Этот пример показывает генерацию тока по сравнению с кривой напряжения для Диода с барьером Шоттки. Задайте вектор из температур, для которых можно построить характеристики путем двойного щелчка по блоку, пометил 'Define Temperatures for Tests'. Запустите тесты и постройте кривые I-V путем нажатия в модели на гиперссылке 'на кривые графика'.
Таблица данных для этого устройства дает VF = 0.4 В когда Если = 10mA и VF = 0.65 В когда Если = 100mA. Омическое сопротивление установлено в одно по градиенту таблицы данных кривая I-V при более высоких напряжениях. Температурная зависимость затем моделируется путем выбора энергетического кризиса по умолчанию и насыщения текущие температурные значения экспоненты для Диода с барьером Шоттки.
График, произведенный этой тестовой моделью, может использоваться, чтобы подтвердить реализацию против таблицы данных графики I-V.
График ниже показов характеристика I-V для диода барьера Schottkey извлечен из результатов симуляции. Модель симулирована однажды для каждой заданной температуры.
