Foster Thermal Model

Теплопередача через полупроводниковый модуль

Библиотека:
Simscape / Электрический / Пассивный / Тепловой

Описание

Блок Foster Thermal Model представляет теплопередачу через полупроводниковый модуль. Рисунок показывает эквивалентную схему для блока Foster Thermal Model четвертого порядка. _Tj - температура соединения, а _Tc - температура базового диска.

Фостер тепловой модели содержит один или несколько образцы элементов Фостер тепловой модели. Рисунок показывает эквивалентную схему для элемента тепловой модели Фостера.

Количество тепловых элементов равно порядку представления. Для модели первого порядка используйте параметры скалярных блоков. Для модели n порядка используйте векторы-строки n длины. Другие термины, которые описывают Фостер тепловую модель:

Схема частичной дроби
Модель Пи

Определяющие уравнения для элемента Фостер тепловой модели первого порядка:

$C_{t h e r m a l} = \frac{τ}{R_{t h e r m a l}}$

$Q_{A B} = \frac{T_{A B}}{R_{t h e r m a l}} + C_{t h e r m a l} \frac{d T_{A B}}{d t},$

где:

_Cthermal - теплоемкость.
τ - тепловая постоянная времени.
_Rthermal - тепловое сопротивление.
_QAB - тепловой поток через материал.
_TAB - различие температур между слоями материала.

Порты

Сохранение

расширить все

`A` - Полупроводниковое соединение
тепловой

Тепловой порт сопоставлен с полупроводниковым соединением.

`B` - Соединение опорного диска
тепловой

Тепловой порт сопоставлен с соединением опорного диска.

Параметры

расширить все

`Thermal resistance data` - Значения теплового сопротивления
`[ 0.0016 0.0043 0.0013 0.0014 ]` `K/W` (по умолчанию)

Значения теплового сопротивления, _Rthermal, полупроводникового модуля, заданные в виде вектора.

`Thermal time constant data` - Данные тепловой константы времени
`[ 0.0068 0.064 0.32 2 ]` `s` (по умолчанию)

Значения тепловой постоянной времени, τ, полупроводникового модуля, заданные как вектор.

Примеры моделей

Количественная оценка термических потерь IGBT

Генерация температурного профиля, основанного на потерях переключений и проводимости в биполярном транзисторе с изолированным затвором (IGBT). Есть два понижающих конвертеры. Для одного конвертера IGBT присоединяет к Фостер тепловой модели. Для другого конвертера IGBT присоединяет к Cauer тепловой модели. Параметры для тепловых моделей настроены, чтобы дать примерно эквивалентные результаты. Во времени симуляции 50 мс частота переключений изменяется с 40kHz на 20kHz, что увеличивает потери проводимости и уменьшает потери переключений. Изменение потерь приводит к соответствующему изменению температуры IGBT.

Ссылки

[1] Schütze, T. AN2008-03: Модели тепловых эквивалентных схем. Примечание к приложению. V1.0. Германия: Infineon Technologies AG, 2008.

Расширенные возможности

Генерация кода C/C + +
Сгенерируйте код C и C++ с помощью Coder™ Simulink ®

См. также

Cauer Thermal Model Element | Thermal Resistor

Введенный в R2016a

Simscape Electrical документация

Поддержка

Памятка переводчика

1. Если смысл перевода понятен, то лучше оставьте как есть и не придирайтесь к словам, синонимам и тому подобному. О вкусах не спорим.

2. Не дополняйте перевод комментариями “от себя”. В исправлении не должно появляться дополнительных смыслов и комментариев, отсутствующих в оригинале. Такие правки не получится интегрировать в алгоритме автоматического перевода.

3. Сохраняйте структуру оригинального текста - например, не разбивайте одно предложение на два.

4. Не имеет смысла однотипное исправление перевода какого-то термина во всех предложениях. Исправляйте только в одном месте. Когда Вашу правку одобрят, это исправление будет алгоритмически распространено и на другие части документации.

5. По иным вопросам, например если надо исправить заблокированное для перевода слово, обратитесь к редакторам через форму технической поддержки.

Документация