Параметризация экспоненциального диода из нетлиста SPICE

Если таблица данных не предоставляет все данные, необходимые для модели компонента, другой источник является списком сетей SPICE для компонента. Компоненты определяются определенным типом списка SPICE, называемым подсхемой. Подкруга определяет коэффициенты для определяющих уравнений. Большинство производителей компонентов делают подсхемы доступными на своих веб-сайтах. Формат ASCII, и можно непосредственно считать параметры. Подокружение BZX384-B4V3 может быть получено от Philips Semiconductors.

Данные подсхемы могут использоваться, чтобы параметризовать блок Simscape™ Electrical™ Diode либо в сочетании с таблицей данных, либо самостоятельно. Например, омическое сопротивление определяется в подкруге как RS = 0,387, таким образом предоставляя недостающую часть информации в примере 2.

Альтернативный процесс состоит в том, чтобы использовать Simscape Electrical Additional Components/SPICE Semiconductors sublibrary. Блок SPICE Diode в этом сублибрарии может быть непосредственно параметризован из подсхемы путем установки:

  • Saturation current, IS с 1.033e-15

  • Ohmic resistance, RS с 0.387

  • Emission coefficient, N с 1.001

  • Zero-bias junction capacitance, CJO с 2.715e-10

  • Junction potential, VJ с 0.7721

  • Grading coefficient, M с 0.3557

  • Capacitance coefficient, FC с 0.5

  • Reverse breakdown current, IBV с 0.005

  • Reverse breakdown voltage, BV с 4.3

Обратите внимание, что там, где существует соответствие один к одному между параметрами подсхемы и значениями таблицы данных, числа часто различаются. Одна из причин этого состоит в том, что значения таблицы данных иногда задаются для максимальных значений, в то время как значения подсхемы обычно для номинальных значений. В этом примере значение CJO 271,5 pF отличается от емкости таблицы данных 450 pF при нулевом смещении по этой причине.

Для просмотра документации необходимо авторизоваться на сайте