Модель Implement MOSFET
Simscape / Электрический / Специализированные Энергосистемы / Основные Блоки / Силовая электроника
Полевой транзистор металлооксидного полупроводника (MOSFET) является полупроводниковым устройством, управляемым сигналом логического элемента (g> 0). Устройство MOSFET соединяется параллельно с внутренним диодом, который включает, когда устройство MOSFET противоположно смещенный (Vds <0), и никакой сигнал логического элемента не применяется (g=0). Модель симулирована идеальным переключателем, которым управляет логический сигнал (g> 0 или g =0) с диодом, соединенным параллельно.
Устройство MOSFET включает, когда положительный сигнал применяется во входе логического элемента (g> 0), положительно ли напряжение источника дренажа или отрицательно. Если никакой сигнал не применяется во входном (g=0) логического элемента, только внутренний диод проводит, когда напряжение превышает свой прямой VF напряжения.
С положительным или отрицательным текущим течением через устройство MOSFET выключает, когда вход логического элемента становится 0. Если ток я являюсь отрицательным и плавным во внутреннем диоде (никакой сигнал логического элемента или g = 0), переключатель выключает, когда ток я становлюсь 0.
На напряжении состояния варьируется Vds:
Vds = Ron*I, когда положительный сигнал применяется во входе логического элемента.
Vds = Rd*I-Vf +Lon*dI/dt, когда антипараллельный диод проводит (никакой сигнал логического элемента).
Диодная индуктивность Лона доступна только с непрерывной моделью. Для большинства приложений Лон должен быть обнулен и для непрерывных и для дискретных моделей.
Блок MOSFET также содержит схему демпфера серии Rs-Cs, которая может быть соединена параллельно с MOSFET (между узлами d и s).
Внутреннее сопротивление Рон, в Омах (Ω). Значением по умолчанию является 0.1. Параметр Resistance Ron не может быть установлен на 0 когда параметр Inductance Lon устанавливается на 0.
Внутренняя индуктивность Лон, в henries (H). Значением по умолчанию является 0. Параметр Inductance Lon обычно устанавливается на 0 кроме тех случаев, когда параметр Resistance Ron устанавливается на 0.
Внутреннее сопротивление внутреннего диода, в Омах (Ω). Значением по умолчанию является 0.01.
Прямое напряжение внутреннего диода, в вольтах (В). Значением по умолчанию является 0.
Можно задать начальное текущее течение в устройстве MOSFET. Это обычно устанавливается в 0 для того, чтобы начать симуляцию с блокированного устройства. Значением по умолчанию является 0.
Если Начальный текущий параметр IC устанавливается на значение, больше, чем 0, установившееся вычисление рассматривает начальное состояние MOSFET, как закрыто. При инициализации всех состояний степени электронный конвертер является комплексной задачей. Поэтому эта опция полезна только с простыми схемами.
Сопротивление демпфера, в Омах (Ω). Значением по умолчанию является 1e5. Установите параметр RS сопротивления Демпфера на inf устранить демпфер из модели.
Емкость демпфера, в фарадах (F). Значением по умолчанию является inf . Установите емкость Демпфера параметр Cs на 0 устранить демпфер, или к inf получить резистивный демпфер.
Если выбрано, добавьте выход Simulink® в блок, возвращающий ток MOSFET и напряжение. Значение по умолчанию выбрано.
gСигнал Simulink, чтобы управлять открытием и закрытием MOSFET.
mSimulink выход блока является вектором, содержащим 2 сигнала. Можно демультиплексировать эти сигналы при помощи блока Селектора Шины, обеспеченного в Библиотеке Simulink.
Сигнал | Определение | Модули |
|---|---|---|
1 | Текущий MOSFET | A |
2 | Напряжение MOSFET | V |
Блок MOSFET реализует макро-модель действительного устройства MOSFET. Это не учитывает или геометрию устройства или комплексные физические процессы [1].
В зависимости от значения индуктивности Лон MOSFET моделируется любой как текущий источник (Лон> 0) или как переменная схема топологии (Лон = 0). Блок MOSFET не может быть соединен последовательно с индуктором, текущим источником или разомкнутой цепью, если ее схема демпфера не используется.
Лон индуктивности обеспечен к 0, если вы принимаете решение дискретизировать свою схему.
[1] Mohan, N., T.M. НеДеленд, и В.П. Роббинс, силовая электроника: конвертеры, приложения, и проект, John Wiley & Sons, Inc., Нью-Йорк, 1995.
Диод, GTO, идеальный переключатель, Три-Левель-Бридж, тиристор, Универсэл-Бридж