Позволяет пользователю исследовать удар выбора параметра на I-V и характеристиках C-V для поверхностной-потенциалом модели MOSFET. Чтобы открыть этот пример, в Командном окне MATLAB®, введите: ee_mosfet_characteristics.

Позволяет пользователю исследовать удар выбора параметра на I-V и характеристиках C-V для поверхностного-потенциалом p-канала модель полевого транзистора LDMOS. Чтобы открыть этот пример, в Командном окне MATLAB®, введите: ee_p_ldmos_characteristics.

Позволяет пользователю исследовать удар выбора параметра на I-V и характеристиках C-V для поверхностной-потенциалом тепловой модели MOSFET. Чтобы открыть этот пример, в Командном окне MATLAB®, введите: ee_thermal_mosfet_characteristics.

Генерация I-V и характеристик C-V для транзистора NMOS. Задайте условия смещения для источника логического элемента и дренажа - исходные развертки напряжения и типы графиков, которые будут сгенерированы путем двойного щелчка по блоку Define Sweep Parameters. Затем нажмите, "Генерируют графики" гиперссылка в модели. Выходную емкость, C_oss, только показывают для разверток напряжения источника дренажа. Обратите внимание на то, что характеристики C-V могут занять несколько минут каждый, чтобы сгенерировать.

Генерация Ic по сравнению с Vce изгибается для биполярного транзистора изолированного затвора. Задайте вектор из эмиттерных логическим элементом напряжений, и минимальные и максимальные эмиттерные коллектором напряжения путем двойного клика по блоку пометили 'Define Conditions (Vge and Vce)'. Нажмите на гиперссылку 'кривые графика' в модели, чтобы запуститься, симуляции строят результаты симуляции.

Генерация Ic по сравнению с Vce изгибается для IGBT при двух различных температурах. Чтобы сгенерировать график, нажмите на гиперссылку в модели, пометил 'Plot IGBT curves'.

Как динамические характеристики IGBT зависят от его параметров. Необходимое условие к соответствию с динамическими характеристиками к значениям таблицы данных или результатам измерений должно установить параметры, задающие статическую кривую I-V. Для этого смотрите 'пример' Характеристик IGBT, ee_igbt. Со статическими параметрами правильно набор, динамические параметры могут затем быть установлены можно следующим образом:

Тестовая обвязка может использоваться, чтобы подтвердить вариант 'Simplified I-V characteristics and event-based timing' Simscape™ Electrical™ N-Channel IGBT. Этот вариант только требует данных I-V, соответствующих напряжению затвора на состоянии и повороту моделей - на времени нарастания, и выключите время спада путем создания эмиттерного коллектором напряжения линейной функцией времени симуляции. Преимуществами этого подхода является более быстрая симуляция и более легкая параметризация.

Используйте Simscape™ Electrical™, детализированный, переключая модели устройства, чтобы создать сведенные в таблицу переключающиеся данные потерь. Это табличные данные может затем использоваться с кусочными линейными моделями компонента устройства переключения, чтобы предсказать общие суммы убытков в системных моделях, сконфигурированных для симуляции фиксированного шага и/или быстрого.

Генерация характеристики изгибается для N-channel MOSFET. Задайте вектор из напряжений затвора, и минимальные и максимальные напряжения источника дренажа путем двойного щелчка по блоку пометили 'Define Conditions (Vg and Vds)'. Затем нажмите на гиперссылку 'результаты графика' в модели.

Сравнение нелинейного поведения индуктора для различной параметризации. Начиная с основных значений параметров выведены параметры для линейных и нелинейных представлений. Эти параметры затем используются в модели Simscape™ и симуляции сравненные выходные параметры.

Как изменение коэффициентов уравнения Jiles-Атертона магнитные гистерезисные уравнения влияет на получившуюся кривую B-H. Параметры симуляции сконфигурированы, чтобы запустить четыре полных цикла AC с начальной полевой силой (H) и плотность магнитного потока (B) оба обнуленные.

Вычисление и подтверждение нелинейной характеристики намагничивания ядра трансформатора. Начиная с основных значений параметров выведена базовая характеристика. Это затем используется в модели Simscape™ схемы тестирования в качестве примера, которая может использоваться, чтобы построить базовую характеристику намагничивания на осциллографе. Выходные параметры модели затем по сравнению с известными значениями.

Генерация Ic по сравнению с Vce изгибается для биполярного транзистора NPN. Задайте вектор из базовых токов, и минимальные и максимальные эмиттерные коллектором напряжения путем двойного щелчка по блоку пометили 'Define Conditions (Ib and Vce)'. Запустите тесты и сгенерируйте графики кривых путем нажатия в модели на гиперссылке 'на кривые графика'.

Генерация Ic по сравнению с Vce изгибается для биполярного транзистора PnP. Задайте вектор из базовых токов, и минимальные и максимальные эмиттерные коллектором напряжения путем двойного щелчка по блоку пометили 'Define Conditions (Ib and Vce)'. Запустите тесты и сгенерируйте графики кривых путем нажатия в модели на гиперссылке 'на кривые графика'.

Генерация тока по сравнению с напряжением изгибается для Диода с барьером Шоттки. Задайте вектор из температур, для которых можно построить характеристики путем двойного щелчка по блоку, пометил 'Define Temperatures for Tests'. Запустите тесты и постройте кривые I-V путем нажатия в модели на гиперссылке 'на кривые графика'.

Валидация статического поведения блока Thyristor против его значений маски. Значения маски тесно связаны со значениями таблицы данных, и тиристорный блок использует эти значения, чтобы вычислить, коэффициенты уравнений раньше моделировали его.

Валидация динамического поведения блока Thyristor против его значений маски. Значения маски тесно связаны со значениями таблицы данных, и блок Thyristor использует эти значения, чтобы вычислить, коэффициенты уравнений раньше моделировали его. Дважды кликните на каждой из тестовых подсистем для получения дополнительной информации о тестах.

Преобразуйте подсхему полевого транзистора металлооксидного полупроводника (MOSFET) на эквивалентный компонент Simscape™ и сравните Специю и графики Simscape для некоторых стандартных характеристик MOSFET, а именно, ID по сравнению с Vgs, ID по сравнению с Vds, Зарядом затвора Qiss/, Qoss/Выходной заряд и Напряжение пробоя. subcircuit2ssc функция преобразует все компоненты подсхемы в файле списка соединений SPICE в один или несколько эквивалентных файлов Simscape.

Используйте результаты симуляции SPICE полевого транзистора металлооксидного полупроводника (MOSFET), чтобы установить значения параметров N-Channel MOSFET (основанного на интерполяционной таблице) в Simscape™. Затем это сравнивает характеристики N-Channel MOSFET в Simscape с результатами симуляции списка соединений SPICE.

Импортируйте данные о карте КПД от Моторного CAD, чтобы параметрировать блок Simscape™ Electrical™ Motor & Drive (System Level). Это предусматривает быструю возможность симуляции уровня системы электропривода при тихом создании точных предсказаний о потерях.

Найдите расчетные параметры, которые оптимизируют составную кривую скорости крутящего момента двигателя, чтобы совпадать с желаемой кривой.

Импортируйте параметры из модуля IGBT Hitachi и сохраните их в IGBT (Идеал, Переключившись) блок. Параметры IGBT Hitachi хранятся в XML-файле в hitachi формат.

Смоделируйте стиральную машину и введите отказ в его операции. Отказы водоснабжения машины в определенное время и этот пример моделируют отклик системы согласно этому сценарию. Электродвигатель выключает, и работа машины прерывается путем разряда частично заполненного внешнего барабана.