Элемент схемы с поведенческой моделью для микрополосковой линии

Создайте circuit возразите и три microstripLine объекты создать схему как показано на рисунке. Обновите значение EpsilonR и Высоты к 2.33 и 1,57 мм соответственно.

tic
ckt = circuit;
c1 = microstripLine('Length',46e-3,'Width',4.6e-3);
c1.Substrate.EpsilonR = 2.33;
c1.Height = 1.57e-3;
c2 = microstripLine('Length',46e-3,'Width',4.6e-3);
c2.Substrate.EpsilonR = 2.33;
c2.Height = 1.57e-3;
c3 = microstripLine('Length',18.4e-3,'Width',4.6e-3);
c3.Substrate.EpsilonR = 2.33;
c3.Height = 1.57e-3;

Используйте pcbElement возразите, чтобы преобразовать микрополосковые линии, чтобы замкнуть объекты и установить Behavioral отметьте к true так, чтобы расчет был сделан с помощью аналитических уравнений. В модели схемы микрополосковые разрывы не моделируются, следовательно результаты могут немного отличаться, чем анализ EM.

p  = pcbElement(c1,'Behavioral',true);
p1 = pcbElement(c2,'Behavioral',true);
p2 = pcbElement(c3,'Behavioral',true);

Используйте добавить функцию, чтобы сформировать схему и использовать номера портов как показано в схеме выше. Используйте номера портов 1 и 2 для первой микрополосковой линии и соедините другую микрополосковую линию от портов 2 - 3, который формирует последовательную связь. Соедините третью микрополосковую линию от порта 2 - 4, который формирует сеть мишени.

add(ckt,[1 2 0 0],p);
add(ckt,[2 3 0 0],p1);
add(ckt,[2 4 0 0],p2);
setports(ckt,[1 0],[3 0]);

Используйте sparameters функция, чтобы вычислить s-параметры для схемы и построить его с помощью rfplot функция.

S = sparameters(ckt,linspace(1e9,10e9,21));
figure,rfplot(S);

Элемент схемы с симуляцией EM для Микрополосковой Линии

Используйте pcbElement возразите, чтобы преобразовать микрополосковые линии, чтобы замкнуть объекты и установить Behavioral отметьте к false так, чтобы расчет был сделан с помощью Симуляции EM.

ckt1 = circuit;
p  = pcbElement(c1,'Behavioral',false);
p1 = pcbElement(c2,'Behavioral',false);
p2 = pcbElement(c3,'Behavioral',false);

Используйте добавить функцию, чтобы сформировать схему и использовать номера портов как показано в схеме выше. Используйте номера портов 1 и 2 для первой микрополосковой линии и соедините другую микрополосковую линию от портов 2 - 3, который формирует последовательную связь. Соедините третью микрополосковую линию от порта 2 - 4, который формирует сеть мишени.

add(ckt1,[1 2 0 0],p);
add(ckt1,[2 3 0 0],p1);
add(ckt1,[2 4 0 0],p2);
setports(ckt1,[1 0],[3 0]);

Используйте sparameters функция, чтобы вычислить s-параметры для схемы и построить его с помощью rfplot функция. Каждый микрополосковый раздел решен с помощью решателя EM, и вычисленные s-параметры объединены, чтобы дать объединенный ответ схемы.

S = sparameters(ckt1,linspace(1e9,10e9,21));
figure;
rfplot(S);

Создание Стека PCB Формы traceTee с Симуляцией EM

Используйте traceTee сформируйте, чтобы создать заглушку разомкнутой цепи и использовать размерности как показано на рисунке выше и визуализировать ее.

obj = traceTee;
obj.Length = [92e-3 18.4e-3];
obj.Width  = [4.6e-3 4.6e-3];
figure;
show(obj);

Используйте pcbComponent преобразовывать форму в стек PCB. pcbComponent создает стек PCB для формы traceTee и присваивает FeedLocations в трех открытых концах формы. Присвойте диэлектрик и groundplane к Layers свойство pcbComponent. Также присвойте BoardShape к grounplane. В текущем проекте заглушка требуется как разомкнутая цепь, следовательно удалите канал в третьем местоположении.

pcb = pcbComponent(obj);
gnd = traceRectangular('Length',92e-3,'Width',90e-3);
d   = dielectric('EpsilonR',2.33);
pcb.BoardThickness = 1.57e-3;
pcb.Layers{2}      = d;
pcb.Layers{3}      = gnd;
pcb.BoardShape     = gnd;
pcb.FeedLocations(3,:)=[];
figure;
show(pcb);

Используйте mesh функционируйте, чтобы вручную поймать в сети структуру и установить MaxEdgeLength к 10 мм.

figure,mesh(pcb,'MaxEdgeLength',10e-3);

Используйте sparameters функция, чтобы вычислить s-параметры структуры и построить его с помощью rfplot функция.

S1 = sparameters(pcb,linspace(1e9,8e9,35));
figure;
rfplot(S1);

Спроектируйте на определенной частоте

Резонанс Заграждающего фильтра зависит от тупиковой длины, которая должна быть длиной волны четверти на резонансной частоте. В вышеупомянутом примере заглушка является длиной волны четверти на уровне 2,9 ГГц и следовательно является резонансом, наблюдается на той частоте. Если резонанс ожидается на частоте затем, тупиковая длина должна быть длиной волны четверти на той частоте.

Ссылки