use nominal value for gallium arsenide (EG=1.43eV)

  • Use nominal value for selenium (EG=1.74eV)

  • Use nominal value for Schottky barrier diodes (EG=0.69eV)

  • Specify a custom value — Если вы выбираете эту опцию, параметр Energy gap, EG, кажется, в диалоговом окне, позволяет вам задать пользовательское значение для EG.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда вы выбираете Specify the energy gap EG для параметра Parameterization.

Задайте пользовательское значение для энергетического кризиса, EG.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда вы выбираете Specify a custom value для параметра Energy gap parameterization.

Выберите одну из следующих опций, чтобы задать насыщение текущее температурное значение экспоненты:

  • Use nominal value for pn-junction diode (XTI=3) Это значение по умолчанию.

  • Use nominal value for Schottky barrier diode (XTI=2)

  • Specify a custom value — Если вы выбираете эту опцию, параметр Saturation current temperature exponent, XTI, кажется, в диалоговом окне, позволяет вам задать пользовательское значение для XTI.

Задайте пользовательское значение для насыщения текущая температурная экспонента, XTI.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда вы выбираете Specify a custom value для параметра Saturation current temperature exponent parameterization.

Задайте значение для температурного T s, в котором должно быть симулировано устройство.

Примеры модели

Linear LED Driver

Линейный драйвер LED

Светодиодный драйвер на основе линейного текущего регулятора. Осциллограф показывает светоотдачу и текущую производительность и напряжение предоставления. Выход входит в регулирование для напряжения предоставления, больше, чем приблизительно 12 В.

Открытая модель

Ссылки

[1] Х. Ахмед и П.Дж. Спридбери. Аналоговая и цифровая электроника для инженеров. 2-й Выпуск, издательство Кембриджского университета, 1984.

[2] Г. Массобрио и П. Антоньетти. Полупроводниковое моделирование устройства с SPICE. 2-й выпуск, McGraw-Hill, 1993.

Расширенные возможности

Генерация кода C/C++
Генерация кода C и C++ с помощью Simulink® Coder™.

Смотрите также

| |

Введенный в R2008a

Документация Simscape Electrical
Поддержка