Позволяет пользователю исследовать влияние вариантов параметра на характеристики I-V и C-V для модели MOSFET с поверхностным потенциалом. Чтобы открыть этот пример, в Командном окне MATLAB ®, введите: ee_mosfet_characteristics.

Позволяет пользователю исследовать влияние выбора параметров на характеристики I-V и C-V для модели полевого транзистора LDMOS на основе поверхностного потенциала. Чтобы открыть этот пример, в Командном окне MATLAB ®, введите: ee_p_ldmos_characteristics.

Позволяет пользователю исследовать влияние вариантов параметра на характеристики I-V и C-V для модели MOSFET на основе поверхностного потенциала. Чтобы открыть этот пример, в Командном окне MATLAB ®, введите: ee_thermal_mosfet_characteristics.

Генерация характеристик I-V и C-V для NMOS транзистора. Задайте условия смещения для сдвигов напряжения затвора-источника и дренажа-источника и типов графиков, которые будут сгенерированы дважды - нажав на Define Sweep Parameters. Затем нажмите на гиперссылку «Сгенерировать графики» в модели. Выходная емкость, C_oss, показана только для разверток напряжения источника стока. Обратите внимание, что для генерации характеристик C-V может потребоваться несколько минут.

Генерация кривой Ic от Vce для биполярного транзистора с изолированным затвором. Задайте вектор напряжений затвора-эмиттера и минимальных и максимальных напряжений коллектора-эмиттера путем двойного щелчка по блоку, маркированному 'Define Conditions (Vge и Vce)'. Щелкните по гиперссылке 'plot curves' в модели, чтобы запустить симуляции, строят графики результатов симуляции.

Генерация кривой Ic от Vce для IGBT при двух разных температурах. Чтобы сгенерировать график, нажмите на гиперссылку в модели, помеченной 'Plot IGBT curves'.

Как динамические характеристики IGBT зависят от его параметров. Необходимым условием для соответствия динамических характеристик значениям таблицы данных или измеренным данным является установка параметров, определяющих статическую кривую I-V. Для этого смотрите пример 'IGBT Characteristics', ee_igbt. При правильной установке статических параметров динамические параметры могут затем быть установлены следующим образом:

Тестовая обвязка может использоваться, чтобы подтвердить 'Упрощенные характеристики I-V и основанное на событиях время' варианта Simscape™ Electrical™ N-канала IGBT. Этот вариант требует только данных I-V, соответствующих напряжению затвора в состоянии включения, и моделирует время нарастания включения и время спада выключения, делая напряжение коллектора-эмиттера линейной функцией времени симуляции. Преимуществами этого подхода являются более быстрая симуляция и более легкая параметризация.

Используйте Simscape™ Electrical™ детальные модели устройств коммутации для создания табличных данных о потерях коммутации. Эти табличные данные могут затем использоваться с кусочно-линейным переключающим устройством моделей компонента чтобы предсказать общие потери в системных моделях, сконфигурированных для быстрой и/или симуляции с фиксированным шагом.

Генерация характеристических кривых для N-канала MOSFET. Определите вектор напряжений затвора и минимальных и максимальных напряжений источника стока путем двойного нажатия по блоку, обозначенному как 'Define Conditions (Vg и Vds)'. Затем нажмите на гиперссылку 'plot results' в модели.

Сравнение нелинейного поведения индуктора для различных параметризаций. Начиная со значений фундаментальных параметров, параметры для линейных и нелинейных представлений получают. Эти параметры затем используются в модели Simscape™, и выходы симуляции сравниваются.

Как модификация коэффициентов уравнения уравнений Джайлса-Атертона магнитного гистерезиса влияет на полученную кривую B-H. Параметры симуляции сконфигурированы, чтобы запустить четыре полных цикла AC с начальной напряженностью поля (H) и магнитной плотностью потока (B), оба установлены в нуль.

Вычисление и подтверждение нелинейной характеристики намагниченности сердечника трансформатора. Начиная со значений фундаментальных параметров, выводится характеристика ядра. Затем это используется в Simscape™ модели примера схемы тестирования, которая может использоваться, чтобы построить график характеристики намагниченности ядра на осциллографе. Выходы модели затем сравниваются с известными значениями.

Генерация кривой Ic от Vce для NPN биполярного транзистора. Задайте вектор базовых токов и минимальных и максимальных напряжений коллектора-эмиттера путем двойного нажатия по блоку, помеченному как 'Define Conditions (Ib и Vce)'. Запустите тесты и сгенерируйте графики кривых, щелкнув в модели по гиперссылке 'plot curves'.

Генерация кривой Ic от Vce для PNP биполярного транзистора. Задайте вектор базовых токов и минимальных и максимальных напряжений коллектора-эмиттера путем двойного нажатия по блоку, помеченному как 'Define Conditions (Ib и Vce)'. Запустите тесты и сгенерируйте графики кривых, щелкнув в модели по гиперссылке 'plot curves'.

Генерация кривой тока от напряжения для диода с барьером Шоттки. Определите вектор температур, для которых нужно построить график характеристик, дважды нажатие по блоку с меткой 'Define Temperatures for Tests'. Запустите тесты и постройте график кривых I-V, нажав в модели на гиперссылке 'plot curves'.

Валидация статического поведения блока Тиристор на соответствие его значениям маски. Значения маски тесно связаны со значениями таблицы данных, и тиристорный блок использует эти значения, чтобы вычислить коэффициенты уравнений, используемых для его моделирования.

Валидация динамического поведения блока Тиристор на соответствие его значениям маски. Значения маски тесно связаны со значениями таблицы данных, и блок Тиристора использует эти значения, чтобы вычислить коэффициенты уравнений, используемых для его моделирования. Дважды кликните каждую из тестовых подсистем для получения дополнительной информации о тестах.

Преобразуйте металлически-оксидно-полупроводниковый полевой транзистор (MOSFET) в эквивалентный компонент Simscape™ и сравните графики Spice и Simscape для некоторых стандартных характеристик MOSFET, а именно: Id против Vgs, Id против Vds, Qiss/Gate, Qoss/Output chary и The subcircuit2ssc функция преобразует все компоненты подсхемы в файле списка цепей SPICE в один или несколько эквивалентных файлов Simscape.

Используйте результаты симуляции SPICE полупроводникового транзистора полевого действия металла-оксида (MOSFET), чтобы задать значения параметров N-канального МОП-транзистора (на основе интерполяционной таблицы) в Simscape™. Затем он сравнивает характеристики N-канала MOSFET в Simscape с результатами симуляции нетлиста SPICE.

Импортируйте данные карты эффективности из Motor-CAD, чтобы параметризовать блок Simscape™ Electrical™ Motor & Drive (Уровень Системы). Это обеспечивает быстрый системный уровень симуляции способности привода с двигателем, одновременно делая точные предсказания о потерях.

Найдите расчётные параметры, которые оптимизируют составную кривую крутящий момент-скорость двигателя, чтобы соответствовать желаемой кривой.