IGBT/Diode

Реализует идеальные IGBT, GTO или MOSFET и антипараллельный диод

Библиотека

Simscape / Электрический / Специализированные Энергосистемы / Силовая электроника

  • IGBT/Diode block

Описание

Блок IGBT/Diode является упрощенным режимом пары IGBT (или GTO или MOSFET )/Diode, где прямые напряжения принудительно коммутируемого устройства и диода игнорируются.

Параметры

Internal resistance Ron

Внутреннее сопротивление Ron устройства IGBT, в омах (И). По умолчанию это 1e-3.

Snubber resistance Rs

Сопротивление снюббера, в омах (И). По умолчанию это 1e5. Установите параметр сопротивления Snubber Rs равным inf чтобы исключить snubber из модели.

Snubber capacitance Cs

Демпфирующая емкость в фарадах (F). По умолчанию это inf. Установите параметр Емкость Snubber Cs равным 0 чтобы устранить snubber, или чтобы inf чтобы получить сопротивление snubber.

Show measurement port

Если выбран, добавьте Simulink® выход на блок, возвращающий диод IGBT тока и напряжения. Выбран параметр по умолчанию.

Входы и выходы

g

Сигнал Simulink для управления открытием и закрытием IGBT.

m

Выход Simulink блока является вектором, содержащим два сигнала. Можно демультиплексировать эти сигналы с помощью блока Bus Selector, предоставленного в библиотеке Simulink.

Сигнал

Определение

Модули

1

IGBT/диодный ток

A

2

IGBT/диодное напряжение

V

Допущения и ограничения

Блок IGBT/Diode реализует макро- модель реальных устройств IGBT и Diode. Он не учитывает ни геометрию устройств, ни сложные физические процессы [1].

Блок IGBT/Diode не может быть соединен последовательно с индуктивностью, источником тока или разомкнутой схемой, если его сглаживающая схема не используется .

См. также

IGBT, диод

Введенный в R2006a