Эта модель показывает реализацию нелинейного биполярного транзистора на основе эквивалентной схемы Эберс-Молл. R1 и R2 устанавливают номинальную рабочую точку, и маленькое усиление сигнала приблизительно установлено отношением R3/R4. 1uF развязывающие конденсаторы были выбраны, чтобы представить незначительный импеданс на уровне 1 кГц. Модель сконфигурирована для линеаризации так, чтобы частотная характеристика могла быть сгенерирована.
Модель показывает, как более комплексные элементы (в этом случае транзистор) могут быть созданы от основных электрических элементов в библиотеке Foundation. Обратите внимание на то, что симуляция Запуска из опции устойчивого состояния была установлена в блоке Solver Configuration.
Для большего количества фона на использовании кусочных линейных диодов в транзисторном моделировании см.: Буфер перемещаемого изображения, J. "Модель Эберс-Молл биполярного транзистора с идеализированными диодами", Международный журнал Электроники, Издания 89, № 1, январь 2002, p.7-18.
