exponenta event banner

Кристалл

Устойчивый резонатор

  • Библиотека:
  • Simscape/Электрическая/Пассивная

  • Crystal block

Описание

Блок кристалла представляет электрические характеристики кристалла. На следующем рисунке показана эквивалентная модель схемы блока Crystal.

Параметры эквивалентной цепи для этой модели задаются при установке для параметра параметризации значения Equivalent circuit parameters.

  • C0 конденсатора соответствует емкости, указанной в параметре C0 Емкость шунта.

  • C1 конденсатора соответствует емкости, указанной в параметре Motional capacitance, C1.

  • L1 индуктора соответствует индуктивности, указанной в параметре Motional, L1.

  • R1 резистора соответствует сопротивлению, указанному в параметре Эквивалентное последовательное сопротивление, R1.

Большинство таблиц данных определяют частоту кристалла, а не индуктивность, поэтому блок необязательно принимает данные частоты.

  • При установке для параметра «Параметризация» значения Series resonance dataблок использует следующее соотношение для вычисления L1 по последовательной резонансной частоте:

    fs = 12.dL1C1

    Где fs - резонанс серии, значение параметра fs.

  • При установке для параметра «Параметризация» значения Parallel resonance dataблок использует следующее соотношение для вычисления L1 по параллельной резонансной частоте:

    fa = 12πL1C1 (C0 + CL )/( C1 + C0 + CL)

    Где:

    • fa - значение параметра Параллельный резонанс, fa.

    • CL - емкость нагрузки, значение параметра CL.

В некоторых листах данных указан коэффициент качества, а не эквивалентное сопротивление серии, поэтому блок дополнительно принимает данные коэффициента качества. При установке для параметра параметризации R1 значения Quality factor Qблок использует следующую связь для вычисления R1 по коэффициенту качества:

Q = 2.dfL1R1

Где Q - коэффициент качества, значение параметра Q.

Примечание

Параметр параметризации R1 отображается только при выборе Series resonance data или Parallel resonance data для параметра «Параметризация».

Допущения и ограничения

  • Блок Crystal моделирует только режим фундаментальной вибрации кристалла.

Порты

Сохранение

развернуть все

Электрический консервационный порт, связанный с кристаллическим положительным напряжением.

Электрический консервационный порт, связанный с кристаллическим отрицательным напряжением.

Параметры

развернуть все

Выберите один из следующих методов параметризации блока:

  • Series resonance data - Предоставить последовательные резонансные частотные и емкостные данные для кристалла. Этот метод используется по умолчанию.

  • Parallel resonance data - Предоставление параллельных резонансных частотных и емкостных данных для кристалла.

  • Equivalent circuit parameters - Предоставить электрические параметры для эквивалентной модели кристалла.

Резонансная частота кристаллического ряда.

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе Series resonance data для параметра «Параметризация».

Кристаллопараллельная резонансная частота, соответствующая работающей с параллельной нагрузочной емкостью, заданной параметром Load capacitance, CL.

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе Parallel resonance data для параметра «Параметризация».

Индуктивность, представляющая механическую массу кристалла.

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе Equivalent circuit parameters для параметра «Параметризация».

Выберите один из следующих методов параметризации сопротивления серии:

  • Equivalent series resistance R1 - Непосредственно укажите значение сопротивления. Это метод по умолчанию.

  • Quality factor Q - Укажите коэффициент качества, используемый блоком для вычисления значения сопротивления.

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе Series resonance data или Parallel resonance data для параметра «Параметризация».

Коэффициент качества кристалла. Этот параметр отображается только при выборе одного из следующих вариантов:

  • Series resonance data для параметра Параметризация и Quality factor Q для параметра параметризации R1

  • Parallel resonance data для параметра Параметризация и Quality factor Q для параметра параметризации R1

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе:

  • Series resonance data для параметра Параметризация и Quality factor Q для параметра параметризации R1

  • Parallel resonance data для параметра Параметризация и Quality factor Q для параметра параметризации R1

Термин «динамическое демпфирование». Этот параметр отображается только при выборе одного из следующих вариантов:

  • Series resonance data для параметра Параметризация и Equivalent series resistance R1 для параметра параметризации R1

  • Parallel resonance data для параметра «Параметризация» и Equivalent series resistance R1 для параметра параметризации R1

  • Equivalent circuit parameters для параметра «Параметризация»

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе:

  • Series resonance data для параметра «Параметризация» и Equivalent series resistance R1 для параметра параметризации R1

  • Parallel resonance data для параметра «Параметризация» и Equivalent series resistance R1 для параметра параметризации R1

  • Equivalent circuit parameters для параметра «Параметризация»

Емкость, представляющая собой кристаллическую механическую жесткость под нагрузкой.

Емкость нагрузки, соответствующая значению параметра Parallel resonance, fa.

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе Parallel resonance data для параметра «Параметризация».

Электрическая емкость между двумя кристаллическими электрическими соединениями.

Выходное напряжение в начале моделирования, когда выходной ток равен нулю.

Расширенные возможности

Создание кода C/C + +
Создайте код C и C++ с помощью Simulink ® Coder™

.
Представлен в R2009a