В этом примере показана генерация кривой зависимости тока от напряжения для барьерного диода Шотки. Определите вектор температур, для которого необходимо построить график характеристик, двойным щелчком мыши щелкните по блоку «Определение температур для тестов». Выполните тесты и постройте график I-V кривых, щелкнув модель на гиперссылке «plot curves».
Таблица для этого устройства дает Vf = 0.4V, когда If = 10mA, и Vf = 0.65V, когда If = 100mA. Омическое сопротивление устанавливается равным единице по градиенту кривой I-V таблицы данных при более высоких напряжениях. Затем моделируют температурную зависимость, выбирая для барьерного диода Шоттки значения степеней энергетического зазора по умолчанию и тока насыщения.
График, полученный с помощью этой тестовой модели, можно использовать для проверки реализации на основе графиков I-V таблицы данных.
На графике ниже показана I-V характеристика для барьерного диода Шоттки, извлеченного из результатов моделирования. Модель моделируется один раз для каждой заданной температуры.
