Модель Implement MOSFET
Simscape / Электрический / Специализированные Энергосистемы / Силовая электроника
Полевой транзистор металлооксидного полупроводника (MOSFET) является полупроводниковым устройством, управляемым сигналом логического элемента (g> 0). Устройство MOSFET соединяется параллельно с внутренним диодом, который включает, когда устройство MOSFET противоположно смещенный (Vds <0), и никакой сигнал логического элемента не применяется (g=0). Модель симулирована идеальным переключателем, которым управляет логический сигнал (g> 0 или g =0) с диодом, соединенным параллельно.
Устройство MOSFET включает, когда положительный сигнал применяется во входе логического элемента (g> 0), положительно ли напряжение источника дренажа или отрицательно. Если никакой сигнал не применяется во входном (g=0) логического элемента, только внутренний диод проводит, когда напряжение превышает свой прямой VF напряжения.
С положительным или отрицательным текущим течением через устройство MOSFET выключает, когда вход логического элемента становится 0. Если ток я являюсь отрицательным и плавным во внутреннем диоде (никакой сигнал логического элемента или g = 0), переключатель выключает, когда ток я становлюсь 0.
На напряжении состояния варьируется Vds:
Vds = Ron*I, когда положительный сигнал применяется во входе логического элемента.
Vds = Rd*I-Vf +Lon*dI/dt, когда антипараллельный диод проводит (никакой сигнал логического элемента).
Диодная индуктивность Лона доступна только с непрерывной моделью. Для большинства приложений Лон должен быть обнулен и для непрерывных и для дискретных моделей.
Блок MOSFET также содержит схему демпфера серии Rs-Cs, которая может быть соединена параллельно с MOSFET (между узлами d и s).
Внутреннее сопротивление Рон, в Омах (Ω). Значением по умолчанию является 0.1
. Параметр Resistance Ron не может быть установлен на 0
когда параметр Inductance Lon устанавливается на 0
.
Внутренняя индуктивность Лон, в Генри (H). Значением по умолчанию является 0
. Параметр Inductance Lon обычно устанавливается на 0
кроме тех случаев, когда параметр Resistance Ron устанавливается на 0
.
Внутреннее сопротивление внутреннего диода, в Омах (Ω). Значением по умолчанию является 0.01
.
Прямое напряжение внутреннего диода, в вольтах (В). Значением по умолчанию является 0
.
Можно задать начальное текущее течение в устройстве MOSFET. Это обычно устанавливается в 0
для того, чтобы начать симуляцию с блокированного устройства. Значением по умолчанию является 0
.
Если Начальный текущий параметр IC устанавливается на значение, больше, чем 0
, установившееся вычисление рассматривает начальное состояние MOSFET, как закрыто. При инициализации всех состояний степени электронный конвертер является комплексной задачей. Поэтому эта опция полезна только с простыми схемами.
Сопротивление демпфера, в Омах (Ω). Значением по умолчанию является 1e5
. Установите параметр RS сопротивления Демпфера на inf
устранить демпфер из модели.
Емкость демпфера, в фарадах (F). Значением по умолчанию является inf
. Установите емкость Демпфера параметр Cs на 0
устранить демпфер, или к inf
получить резистивный демпфер.
Если выбрано, добавьте выход Simulink® в блок, возвращающий ток MOSFET и напряжение. Значение по умолчанию выбрано.
g
Сигнал Simulink, чтобы управлять открытием и закрытием MOSFET.
m
Simulink выход блока является вектором, содержащим 2 сигнала. Можно демультиплексировать эти сигналы при помощи блока Селектора Шины, обеспеченного в Библиотеке Simulink.
Сигнал | Определение | Модули |
---|---|---|
1 | Текущий MOSFET | A |
2 | Напряжение MOSFET | V |
Блок MOSFET реализует макро-модель действительного устройства MOSFET. Это не учитывает или геометрию устройства или комплексные физические процессы [1].
В зависимости от значения индуктивности Лон MOSFET моделируется любой как текущий источник (Лон> 0) или как переменная схема топологии (Лон = 0). Блок MOSFET не может быть соединен последовательно с индуктором, текущим источником или разомкнутой цепью, если ее схема демпфера не используется.
Лон индуктивности обеспечен к 0, если вы принимаете решение дискретизировать свою схему.
[1] Mohan, N., T.M. НеДеленд, и В.П. Роббинс, силовая электроника: конвертеры, приложения, и проект, John Wiley & Sons, Inc., Нью-Йорк, 1995.
Диод, GTO, идеальный переключатель, Три-Левель-Бридж, тиристор, Универсэл-Бридж