SPICE NIGBT

Совместимый со SPICE биполярный транзистор изолированного затвора N-канала

Библиотека:
Simscape / Электрический / Дополнительные Компоненты / Полупроводники SPICE

Описание

Блок SPICE NIGBT моделирует биполярный транзистор изолированного затвора (IGBT) n-типа SPICE.

SPICE или Программа Симуляции с Акцентом Интегральной схемы, является инструментом симуляции для электронных схем. Можно преобразовать некоторые подсхемы SPICE в эквивалентные модели Simscape™ Electrical™ с помощью блока Environment Parameters и совместимых со SPICE блоков из библиотеки Additional Components. Для получения дополнительной информации смотрите subcircuit2ssc.

Этот рисунок показывает эквивалентную схему для блока SPICE NIGBT:

Уравнения

Переменные для уравнений блока SPICE NIGBT включают:

Переменные, которые вы задаете путем определения параметров для блока SPICE NIGBT.
Температура, T, который является 300.15 K по умолчанию. Можно использовать различное значение путем определения параметров для блока SPICE NIGBT или путем определения параметров и для блока SPICE NIGBT и для блока Environment Parameters. Для получения дополнительной информации смотрите Транзисторную Температуру.

Текущий канал MOSFET

Эта таблица показывает уравнения, которые задают отношение между текущим каналом MOSFET, _Imos, и напряжением источника логического элемента, _Vgs.

Применимая область значений значений _Vgs	Соответствующее уравнение _Imos
$V_{g s} < V T$	$I_{m o s} = G M I N * V_{d s} * S C A L E$
$V_{d s} \leq \frac{V_{g s} - V T}{K F}$	$I_{m o s} = S C A L E * (\frac{K F * K P [(V_{g s} - V T) V_{d s} - \frac{K F * V_{d s}^{2}}{2}]}{1 + T H E T A * (V_{g s} - V T)} + G M I N * V_{d s})$
$V_{d s} > \frac{(V_{g s} - V T)}{K F}$	$I_{m o s} = S C A L E * (\frac{K P {(V_{g s} - V T)}^{2}}{2 [1 + T H E T A * (V_{g s} - V T)]} + G M I N * V_{d s})$

В этих уравнениях:

_Vds является напряжением источника дренажа.
VT является пороговым напряжением.
KF является фактором области триода.
KP является активной межэлектродной проводимостью МОП-транзистора.
THETA является поперечным полевым фактором.

Биполярный установившийся ток коллектора

Эта таблица показывает уравнения, которые задают отношение между установившимся током коллектора, _Icss, и эмиттерно-основной емкостью, _Qeb.

Применимая область значений значений _Qeb	Соответствующее уравнение _Icss
$Q_{e b} < 0$	$I_{c s s} = 0$
$Q_{e b} \geq 0$	$I_{c s s} = [(\frac{1}{1 + b}) I_{T} + (\frac{b}{1 + b}) (\frac{4 D_{p}}{W^{2}}) Q_{e b}] * S C A L E$

В этих уравнениях:

$b = \frac{M U N}{M U P}$ амбиполярное отношение мобильности.
$D_{p} = \frac{K_{B} T}{q} * M U P$ коэффициент диффузии для отверстий.
$W = W B - W_{b c j}$ квазинейтральная ширина базы, где:
- WB является металлургической шириной базы.
- $W_{b c j} = \sqrt{2 ε_{s i} \frac{V_{b c} + V_{b i}}{q * N B}}$ ширина истощения основного коллектора.
- _Vbc является напряжением основного коллектора.
- _Vbi является сборкой - в напряжении, и это равно 0.6 V

Биполярный установившийся основной ток

Эта таблица показывает уравнения, которые задают отношение между установившимся основным током, _Ibss, и эмиттерно-основной емкостью, _Qeb.

Применимая область значений значений _Qeb	Соответствующее уравнение _Ibss
$Q_{e b} < 0$	$I_{b s s} = 0$
$Q_{e b} \geq 0$	$I_{b s s} = \frac{Q_{e b}}{T A U} + {(\frac{Q_{e b}}{Q_{B}})}^{2} (\frac{4 * N B^{2}}{n i^{2}}) J S N E * A R E A * S C A L E$

В этих уравнениях:

TAU является амбиполярным recombination временем жизни.
JSNE является эмиттерной плотностью тока насыщения.
ni является внутренней концентрацией поставщика услуг. В 300 K это равно ^1.45*1010 ^1/cm3.
$Q_{B} = q W N_{B} * A R E A$ фоновый заряд базы оператора мобильной связи, где:
- _NB является основным легированием.
- AREA является областью устройства.

Биполярное Эмиттерное Базовое напряжение

Эта таблица показывает уравнения, которые задают отношение между эмиттерным базовым напряжением, _Veb, и эмиттерно-основной емкостью, _Qeb.

Применимая область значений значений _Qeb	Соответствующее уравнение _Veb
$Q_{e b} < 0$	$V_{e b} = V_{e b j}$
$Q_{b i} > Q_{e b} \geq 0$	$V_{e b m i n} = \min (V_{e b j}, V_{e b d})$
$Q_{e b} > Q_{b i}$	$V_{e b} = V_{e b d}$

В этих уравнениях:

$V_{e b j} = V_{b i} - \frac{{(Q_{e b} - Q_{b i})}^{2}}{2 q N B ε_{s i} A^{2}}$ эмиттерно-основное напряжение истощения.
_Vbi является сборкой - в напряжении.
$Q_{b i} = A R E A * \sqrt{2 ε_{s i} q N B * V_{b i}}$ сборка перехода эмиттер-база - в напряжении.
$V_{e b d} = \frac{k T}{q} \ln [(\frac{P_{0}}{n i^{2}} + \frac{1}{N B}) (N B + P_{0})] - \frac{D_{C}}{μ_{n c}} \ln \frac{P_{0} + N B}{N B}$ эмиттерно-основное напряжение диффузии.

Анодный ток

Анодный ток получен из этого уравнения:

$I_{T} = \frac{V_{a e}}{R_{b}} * S C A L E,$

где:

_Vae является приложенным анодно-эмиттерным напряжением.
_Rb является модулируемым проводимостью основным сопротивлением.

Эта таблица показывает уравнения, которые задают отношение между модулируемым проводимостью основным сопротивлением, _Rb, и эмиттерно-основной емкостью, _Qeb.

Применимая область значений значений _Qeb	Соответствующее уравнение _Rb
$Q_{e b} < 0$	$R_{b} = \frac{W}{q * M U N * A R E A * N B}$
$Q_{e b} \geq 0$	$R_{b} = \frac{W}{q * μ_{e f f} * A R E A * n_{e f f}}$

В этих уравнениях:

_μeff является эффективной мобильностью поставщика услуг.
_neff является эффективной базовой концентрацией легирования.
MUN является электронной мобильностью.

_μeff и _neff получены с помощью этих уравнений:

$\begin{array}{l} μ_{n c} = \frac{1}{(\frac{1}{μ_{n}} + \frac{1}{μ_{c}})} \\ μ_{p c} = \frac{1}{(\frac{1}{μ_{p}} + \frac{1}{μ_{c}})} \\ μ_{e f f} = μ_{n c} + \frac{μ_{p c} Q_{e b}}{(Q_{e b} + Q_{B})} \\ D_{c} = 2 \frac{k T}{q} \frac{μ_{n c} μ_{p c}}{μ_{n c} + μ_{p c}} \\ L = \sqrt{D_{c} * T A U} \\ P_{0} = \frac{Q}{q * A R E A * L \tanh \frac{W}{2 L}} \\ n_{e f f} = \frac{\frac{W}{2 L} \sqrt{N_{B}^{2} + P_{0}^{2} c s c h (\frac{W}{L})}}{a r c t a n h [\frac{\sqrt{N_{B}^{2} + P_{0}^{2} c s c h (\frac{W}{L})} \tanh (\frac{W}{2 L})}{N_{B} + P_{0} c s c h (\frac{W}{L}) \tanh (\frac{W}{2 L})}]} \\ {\bar{δ}}_{p} = \frac{P_{0} \sinh (\frac{W}{2 L})}{\sinh (\frac{W}{L})} \end{array}$

где:

_μnc является электронным поставщиком услуг, рассеивающим мобильность.
_μpc является поставщиком услуг отверстия, рассеивающим мобильность.
_Dc является поставщиком услуг-поставщиком услуг, рассеивающим диффузивность.
L является амбиполярной продолжительностью диффузии.
_P0 является концентрацией поставщика услуг в конце эмиттера основы.
$\bar{δ_{p}}$ средняя концентрация поставщика услуг в основе.

Сформируйте лавину текущего умножения

Лавинное текущее умножение получено из этого уравнения:

$I_{m u l t} = (M - 1) (I_{m o s} + I_{c s s} + I_{c c e r}) + M * I_{g e n},$

где:

$I_{g e n} = \frac{S C A L E}{T A U} q n_{i} A R E A \sqrt{2 ε_{s i} \frac{V_{b c}}{q N_{B}}}$ основа коллектора тепло сгенерированный ток.
_Icss является установившимся током коллектора.
_Imos является текущим каналом MOSFET.
_Iccer является эмиттерным коллектором текущим перераспределением.

Это уравнение задает отношение между напряжением основного коллектора, _Vbc, и лавинным коэффициентом умножения, M:

$M = \frac{1}{1 - {(\frac{V_{b c}}{B V_{c b o}})}^{B V N}},$

где:

$B V_{c b o} = B V F * 5.34 e 13 * N B^{- 0.75}$ открыто-основное эмиттерное коллектором напряжение пробоя.
BVF является лавинным фактором однородности.
BVN является лавинной экспонентой умножения.

Модель емкости

Емкость затвор-исток получена из этого уравнения:

$Q_{g s} = C G S * V_{g s} * S C A L E .$

Емкость сток-исток получена из этого уравнения:

$Q_{d s} = q (A R E A - A G D) * N B * W_{d s j} * S C A L E,$

где _{Wdsj = Wbcj} является шириной истощения источника дренажа.

Эта таблица показывает уравнения, которые задают отношение между емкостью затвор-сток, _Qdg, и напряжением затвора дренажа, _Vdg

Применимая область значений значений _Vdg	Соответствующее уравнение _Qdg
$V_{d g} + V T D \leq 0$	$Q_{d g} = C_{g d o} * V_{d g} * S C A L E$
$V_{d g} + V T D > 0$	$Q_{d g} = [\frac{q N B ε_{s i} A G D}{C O X D} (\frac{C O X D * W_{d g j}}{ε_{s i}} \log (1 + \frac{C O X D * W_{d g j}}{ε_{s i}})) - C_{g d o} * V T D] * S C A L E$

В этих уравнениях:

$C_{g d o} = C O X D * A G D$ окисная емкость перекрытия дренажа логического элемента.
_Vdg является напряжением затвора дренажа.
_εsi является проницаемостью кремния.
$W_{d g j} = \sqrt{2 ε_{s i} \frac{(V_{d g} + V T D)}{q N B}}$ ширина истощения перекрытия логического элемента дренажа.
VTD является Gate-drain overlap depletion threshold, VTD.
COXD является Gate-drain oxide capacitance per unit area, COXD.
AGD является Gate-drain overlap area, AGD.
NB является Base doping, NB.

Это уравнение показывает отношение между эмиттерным коллектором текущим перераспределением, _Iccer, и эмиттерной коллектором емкостью перераспределения, _Ccer:

$I_{c c e r} = C_{c e r} * \frac{d V_{e c}}{d t} * S C A L E,$

где _Vec является напряжением эмиттерного коллектора.

Эта таблица показывает уравнения, которые задают отношение между эмиттерной коллектором емкостью перераспределения, _Ccer, и эмиттерно-основной емкостью, _Qeb.

Применимая область значений значений _Qeb	Соответствующее уравнение _Ccer
$Q_{e b} > 0$	$C_{c e r} = \frac{Q_{e b} C_{b c j}}{3 Q_{B}} + C_{m i n} * A R E A$
$Q_{e b} \leq 0$	$C_{c e r} = C_{m i n} A R E A$

В этих уравнениях:

_Cbcj является емкостью истощения основного коллектора.
$Q_{B} = q W N_{B} * A R E A$ фоновый заряд базы оператора мобильной связи.

Неявный эмиттерно-основной конденсаторный ток получен из этого уравнения:

$I_{q e b} = \frac{d Q_{e b}}{d t} * S C A L E .$

Транзисторная температура

Можно использовать эти опции, чтобы задать транзисторную температуру, T:

Фиксированная температура — блок использует температуру, которая независима от температуры схемы, когда параметр Model temperature dependence using в настройках Temperature блока SPICE NIGBT устанавливается на Fixed temperature. Для этой модели блок устанавливает T, равный TFIXED.
Температура устройства — блок использует температуру, которая зависит от температуры схемы, когда параметр Model temperature dependence using в настройках Temperature блока SPICE NIGBT устанавливается на Device temperature. Для этой модели блок задает температуру как

$T = T_{C} + T O F F S E T$
где:
- _TC является температурой схемы.
  Если нет блока Environment Parameters в схеме, _TC равен 300.15 K.
  Если существует блок Environment Parameters в схеме, _TC равен значению, которое вы задаете для параметра Temperature в настройках SPICE блока Environment Parameters. Значением по умолчанию для параметра Temperature является 300.15 K.
- TOFFSET является смещением локальная температура схемы.

Порты

Обратитесь к фигуре для местоположений порта.

Сохранение

развернуть все

`gx` — Вывод затвора
электрический

Электрический порт сохранения сопоставлен с выводом затвора IGBT.

`cx` — Терминал коллектора
электрический

Электрический порт сохранения сопоставлен с терминалом коллектора IGBT.

`ex` — Эмиттерный терминал
электрический

Электрический порт сохранения сопоставлен с эмиттерным терминалом IGBT.

Параметры

развернуть все

Размерности

`Gate-drain overlap area, AGD` — Область перекрытия дренажа логического элемента
`5.0e-6` `m^2` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

Область перекрытия дренажа логического элемента. Значение должно быть больше 0.

`Area of the device, AREA` — Область Device
`1.0e-5` `m^2` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

Область устройства. Значение должно быть больше 0.

`Number of parallel devices, SCALE` — Количество параллельных устройств
1 (значение по умолчанию) | положительное целое число

Количество параллельных транзисторов блок представляет. Значение должно быть целым числом, больше, чем 0.

Общий

`Electron mobility, MUN` — Мобильность электрона
`1.5e3` `cm^2/s/V` (значение по умолчанию) | скаляр

Мобильность электронов.

`Hole mobility, MUP` — Мобильность отверстия
`4.5e2` `cm^2/s/V` (значение по умолчанию) | скаляр

Мобильность отверстия.

`Base doping, NB` — Легирование основы
`2e14` `1/cm^3` (значение по умолчанию) | скаляр

Легирование основы.

МОП-транзистор

`Triode region factor, KF` — Фактор области триода
1 (значение по умолчанию)

Фактор области триода.

`MOS transconductance, KP` — Активная межэлектродная проводимость MOS
0.38 `A/V^2` (значение по умолчанию) | скаляр

Производная дренажа, текущего относительно напряжения затвора. Значение должно быть больше или быть равно 0

`Threshold voltage, VT` — Пороговое напряжение
4.7 `V` (значение по умолчанию) | скаляр

Пороговое напряжение.

`Transverse field factor, THETA` — Поперечный полевой фактор
0.02 `1/V` (значение по умолчанию) | скаляр

Поперечный полевой фактор.

БИПОЛЯРНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ ТРАНЗИСТОР

`Ambipolar recombination lifetime, TAU` — Амбиполярное recombination время жизни
`7.1e-6` `s` (значение по умолчанию) | скаляр

Амбиполярное recombination время жизни.

`Metallurgical base width, WB` — Ширина металлургической основы
`9.0e-5` `m` (значение по умолчанию) | скаляр

Ширина металлургической основы.

`Emitter saturation current density, JSNE` — Плотность эмиттерного текущего насыщения
`6.5e-13` `A/cm^2` (значение по умолчанию) | скаляр

Плотность эмиттерного текущего насыщения.

`Avalanche uniformity factor, BVF` — Сформируйте лавину фактора однородности
1 (значение по умолчанию) | скаляр

Сформируйте лавину фактора однородности.

`Avalanche multiplication exponent, BVN` — Сформируйте лавину экспоненты умножения
4 (значение по умолчанию) | скаляр

Сформируйте лавину экспоненты умножения.

Емкость

`Gate-source capacitance per unit area, CGS` — Емкость затвор-исток на единичную площадь
`1.24e-8` `F/cm^2` (значение по умолчанию) | скаляр

Емкость затвор-исток на единичную площадь.

`Gate-drain oxide capacitance per unit area, COXD` — Область емкости на единицу длины окиси дренажа логического элемента
`3.5e-8` `F/cm^2` (значение по умолчанию) | скаляр

Область емкости на единицу длины окиси дренажа логического элемента.

`Gate-drain overlap depletion threshold, VTD` — Порог истощения перекрытия дренажа логического элемента
`1e-3` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

Порог истощения перекрытия дренажа логического элемента.

`Specify initial condition` — Задать ли начальное условие
`No` (значение по умолчанию) | `Yes`

Задать ли начальное условие.

`Initial condition voltage ICVGE` — Начальное напряжение условия ICVGE
0 `V` (значение по умолчанию) | скаляр

Начальное напряжение условия ICVGE.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите Specify initial condition на Yes.

`Initial condition voltage ICVCE` — Начальное напряжение условия ICVCE
0 `V` (значение по умолчанию) | скаляр

Начальное напряжение условия ICVCE.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите Specify initial condition на Yes.

Температура

`Model temperature dependence using` — Температурная модель зависимости
`Device temperature` (значение по умолчанию) | `Fixed temperature`

Опции для моделирования транзисторной зависимости температуры:

Device temperature — Используйте температуру устройства для температурной зависимости модели.
Fixed temperature — Используйте температуру, которая независима от температуры схемы к температурной зависимости модели.

Для получения дополнительной информации смотрите Температурную Зависимость.

`Fixed circuit temperature, TFIXED` — Фиксированная температура схемы
300.15 `K` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

Транзисторная температура симуляции. Значение должно быть больше 0 K.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите Model temperature dependence using на Fixed temperature.

`Parameter extraction temperature, TMEAS` — Температура экстракции параметра
300.15 `K` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

Температура, при которой измеряются параметры транзистора. Значение должно быть больше 0 K.

`Offset local circuit temperature, TOFFSET` — Локальное смещение температуры схемы
0 `K` (значение по умолчанию) | скаляр

Сумма, которой транзисторная температура отличается от температуры схемы.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите Model temperature dependence using на Device temperature.

Ссылки

[1] Hefner, A.R. и Diebolt, D.M. Экспериментально проверенная модель IGBT реализована в средстве моделирования схемы Сабли. Транзакции IEEE на Силовой электронике 9, № 5 (сентябрь 1994): 532-42. https://doi.org/10.1109/63.321038.

[2] Hefner, A.R., Полупроводниковая технология измерения младшая: INSTANT - Симуляция Сети IGBT и Инструмент Анализа переходных процессов. Американский Отдел администрации Коммерции/Технологии, Национального института стандартов и технологий. 1992.

Документация

SPICE NIGBT

Описание

Уравнения

Текущий канал MOSFET

Биполярный установившийся ток коллектора

Биполярный установившийся основной ток

Биполярное Эмиттерное Базовое напряжение

Анодный ток

Сформируйте лавину текущего умножения

Модель емкости

Транзисторная температура

Порты

Сохранение

gx — Вывод затвора электрический

cx — Терминал коллектора электрический

ex — Эмиттерный терминал электрический

Параметры

Размерности

Gate-drain overlap area, AGD — Область перекрытия дренажа логического элемента 5.0e-6 m^2 (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

Area of the device, AREA — Область Device 1.0e-5 m^2 (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

Number of parallel devices, SCALE — Количество параллельных устройств1 (значение по умолчанию) | положительное целое число

Общий

Electron mobility, MUN — Мобильность электрона 1.5e3 cm^2/s/V (значение по умолчанию) | скаляр

Hole mobility, MUP — Мобильность отверстия 4.5e2 cm^2/s/V (значение по умолчанию) | скаляр

Base doping, NB — Легирование основы 2e14 1/cm^3 (значение по умолчанию) | скаляр

МОП-транзистор

Triode region factor, KF — Фактор области триода1 (значение по умолчанию)

MOS transconductance, KP — Активная межэлектродная проводимость MOS0.38 A/V^2 (значение по умолчанию) | скаляр

Threshold voltage, VT — Пороговое напряжение4.7 V (значение по умолчанию) | скаляр

Transverse field factor, THETA — Поперечный полевой фактор0.02 1/V (значение по умолчанию) | скаляр

БИПОЛЯРНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ ТРАНЗИСТОР

Ambipolar recombination lifetime, TAU — Амбиполярное recombination время жизни 7.1e-6 s (значение по умолчанию) | скаляр

Metallurgical base width, WB — Ширина металлургической основы 9.0e-5 m (значение по умолчанию) | скаляр

Emitter saturation current density, JSNE — Плотность эмиттерного текущего насыщения 6.5e-13 A/cm^2 (значение по умолчанию) | скаляр

Avalanche uniformity factor, BVF — Сформируйте лавину фактора однородности1 (значение по умолчанию) | скаляр

Avalanche multiplication exponent, BVN — Сформируйте лавину экспоненты умножения4 (значение по умолчанию) | скаляр

Емкость

Gate-source capacitance per unit area, CGS — Емкость затвор-исток на единичную площадь 1.24e-8 F/cm^2 (значение по умолчанию) | скаляр

Gate-drain oxide capacitance per unit area, COXD — Область емкости на единицу длины окиси дренажа логического элемента 3.5e-8 F/cm^2 (значение по умолчанию) | скаляр

Gate-drain overlap depletion threshold, VTD — Порог истощения перекрытия дренажа логического элемента 1e-3 V (значение по умолчанию) | скаляр

Specify initial condition — Задать ли начальное условие No (значение по умолчанию) | Yes

Initial condition voltage ICVGE — Начальное напряжение условия ICVGE0 V (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Initial condition voltage ICVCE — Начальное напряжение условия ICVCE0 V (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Температура

Model temperature dependence using — Температурная модель зависимости Device temperature (значение по умолчанию) | Fixed temperature

Fixed circuit temperature, TFIXED — Фиксированная температура схемы300.15 K (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

Зависимости

Parameter extraction temperature, TMEAS — Температура экстракции параметра300.15 K (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

Offset local circuit temperature, TOFFSET — Локальное смещение температуры схемы0 K (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Ссылки

Расширенные возможности

Генерация кода C/C++ Генерация кода C и C++ с помощью Simulink® Coder™.

Смотрите также

Блоки Simscape

Функции

Темы

Введенный в R2020a

Документация Simscape Electrical

Поддержка

`gx` — Вывод затвора
электрический

`cx` — Терминал коллектора
электрический

`ex` — Эмиттерный терминал
электрический

`Gate-drain overlap area, AGD` — Область перекрытия дренажа логического элемента
`5.0e-6` `m^2` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

`Area of the device, AREA` — Область Device
`1.0e-5` `m^2` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

`Number of parallel devices, SCALE` — Количество параллельных устройств
1 (значение по умолчанию) | положительное целое число

`Electron mobility, MUN` — Мобильность электрона
`1.5e3` `cm^2/s/V` (значение по умолчанию) | скаляр

`Hole mobility, MUP` — Мобильность отверстия
`4.5e2` `cm^2/s/V` (значение по умолчанию) | скаляр

`Base doping, NB` — Легирование основы
`2e14` `1/cm^3` (значение по умолчанию) | скаляр

`Triode region factor, KF` — Фактор области триода
1 (значение по умолчанию)

`MOS transconductance, KP` — Активная межэлектродная проводимость MOS
0.38 `A/V^2` (значение по умолчанию) | скаляр

`Threshold voltage, VT` — Пороговое напряжение
4.7 `V` (значение по умолчанию) | скаляр

`Transverse field factor, THETA` — Поперечный полевой фактор
0.02 `1/V` (значение по умолчанию) | скаляр

`Ambipolar recombination lifetime, TAU` — Амбиполярное recombination время жизни
`7.1e-6` `s` (значение по умолчанию) | скаляр

`Metallurgical base width, WB` — Ширина металлургической основы
`9.0e-5` `m` (значение по умолчанию) | скаляр

`Emitter saturation current density, JSNE` — Плотность эмиттерного текущего насыщения
`6.5e-13` `A/cm^2` (значение по умолчанию) | скаляр

`Avalanche uniformity factor, BVF` — Сформируйте лавину фактора однородности
1 (значение по умолчанию) | скаляр

`Avalanche multiplication exponent, BVN` — Сформируйте лавину экспоненты умножения
4 (значение по умолчанию) | скаляр

`Gate-source capacitance per unit area, CGS` — Емкость затвор-исток на единичную площадь
`1.24e-8` `F/cm^2` (значение по умолчанию) | скаляр

`Gate-drain oxide capacitance per unit area, COXD` — Область емкости на единицу длины окиси дренажа логического элемента
`3.5e-8` `F/cm^2` (значение по умолчанию) | скаляр

`Gate-drain overlap depletion threshold, VTD` — Порог истощения перекрытия дренажа логического элемента
`1e-3` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

`Specify initial condition` — Задать ли начальное условие
`No` (значение по умолчанию) | `Yes`

`Initial condition voltage ICVGE` — Начальное напряжение условия ICVGE
0 `V` (значение по умолчанию) | скаляр

`Initial condition voltage ICVCE` — Начальное напряжение условия ICVCE
0 `V` (значение по умолчанию) | скаляр

`Model temperature dependence using` — Температурная модель зависимости
`Device temperature` (значение по умолчанию) | `Fixed temperature`

`Fixed circuit temperature, TFIXED` — Фиксированная температура схемы
300.15 `K` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

`Parameter extraction temperature, TMEAS` — Температура экстракции параметра
300.15 `K` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

`Offset local circuit temperature, TOFFSET` — Локальное смещение температуры схемы
0 `K` (значение по умолчанию) | скаляр

Генерация кода C/C++
Генерация кода C и C++ с помощью Simulink® Coder™.