IGBT/Diode
Реализует идеальные IGBT, GTO или MOSFET и антипараллельный диод
Библиотека
Simscape / Электрический / Специализированные Энергосистемы / Силовая электроника
Описание
Блок IGBT/Diode является упрощенным режимом пары IGBT (или GTO или MOSFET )/Diode, где прямые напряжения принудительно коммутируемого устройства и диода игнорируются.
Параметры
- Internal resistance Ron
Внутреннее сопротивление Ron устройства IGBT, в омах (И). По умолчанию это
1e-3.- Snubber resistance Rs
Сопротивление снюббера, в омах (И). По умолчанию это
1e5. Установите параметр сопротивления Snubber Rs равнымinfчтобы исключить snubber из модели.- Snubber capacitance Cs
Демпфирующая емкость в фарадах (F). По умолчанию это
inf. Установите параметр Емкость Snubber Cs равным0чтобы устранить snubber, или чтобыinfчтобы получить сопротивление snubber.- Show measurement port
Если выбран, добавьте Simulink® выход на блок, возвращающий диод IGBT тока и напряжения. Выбран параметр по умолчанию.
Входы и выходы
gСигнал Simulink для управления открытием и закрытием IGBT.
mВыход Simulink блока является вектором, содержащим два сигнала. Можно демультиплексировать эти сигналы с помощью блока Bus Selector, предоставленного в библиотеке Simulink.
Сигнал
Определение
Модули
1
IGBT/диодный ток
A
2
IGBT/диодное напряжение
V
Допущения и ограничения
Блок IGBT/Diode реализует макро- модель реальных устройств IGBT и Diode. Он не учитывает ни геометрию устройств, ни сложные физические процессы [1].
Блок IGBT/Diode не может быть соединен последовательно с индуктивностью, источником тока или разомкнутой схемой, если его сглаживающая схема не используется .