Этот пример показывает генерацию кривой Ic от Vce для NPN биполярного транзистора. Задайте вектор базовых токов и минимальных и максимальных напряжений коллектора-эмиттера путем двойного нажатия по блоку, помеченному как 'Define Conditions (Ib и Vce)'. Запустите тесты и сгенерируйте графики кривых, щелкнув в модели по гиперссылке 'plot curves'.
Этот тип графика можно сравнить с таблицей данных производителя, чтобы подтвердить правильную реализацию параметров транзистора. Можно также использовать эту модель, чтобы изучить характеристики транзистора в обратной области, задав область значений отрицательных значений Vce. В этой области коэффициент усиления определяется параметром Обратный коэффициент передачи тока BR. Увеличьте этот параметр выше единицы, чтобы создать обратный коэффициент усиления тока.
Чтобы исследовать свойства PNP-биполярного транзистора, откройте ee_pnp модели.
Рисунок ниже показывает характеристики тока коллектора (Ic) от напряжения коллектора-эмиттера (Vce) для различных уровней базового тока (Ib).
