SPICE-Imported MOSFET

Предопределенный MOSFET параметрируется внешней подсхемой SPICE

  • Библиотека:
  • Simscape / Электрический / Semiconductors & Converters

Описание

Блок SPICE-Imported MOSFET моделирует полевой транзистор металлооксидного полупроводника (MOSFET), который был параметрирован с помощью внешней подсхемы SPICE.

Можно использовать этот блок, чтобы смоделировать перечисленные в таблице устройства MOSFET. Эта параметризация была уже импортирована в Simscape с помощью subcircuit2ssc функция, и они были численно подтверждены против результатов, сгенерированных с помощью инструмента симуляции SPICE.

Доступная параметризация

РядУстройство
Infineon OptiMOS6 40 ВIAUC120N04S6N009
IAUC120N04S6N010
IAUC120N04S6N013
IAUC100N04S6N015
IAUC100N04S6N022
IAUC100N04S6N028
IAUC80N04S6N036
IAUC60N04S6N036
IAUC120N04S6L008
IAUC120N04S6L009
IAUC120N04S6L012
IAUC100N04S6L014
IAUC100N04S6L020
IAUC100N04S6L025
IAUC80N04S6L032
IAUC60N04S6L039
Infineon OptiMOS5 80 ВIPB015N08N5
IPB017N08N5
IPP020N08N5
IPT012N08N5
IPB020N08N5
IPP023N08N5
IPB024N08N5
IPP027N08N5
IPB031N08N5
IPP034N08N5
IPB049N08N5
IPP052N08N5
IAUT300N08S5N012
IAUT165N08S5N029
IAUT300N08S5N014
IAUT240N08S5N019
IAUT200N08S5N023
IAUS300N08S5N013T
IAUS300N08S5N015T
IAUC100N08S5N031
IAUC100N08S5N043
IAUC70N08S5N074
Infineon OptiMOS4 60 ВIPB180N06S4_H1
IPB120N06S4_H1
IPI120N06S4_H1
IPP120N06S4_H1
IPB120N06S4_02
IPI120N06S4_02
IPP120N06S4_02
IPB120N06S4_03
IPI120N06S4_03
IPP120N06S4_03
IPB90N06S4_04
IPD90N06S4_04
IPD100N06S4_03
IPI90N06S4_04
IPP90N06S4_04
IPB80N06S4_05
IPD90N06S4_05
IPI80N06S4_05
IPP80N06S4_05
IPB80N06S4_07
IPD90N06S4_07
IPI80N06S4_07
IPP80N06S4_07
IPB45N06S4_09
IPD50N06S4_09
IPI45N06S4_09
IPP45N06S4_09
IPG20N06S4_15
IPB90N06S4L_04
IPD90N06S4L_03
IPI90N06S4L_04
IPP90N06S4L_04
IPB80N06S4L_05
IPD90N06S4L_05
IPI80N06S4L_05
IPP80N06S4L_05
IPB80N06S4L_07
IPD90N06S4L_06
IPI80N06S4L_07
IPP80N06S4L_07
IPB45N06S4L_08
IPD50N06S4L_08
IPI45N06S4L_08
IPP45N06S4L_08
IPD50N06S4L_12
IPD30N06S4L_23
IPD25N06S4L_30
IPG20N06S4L_11
IPG20N06S4L_14
IPG20N06S4L_26
Infineon OptiMOST 120 ВIPB100N12S3_05
IPI100N12S3_05
IPP100N12S3_05
IPB70N12S3_11
IPI70N12S3_11
IPP70N12S3_11
IPD70N12S3_11
IPD70N12S3L_12
IPB70N12S3L_12
IPI70N12S3L_12
IPP70N12S3L_12
IPB50N12S3L_15
IPD50N12S3L_15
IPI50N12S3L_15
IPP50N12S3L_15
IPB35N12S3L_26
IPD35N12S3L_24
IPD30N12S3L_31

Ограничения

  • Этот блок только работает, когда локальный решатель включен. Чтобы включить локальный решатель, установите флажок Use local solver в блоке Solver Configuration. Необходимо установить параметр Sample time на значение, меньшее, чем самое быстрое динамическое устройство. Если вы задаете больший шаг расчета, блок переступает через динамические события, который приводит к числовым предупреждениям.

  • Копирование этого блока из библиотеки в модель разрывает связь к библиотеке. Если вы обновляете MATLAB до более поздних версий, необходимо заменить этот блок на новую копию блока из библиотеки.

Порты

Сохранение

развернуть все

Электрический порт сохранения, сопоставленный с выводом затвора выбранного, предварительно параметрировал MOSFET.

Электрический порт сохранения, сопоставленный с терминалом дренажа выбранного, предварительно параметрировал MOSFET.

Электрический порт сохранения, сопоставленный с температурой перехода выбранного, предварительно параметрировал MOSFET.

Электрический порт сохранения, сопоставленный с температурой случая выбранного, предварительно параметрировал MOSFET.

Электрический порт сохранения, сопоставленный с источником выбранного, предварительно параметрировал MOSFET.

Параметры

развернуть все

Серия предварительно параметрированного MOSFET в виде любого Infineon OptiMOS6 40V, Infineon OptiMOS5 80V, Infineon OptiMOS4 60V, или Infineon OptiMOST 120V.

Имя устройства в виде одной из опций перечислено в таблице Available Parameterizations.

Введенный в R2020b
Для просмотра документации необходимо авторизоваться на сайте