MOSFET
Модель Implement MOSFET
Библиотека
Simscape / Электрический / Специализированные Энергосистемы / Основные Блоки / Силовая электроника
Описание
Полевой транзистор металлооксидного полупроводника (MOSFET) является полупроводниковым устройством, управляемым сигналом логического элемента (g> 0). Устройство MOSFET соединяется параллельно с внутренним диодом, который включает, когда устройство MOSFET противоположно смещенный (Vds <0), и никакой сигнал логического элемента не применяется (g=0). Модель симулирована идеальным переключателем, которым управляет логический сигнал (g> 0 или g =0) с диодом, соединенным параллельно.
Устройство MOSFET включает, когда положительный сигнал применяется во входе логического элемента (g> 0), положительно ли напряжение источника дренажа или отрицательно. Если никакой сигнал не применяется во входном (g=0) логического элемента, только внутренний диод проводит, когда напряжение превышает свой прямой VF напряжения.
С положительным или отрицательным текущим течением через устройство MOSFET выключает, когда вход логического элемента становится 0. Если ток я являюсь отрицательным и плавным во внутреннем диоде (никакой сигнал логического элемента или g = 0), переключатель выключает, когда ток я становлюсь 0.
На напряжении состояния варьируется Vds:
Vds = Ron*I, когда положительный сигнал применяется во входе логического элемента.
Vds = Rd*I-Vf +Lon*dI/dt, когда антипараллельный диод проводит (никакой сигнал логического элемента).
Диодная индуктивность Лона доступна только с непрерывной моделью. Для большинства приложений Лон должен быть обнулен и для непрерывных и для дискретных моделей.
Блок MOSFET также содержит схему демпфера серии Rs-Cs, которая может быть соединена параллельно с MOSFET (между узлами d и s).
Параметры
- FET Resistance Ron
Внутреннее сопротивление Рон, в Омах (Ω). Значением по умолчанию является
0.1. Параметр Resistance Ron не может быть установлен на0когда параметр Inductance Lon устанавливается на0.- Internal diode inductance Lon
Внутренняя индуктивность Лон, в henries (H). Значением по умолчанию является
0. Параметр Inductance Lon обычно устанавливается на0кроме тех случаев, когда параметр Resistance Ron устанавливается на0.- Internal diode resistance Rd
Внутреннее сопротивление внутреннего диода, в Омах (Ω). Значением по умолчанию является
0.01.- Internal diode forward voltage Vf
Прямое напряжение внутреннего диода, в вольтах (В). Значением по умолчанию является
0.- Initial current Ic
Можно задать начальное текущее течение в устройстве MOSFET. Это обычно устанавливается в
0для того, чтобы начать симуляцию с блокированного устройства. Значением по умолчанию является0.Если Начальный текущий параметр IC устанавливается на значение, больше, чем
0, установившееся вычисление рассматривает начальное состояние MOSFET, как закрыто. При инициализации всех состояний степени электронный конвертер является комплексной задачей. Поэтому эта опция полезна только с простыми схемами.- Snubber resistance Rs
Сопротивление демпфера, в Омах (Ω). Значением по умолчанию является
1e5. Установите параметр RS сопротивления Демпфера наinfустранить демпфер из модели.- Snubber capacitance Cs
Емкость демпфера, в фарадах (F). Значением по умолчанию является
inf. Установите емкость Демпфера параметр Cs на0устранить демпфер, или кinfполучить резистивный демпфер.- Show measurement port
Если выбрано, добавьте выход Simulink® в блок, возвращающий ток MOSFET и напряжение. Значение по умолчанию выбрано.
Вводы и выводы
gСигнал Simulink, чтобы управлять открытием и закрытием MOSFET.
mSimulink выход блока является вектором, содержащим 2 сигнала. Можно демультиплексировать эти сигналы при помощи блока Селектора Шины, обеспеченного в Библиотеке Simulink.
Сигнал
Определение
Модули
1
Текущий MOSFET
A
2
Напряжение MOSFET
V
Допущения и ограничения
Блок MOSFET реализует макро-модель действительного устройства MOSFET. Это не учитывает или геометрию устройства или комплексные физические процессы [1].
В зависимости от значения индуктивности Лон MOSFET моделируется любой как текущий источник (Лон> 0) или как переменная схема топологии (Лон = 0). Блок MOSFET не может быть соединен последовательно с индуктором, текущим источником или разомкнутой цепью, если ее схема демпфера не используется.
Лон индуктивности обеспечен к 0, если вы принимаете решение дискретизировать свою схему.
Ссылки
[1] Mohan, N., T.M. НеДеленд, и В.П. Роббинс, силовая электроника: конвертеры, приложения, и проект, John Wiley & Sons, Inc., Нью-Йорк, 1995.
Смотрите также
Диод, GTO, идеальный переключатель, Три-Левель-Бридж, тиристор, Универсэл-Бридж