Постройте основные характеристики для полупроводниковых блоков
Быстрая функция графика позволяет вам визуализировать основные характеристики I-V для полупроводниковых устройств переключения, на основе текущих значений параметров блоков.
Эта опция реализована для нетепловых вариантов следующих блоков в библиотеке Semiconductors:
N-Channel MOSFET (и пороговые и поверхностные-потенциалом варианты)
P-Channel MOSFET (и пороговые и поверхностные-потенциалом варианты)
Чтобы построить характеристики, щелкните правой кнопкой по соответствующему полупроводниковому блоку по своей модели и, из контекстного меню, выберите Electrical> Basic characteristics.
Примечание
Для поверхностного-потенциалом N-Channel MOSFET и блоков P-Channel MOSFET, Electrical> опция Explore characteristics также доступна. Эта опция открывает инструмент Characteristics Viewer, который позволяет вам выполнить всестороннее исследование характеристик блока и совпадать с поведением блока к набору целевых характеристик. Для получения дополнительной информации смотрите Средство просмотра Характеристик MOSFET.
Построить основные характеристики:
Щелкните правой кнопкой по полупроводниковому блоку по своей модели и, из контекстного меню, выберите Electrical> Basic characteristics. Программное обеспечение автоматически вычисляет набор условий смещения, на основе значений параметров блоков, и создает окно фигуры, содержащее график DC характеристики I-V для блока.
Например, следующий график соответствует значениям параметров по умолчанию порогового блока N-Channel MOSFET.
Если вы изменяете значения параметров блоков и строите характеристики снова, график открывается в новом окне. Таким образом, можно сравнить графики рядом друг с другом и видеть, как значения параметров влияют на получившийся DC характеристики I-V для блока.
Например, если вы изменяете значение параметров Gate-source voltage, Vgs, for R_DS(on) в
20 V, новый график выглядит так.