В этом примере показано, как преобразовать подсхему «металл-оксид-полупроводник-полевой транзистор» (MOSFET) в эквивалентный компонент Simscape™ и сравнить графики Spice и Simscape для некоторых стандартных характеристик MOSFET, а именно: Id в сравнении с Vgs, Id в сравнении с Vds, Qiss/Gate, Qoss/Output char charge и bar voltage. subcircuit2ssc функция преобразует все компоненты подсистемы в файле списка соединений SPICE в один или несколько эквивалентных файлов Simscape.
В этом примере эта подсистема MOSFET преобразуется в компонент Simscape. Для открытия списка соединений SPICE в окне команды MATLAB введите edit IAUC100N04S6L014.cir.
Выполните эту команду для преобразования подкарты SPICE IAUC100N04S6L014.cir модель в компонент Simscape и поместить созданные файлы в только что созданную папку с именем +myMOSFET:
iauc100n04s6l014.ssc файл, хранящийся в +myMOSFET - преобразованный компонент Simscape, полученный при выполнении subcircuit2ssc в измененном списке соединений SPICE. subcircuit2ssc функция также преобразовала все функции, реализованные в подсистеме SPICE. Для редактирования созданного компонента simscape в окне команды MATLAB введите edit + myMOSFET/iauc100n04s6l014.ssc.
subcircuit2ssc функция полностью импортирует эту конкретную подсхему без необходимости в каких-либо дальнейших ручных шагах. Однако в этом примере для более удобного просмотра результатов моделирования можно получить доступ к затвору, стоку и токам источника. Чтобы получить доступ к токам стока, затвора и источника в simlog, добавьте к% сгенерированному компоненту simscape внутренние узлы drainInternal, gateInternal и% sourceВнутренние узлы, а также idrain, igate и isource%, соответствующие переменным. Затем сохраните изменения в новом файле с именем iauc100n04s6l014_updated.ssc и передайте файл как аргумент функции ee_convertedMosfetValidation MATLAB.
Создание файла с именем iauc100n04s6l014_wrapped.ssc. Этот файл является файлом компонента для блока компонента Simscape в модели ee_MOSFET_subckt.
ee_MOSFET_subckt_results скрипт вызывает ee_convertedMosfetValidation функция для генерации некоторых стандартных характеристик, таких как Id против Vgs, Id против Vds, заряд Qiss/Gate, заряд Qoss/Output и напряжение пробоя.
Для печати этих характеристик с различными настройками дважды щелкните блок с меткой «Определить условия» и определите параметры. В модели для выполнения моделирования и печати результатов щелкните результаты проверки.
Наконец, удалите временный каталог и все его подкаталоги.