Ideal Semiconductor Switch

Идеальный полупроводниковый переключатель

Библиотека:
Simscape / Электрический / Semiconductors & Converters

Описание

Блок Ideal Semiconductor Switch моделирует идеальное полупроводниковое устройство переключения.

Рисунок показывает типичный i-v characteristic для идеального полупроводникового переключателя.

Если напряжение катода логического элемента превышает заданное пороговое напряжение, идеальный полупроводниковый переключатель находится в на состоянии. В противном случае устройство находится в от состояния.

В на состоянии, путь анодного катода ведет себя как линейный резистор с _Ron на сопротивлении.

В от состояния, путь анодного катода ведет себя как линейный резистор с низкой проводимостью несостояния _Goff.

Используя параметры Integral Diode, можно включать интегральный анодный катодом диод. Интегральный диод защищает полупроводниковое устройство путем обеспечения пути к проводимости для противоположного тока. Индуктивная нагрузка может произвести высокий скачок противоположного напряжения, когда полупроводниковое устройство внезапно выключает предоставление напряжения к загрузке.

Таблица показывает вас, как установить параметр Integral protection diode на основе ваших целей.

Цель	Значение, чтобы выбрать	Блокируйте поведение
Приоритизируйте скорость симуляции.	`Protection diode with no dynamics`	Блок включает интегральную копию блока Diode. Чтобы параметрировать внутренний блок Diode, используйте параметры Protection.
Точно задайте динамику заряда реверсного режима.	`Protection diode with charge dynamics`	Блок включает интегральную копию динамической модели блока Diode. Чтобы параметрировать внутренний блок Diode, используйте параметры Protection.

Порты

Этот рисунок показывает имена порта блока.

Сохранение

развернуть все

`G` — Вывод затвора
электрический

Порт сопоставлен с выводом затвора. Можно установить порт или на физический сигнал или на электрический порт.

`A` — Анодный терминал
электрический

Электрический порт сохранения сопоставлен с анодным терминалом.

`K` — Терминал катода
электрический

Электрический порт сохранения сопоставлен с терминалом катода.

Параметры

развернуть все

Основной

`On-state resistance` — Сопротивление на состоянии
0.001 `Ohm` (значение по умолчанию)

Сопротивление анодного катода, когда устройство работает.

`Off-state conductance` — Проводимость несостояния
`1e-6` `1/Ohm` (значение по умолчанию)

Проводимость анодного катода, когда устройство выключено. Значение должно быть меньше 1/R, где R является значением On-state resistance.

`Threshold voltage, Vth` — Пороговое напряжение
0.5 `V` (значение по умолчанию)

Порог напряжения катода логического элемента. Устройство включает, когда напряжение катода логического элемента выше этого значения.

Интегральный диод

`Integral protection diode` — Интегральный защитный диод
`None` (значение по умолчанию) | `Protection diode with no dynamics` | `Protection diode with charge dynamics`

Задайте, включает ли блок интегральный защитный диод. Значением по умолчанию является None.

Если вы хотите включать интегральный защитный диод, существует две опции:

Protection diode with no dynamics
Protection diode with charge dynamics

`Forward voltage` — Передайте напряжение
0.8 `V` (значение по умолчанию)

Минимальное напряжение требуется через + и - блокируйте порты для градиента диода характеристика I-V, чтобы быть _1/Ron, где _Рон является значением On resistance.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда параметр Integral protection diode устанавливается на Protection diode with no dynamics или Protection diode with charge dynamics.

`On resistance` — На сопротивлении
0.001 `Ohm` (значение по умолчанию)

Скорость изменения напряжения по сравнению с током выше Forward voltage.

Зависимости

`Off conductance` — От проводимости
`1e-5` `1/Ohm` (значение по умолчанию)

Проводимость обратно-смещенного диода.

Зависимости

`Junction capacitance` — Емкость перехода
`50e-9` `F` (значение по умолчанию)

Диодная емкость перехода.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда параметр Integral protection diode устанавливается на Protection diode with charge dynamics.

`Initial forward current when measuring iRM` — Начальная буква, вперед текущая при измерении iRM
300 `A` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

Начальная буква, вперед текущая при измерении пикового противоположного тока. Это значение должно быть больше нуля.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда параметр Integral protection diode устанавливается на Protection diode with charge dynamics.

`Rate of change of current when measuring iRM` — Скорость изменения тока при измерении iRM
-50 `A/μs` (значение по умолчанию) | отрицательный скаляр

Скорость изменения тока при измерении пикового противоположного тока. Это значение должно быть меньше нуля.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда параметр Integral protection diode устанавливается на Protection diode with charge dynamics.

`Reverse recovery time parameterization` — Противоположная параметризация времени восстановления
`Specify reverse recovery time directly` (значение по умолчанию) | `Specify stretch factor` | `Specify reverse recovery charge`

Определяет, как вы задаете противоположное время восстановления в блоке. Значением по умолчанию является Specify reverse recovery time directly.

Если вы выбираете Specify stretch factor или Specify reverse recovery charge, вы задаете значение что использование блока, чтобы вывести противоположное время восстановления. Для получения дополнительной информации об этих опциях смотрите, Как Блок Вычисляет TM и Tau.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда параметр Integral protection diode устанавливается на Protection diode with charge dynamics.

`Reverse recovery time, trr` — Противоположное время восстановления
15 `μs` (значение по умолчанию)

Интервал между временем, когда ток первоначально переходит к нулю (когда диод выключает), и время, когда текущие падения меньше чем к 10% пикового противоположного тока. Значение параметра Reverse recovery time, trr должно быть больше значения параметра Peak reverse current, iRM, разделенного на значение параметра Rate of change of current when measuring iRM.

Зависимости

Этот параметр отображается только, когда параметр Integral protection diode устанавливается на Protection diode with charge dynamics и параметр Reverse recovery time parameterization устанавливается на Specify reverse recovery time directly.

`Reverse recovery time stretch factor` — Противоположное время восстановления расширяет фактор
3 (значение по умолчанию)

Значение, что использование блока, чтобы вычислить Reverse recovery time, trr. Это значение должно быть больше 1. Определение фактора фрагмента является более легким способом параметрировать противоположное время восстановления, чем определение противоположного обратного заряда. Чем больше значение фактора фрагмента, тем дольше это берет для противоположного восстановления, текущего, чтобы рассеяться.

Зависимости

`Reverse recovery charge, Qrr` — Противоположный обратный заряд
1500 `μAs` (значение по умолчанию)

Значение, что использование блока, чтобы вычислить Reverse recovery time, trr. Используйте этот параметр, если таблица данных для вашего диодного устройства задает значение для противоположного обратного заряда вместо значения в течение противоположного времени восстановления.

Противоположный обратный заряд является общим зарядом, который продолжает рассеиваться, когда диод выключает. Значение должно быть меньше $- \frac{i^{2}_{R M}}{2 a},$

где:

_iRM является значением, заданным для Peak reverse current, iRM.
a является значением, заданным для Rate of change of current when measuring iRM.

Зависимости

Для получения дополнительной информации об этих параметрах смотрите Diode.

Расширенные возможности

Генерация кода C/C++
Генерация кода C и C++ с помощью Simulink® Coder™.

Темы

Переключитесь между физическим сигналом и электрическими портами

Документация

Ideal Semiconductor Switch

Описание

Порты

Сохранение

G — Вывод затвора электрический

A — Анодный терминал электрический

K — Терминал катода электрический

Параметры

Основной

On-state resistance — Сопротивление на состоянии0.001 Ohm (значение по умолчанию)

Off-state conductance — Проводимость несостояния 1e-6 1/Ohm (значение по умолчанию)

Threshold voltage, Vth — Пороговое напряжение0.5 V (значение по умолчанию)

Интегральный диод

Integral protection diode — Интегральный защитный диод None (значение по умолчанию) | Protection diode with no dynamics | Protection diode with charge dynamics

Forward voltage — Передайте напряжение0.8 V (значение по умолчанию)

Зависимости

On resistance — На сопротивлении0.001 Ohm (значение по умолчанию)

Зависимости

Off conductance — От проводимости 1e-5 1/Ohm (значение по умолчанию)

Зависимости

Junction capacitance — Емкость перехода 50e-9 F (значение по умолчанию)

Зависимости

Initial forward current when measuring iRM — Начальная буква, вперед текущая при измерении iRM300 A (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

Зависимости

Rate of change of current when measuring iRM — Скорость изменения тока при измерении iRM-50 A/μs (значение по умолчанию) | отрицательный скаляр

Зависимости

Reverse recovery time parameterization — Противоположная параметризация времени восстановления Specify reverse recovery time directly (значение по умолчанию) | Specify stretch factor | Specify reverse recovery charge

Зависимости

Reverse recovery time, trr — Противоположное время восстановления15 μs (значение по умолчанию)

Зависимости

Reverse recovery time stretch factor — Противоположное время восстановления расширяет фактор3 (значение по умолчанию)

Зависимости

Reverse recovery charge, Qrr — Противоположный обратный заряд1500 μAs (значение по умолчанию)

Зависимости

Расширенные возможности

Генерация кода C/C++ Генерация кода C и C++ с помощью Simulink® Coder™.

Смотрите также

Темы

Введенный в R2013b

Документация Simscape Electrical

Поддержка

`G` — Вывод затвора
электрический

`A` — Анодный терминал
электрический

`K` — Терминал катода
электрический

`On-state resistance` — Сопротивление на состоянии
0.001 `Ohm` (значение по умолчанию)

`Off-state conductance` — Проводимость несостояния
`1e-6` `1/Ohm` (значение по умолчанию)

`Threshold voltage, Vth` — Пороговое напряжение
0.5 `V` (значение по умолчанию)

`Integral protection diode` — Интегральный защитный диод
`None` (значение по умолчанию) | `Protection diode with no dynamics` | `Protection diode with charge dynamics`

`Forward voltage` — Передайте напряжение
0.8 `V` (значение по умолчанию)

`On resistance` — На сопротивлении
0.001 `Ohm` (значение по умолчанию)

`Off conductance` — От проводимости
`1e-5` `1/Ohm` (значение по умолчанию)

`Junction capacitance` — Емкость перехода
`50e-9` `F` (значение по умолчанию)

`Initial forward current when measuring iRM` — Начальная буква, вперед текущая при измерении iRM
300 `A` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

`Rate of change of current when measuring iRM` — Скорость изменения тока при измерении iRM
-50 `A/μs` (значение по умолчанию) | отрицательный скаляр

`Reverse recovery time parameterization` — Противоположная параметризация времени восстановления
`Specify reverse recovery time directly` (значение по умолчанию) | `Specify stretch factor` | `Specify reverse recovery charge`

`Reverse recovery time, trr` — Противоположное время восстановления
15 `μs` (значение по умолчанию)

`Reverse recovery time stretch factor` — Противоположное время восстановления расширяет фактор
3 (значение по умолчанию)

`Reverse recovery charge, Qrr` — Противоположный обратный заряд
1500 `μAs` (значение по умолчанию)

Генерация кода C/C++
Генерация кода C и C++ с помощью Simulink® Coder™.