Memristor

Идеальный мемристор с нелинейной легирующей примесью дрейфует подход

  • Библиотека:
  • Simscape / Библиотека Основы / Электрический / Электрические Элементы

Описание

Этот блок позволяет вам моделировать идеальный мемристор с нелинейным подходом дрейфа легирующей примеси. Поведение мемристора похоже на резистор, за исключением того, что его сопротивление (также названный memristance) является функцией тока, который прошел через устройство. memristance задан двумя состояниями, A и B, с некоторой частью устройства в одном из тех состояний в установленный срок.

Нелинейная модель дрейфа легирующей примеси, [1], описана следующими уравнениями:

V = M · I

M = ξ ·R + (1 – ξ) ·R B

dξdt=IQ0Fp(ξ)

где

  • V является напряжением через мемристор.

  • M является memristance.

  • I является текущим вводом + терминал.

  • R A и R B является сопротивлениями состояний A и B, соответственно.

  • ξ является частью мемристора в состоянии A. Положительный ток от + терминал к - терминал увеличивает ξ. Точно так же положительный ток от - терминал к + терминал уменьшает ξ. Значение ξ ограничено 0 и 1.

  • t время.

  • Q 0 является общим зарядом, требуемым сделать переход мемристора от того, чтобы быть полностью в одном состоянии к тому, чтобы быть полностью в другом состоянии.

  • Fp(ξ) является функцией "окна", которая сохраняет ξ в окне между 1 и 0, и поэтому дает смещение нуля на контурах устройства.

Функция окна

F p (ξ) = 1 – (2ξ – 1) 2p

где p является положительным целым числом. Эта функция изменяется, когда ξ или близко к 0 или близко к 1, чтобы улучшить числовую устойчивость.

Переменные

Чтобы установить приоритет и начальные целевые значения для переменных в блоках до симуляции, используйте вкладку Variables в диалоговом окне блока (или раздел Variables в блоке Property Inspector). Для получения дополнительной информации смотрите Приоритет Набора и Начальную Цель для Переменных в блоках.

Порты

Сохранение

развернуть все

Электрический порт сохранения сопоставил с мемристором положительный терминал.

Электрический порт сохранения сопоставил с мемристором отрицательный терминал.

Параметры

развернуть все

Сопротивление, если целый мемристор находится в состоянии A, то есть, если ξ = 1. Значение должно быть больше 0.

Сопротивление, если целый мемристор находится в состоянии B, то есть, если ξ = 0. Значение должно быть больше 0.

Общий поток заряда, который требуется, чтобы переходить мемристор от того, чтобы быть полностью в одном состоянии к тому, чтобы быть полностью в другом состоянии.

Начальное условие для ξ в начале симуляции. Этот параметр ставит высокоприоритетную цель переменной в блоке. Значение должно быть больше или быть равно 0 и быть меньше чем или равно 1.

Экспонента, p, функции окна, которая сохраняет значение ξ между 0 и 1.

Ссылки

[1] Joglekar, Y. N. и С. Дж. Уолф. "Неуловимый мемристор: свойства основных электрических схем". Европейский Журнал Физики. 30, 2009, стр 661–675.

Расширенные возможности

Генерация кода C/C++
Генерация кода C и C++ с помощью MATLAB® Coder™.

Введенный в R2017b

Для просмотра документации необходимо авторизоваться на сайте