Характеристики IGBT
Этот пример показывает генерацию кривой Ic от Vce для биполярного транзистора с изолированным затвором. Задайте вектор напряжений затвора-эмиттера и минимальных и максимальных напряжений коллектора-эмиттера путем двойного щелчка по блоку, маркированному 'Define Conditions (Vge и Vce)'. Щелкните по гиперссылке 'plot curves' в модели, чтобы запустить симуляции, строят графики результатов симуляции.
Этот тип графика можно сравнить с таблицей данных производителя, чтобы подтвердить правильную реализацию параметров транзистора.
Модель
Результаты симуляции из Simscape Logging
Рисунок ниже показывает коллекторный ток от характеристик напряжения коллектора-эмиттера для области значений напряжений затвора-эмиттера.
