Тепловые характеристики IGBT
Этот пример показывает генерацию кривой Ic от Vce для IGBT при двух разных температурах. Чтобы сгенерировать график, нажмите на гиперссылку в модели, помеченной 'Plot IGBT curves'.
На графике сплошные линии - от выполнения модели, а пунктирные линии - оцифрованные данные таблицы данных. Компонент IGBT N-канала был параметризован с использованием значений Vce для, когда 400A Ic и 10V Vge. Эти две точки перехватываются как графиками модели, так и графиками таблицы данных для Vge = 10V. Оставшиеся параметры оставшихся блоков должны быть настроены путем симуляции, чтобы таблицы данных и графики модели совпадали как можно лучше. Для получения дополнительной информации см. Страницу с описанием блока IGBT N-канала.
Модель
Результаты симуляции из Simscape Logging
Рисунок ниже показывает коллекторный ток от характеристик напряжения коллектора-эмиттера для области значений напряжений затвора-эмиттера. Тесты проводятся при двух разных температурах. Результаты сравниваются с точками данных, полученными из таблицы данных производителя.
Можно оцифровать данные таблицы данных с помощью инструментов, доступных в MATLAB ® Central File Exchange: https://www.mathworks.com/matlabcentral/, таких как GRABIT [1].
Ссылки
дзиро (2019). GRABIT (https://www.mathworks.com/matlabcentral/fileexchange/7173-grabit), обмен файлами в хранилище MATLAB. Получено 16 декабря 2019.