Вычислите рассеянные потери мощности
lossesTable = ee_getPowerLossSummary(node)
Прежде чем вы вызовете эту функцию, у вас должна быть логарифмическая переменная симуляции в вашей текущей рабочей области. Создайте симуляцию, регистрируют переменную путем симуляции модели с регистрацией данных, включенной, или загружают ранее сохраненную переменную из файла. Если node имя логарифмической переменной симуляции, затем таблица содержит данные для всех полупроводниковых блоков в модели. Если node имя узла в дереве данных моделирования, затем таблица содержит данные только для блоков в том узле.
Проверка рассеянной степени полезна для проверки, что элементы схемы действуют в их рабочих конвертах. Все блоки в библиотеке Semiconductor Devices, а также некоторые другие блоки, имеют внутреннюю переменную под названием power_dissipated, который представляет мгновенную степень, рассеянную блоком. Когда вы регистрируете данные моделирования, ряд временной стоимости для этой переменной представляет степень, рассеянную блоком в зависимости от времени. Можно просмотреть и отобразить эти данные на графике с помощью Проводника Результатов Simscape™.
ee_getPowerLossSummary функция вычисляет средние потери для каждого блока, который имеет power_dissipated переменная. Некоторые блоки имеют больше чем один power_dissipated переменная, в зависимости от их настройки. Например, блок N-Channel MOSFET имеет отдельный power_dissipated регистрируя узлы для MOSFET, резистора логического элемента, и для источника и резисторов дренажа, если у них есть ненулевые значения сопротивления. Функция суммирует все эти потери и вводит значение потерь мощности для целого блока, усредненного по времени симуляции.
lossesTable = ee_getPowerLossSummary(node,startTime,endTime)startTime и endTime представляйте начало и конец временного интервала для усреднения потерь мощности. Если вы не используете эти два входных параметра, функциональные средние значения потери мощности по целому времени симуляции.
Можно вычислить средние потери мощности для отдельных компонентов блока в модели.
1. Откройте Двухтактный Понижающий конвертер в Непрерывной модели Режима Проводимости в качестве примера. В командной строке MATLAB® войти
model = 'ee_push_pull_converter_ccm';
open_system(model)
Модели включили регистрацию данных.
2. Добавьте диодный компонент в блоке N-Channel MOSFET 1 с помощью командной строки MATLAB®:
set_param('ee_push_pull_converter_ccm/ N-Channel MOSFET 1','diode_param','2')
В качестве альтернативы можно добавить компонент в Редакторе Simulink®:
a. Откройте панель Property Inspector. В окне модели, в панели меню, нажимают View> Property Inspector
b. Кликните по блоку N-Channel MOSFET1, чтобы получить доступ к параметрам блоков.
c. В панели Property Inspector расширьте установку Integral Diode и измените значение для Интегральной защиты от None к Protection diode with no dynamics.
3. Запустите симуляцию, создайте симуляцию, регистрируют переменную и открывают simlog в Проводнике Результатов Simscape с помощью sscexplore функция.
sim(model) sscexplore(simlog_ee_push_pull_converter_ccm)
4. Просмотрите данные о потерях мощности для двух блоков N-Channel MOSFET, расширьте эти узлы, и CTRL + нажимают power_dissipated узлы:
N_Channel_MOSFET_1 > diode > power_dissipated
N_Channel_MOSFET_1 > mosfet_equation > power_dissipated
N_Channel_MOSFET_2 > mosfet_equation > power_dissipated
Блок N-Channel MOSFET 2 имеет только один power_dissipated переменная. Блок N-Channel MOSFET 1 имеет одну power_dissipated переменную для каждого из этих двух компонентов (MOSFET и диод), который содержит блок.
5. Вычислите потери мощности для обоих компонентов блока N-Channel MOSFET 1 и отобразите результаты в таблице
tabulatedLosses = ee_getPowerLossSummary(simlog_ee_push_pull_converter_ccm.N_Channel_MOSFET_1)
tabulatedLosses =
1x2 table
LoggingNode Power
______________________ ______
{'N_Channel_MOSFET_1'} 2.6075
Таблица показывает объединенные рассеянные потери мощности и для диода и для компонентов MOSFET блока N-Channel MOSFET 1, усредненного по общему времени симуляции.
6. Вычислите потери мощности только для диодного компонента блока NChannel MOSFET 1 и отобразите результаты в таблице.
tabulatedLosses = ee_getPowerLossSummary(simlog_ee_push_pull_converter_ccm.N_Channel_MOSFET_1.diode)
tabulatedLosses =
1x2 table
LoggingNode Power
___________ ______
{'diode'} 2.3669
Таблица показывает рассеянные потери мощности только для диодного компонента блока, усредненного по общему времени симуляции.
Откройте модель Конвертера Солнечной энергии в качестве примера.
ee_solar_converter
Этой модели в качестве примера включили регистрацию данных. Запустите симуляцию, чтобы создать логарифмическую переменную simlog_ee_solar_converter симуляции в вашей текущей рабочей области.
sim('ee_solar_converter');
Вычислите потери мощности для блока MOS1.
mosfetLosses = ee_getPowerLossSummary(simlog_ee_solar_converter.MOS1)
mosfetLosses =
1x2 table
LoggingNode Power
___________ ______
{'MOS1'} 14.715
Таблица показывает рассеянные потери мощности для блока MOS1, усредненного по целому времени симуляции.
Используйте sscexplore функционируйте, чтобы далее исследовать данные о потерях мощности для блока MOSFET и в проводнике результатов, расширить mos> power_dissipated узлы.
sscexplore(simlog_ee_solar_converter.MOS1, 'mos.power_dissipated')
Блок имеет несколько power_dissipated логгирование узлов: под drain_resistor, под gate_resistor, под mos, и под source_resistor. Значение Степени вычисляется ee_getPowerLossSummary функция является суммой всех этих потерь, усредненных по времени симуляции.
ee_getEfficiency | ee_getPowerLossTimeSeries | sscexplore