Эта модель показывает реализацию нелинейного биполярного транзистора, основанного на эквивалентной схеме Эберса-Молла. R1 и R2 установите номинальную рабочую точку, и малый коэффициент усиления сигнала приблизительно установлен на R3/R4 отношения. 1uF конденсаторы развязки были выбраны так, чтобы представлять незначительное сопротивление при 1KHz. Модель сконфигурирована для линеаризации, чтобы можно было сгенерировать частотную характеристику.
Модель показывает, как более сложные элементы (в этом случае транзистор) могут быть накоплены из фундаментальных электрических элементов в библиотеке Foundation. Обратите внимание, что опция Start simulation from staidy state была установлена в блоке Solver Configuration.
Для получения дополнительной информации об использовании кусочно-линейных диодов в транзисторном моделировании смотрите: Cel, J. «Ebers-Moll model of bipolar transistor with idealized diodes», International Journal of Electronics, Vol. 89, No. 1, January 2002, p.7-18.
