Foster Thermal Model

Теплопередача через полупроводниковый модуль

Библиотека:
Simscape / Электрический / Пассивный элемент / Тепловой

Описание

Блок Foster Thermal Model представляет теплопередачу через полупроводниковый модуль. Рисунок показывает, что эквивалентная схема для четвертого порядка Способствует Тепловому блоку Model. _Tj является температурой перехода, и _Tc является температурой опорной плиты.

Фостер тепловая модель содержит один или несколько экземпляров Фостера тепловые элементы модели. Рисунок показывает эквивалентную схему для Фостера тепловой элемент модели.

Количество тепловых элементов равно порядку представления. Для модели первого порядка используйте скалярные параметры блоков. Для n th модель порядка, используйте векторы-строки из длины n. Другие условия, которые описывают Фостера тепловая модель:

Схема элементарной дроби
Модель Pi

Уравнения определения для первого порядка Фостер тепловой элемент модели:

$C_{t h e r m a l} = \frac{τ}{R_{t h e r m a l}}$

$Q_{A B} = \frac{T_{A B}}{R_{t h e r m a l}} + C_{t h e r m a l} \frac{d T_{A B}}{d t},$

где:

_Cthermal является тепловой способностью.
τ является тепловой постоянной времени.
_Rthermal является тепловым сопротивлением.
_QAB является тепловым потоком через материал.
_TAB является перепадом температур между существенными слоями.

Порты

Сохранение

развернуть все

`A` — Полупроводниковый переход
тепловой

Тепловой порт сохранения сопоставлен с полупроводниковым переходом.

`B` — Соединение опорной плиты
тепловой

Тепловой порт сохранения сопоставлен с соединением опорной плиты.

Параметры

развернуть все

`Thermal resistance data` — Тепловые значения сопротивления
[ 0.0016 0.0043 0.0013 0.0014 ] `K/W` (значение по умолчанию)

Тепловые значения сопротивления, _Rthermal, полупроводникового модуля в виде вектора.

`Thermal time constant data` — Тепловые данные о постоянной времени
[ 0.0068 0.064 0.32 2 ] `s` (значение по умолчанию)

Тепловые значения постоянной времени, τ, полупроводникового модуля в виде вектора.

Примеры модели

Определение количества IGBT тепловые потери

Генерация температурного профиля на основе потерь переключения и проводимости в биполярном транзисторе с изолированным затвором (IGBT). Существует два понижающих конвертера. Для одного конвертера IGBT присоединяет к Фостер тепловой модели. Для другого конвертера IGBT присоединяет к Cauer тепловой модели. Параметры для тепловых моделей настраиваются, чтобы дать примерно эквивалентные результаты. Во времени симуляции 50 мс частота переключений изменяется с 40 кГц до 20 кГц, что увеличивает потери проводимости и уменьшает потери переключений. Изменение в потерях приводит к соответствующему изменению в температуре IGBT.

Открытая модель

Ссылки

[1] Schütze, T. AN2008-03: Тепловые модели эквивалентной схемы. Указания по применению. V1.0. Германия: Infineon Technologies AG, 2008.

Расширенные возможности

Генерация кода C/C++
Генерация кода C и C++ с помощью Simulink® Coder™.

Введенный в R2016a

Документация Simscape Electrical

Поддержка

Памятка переводчика

1. Если смысл перевода понятен, то лучше оставьте как есть и не придирайтесь к словам, синонимам и тому подобному. О вкусах не спорим.

2. Не дополняйте перевод комментариями “от себя”. В исправлении не должно появляться дополнительных смыслов и комментариев, отсутствующих в оригинале. Такие правки не получится интегрировать в алгоритме автоматического перевода.

3. Сохраняйте структуру оригинального текста - например, не разбивайте одно предложение на два.

4. Не имеет смысла однотипное исправление перевода какого-то термина во всех предложениях. Исправляйте только в одном месте. Когда Вашу правку одобрят, это исправление будет алгоритмически распространено и на другие части документации.

5. По иным вопросам, например если надо исправить заблокированное для перевода слово, обратитесь к редакторам через форму технической поддержки.

Документация