Пример 1 использование кусочная линейная аппроксимация к экспоненциальному отношению текущего напряжения диода. Это приводит к более эффективной симуляции, но требует, чтобы некоторая мысль вошла в установку значений параметров блоков. Альтернатива должна использовать более сложную модель, которая допустима для более широкой области значений напряжения и текущих значений. Этот пример использует опцию параметризации Exponential блока Diode.
Эта модель или требует двух точек данных от диодного отношения текущего напряжения или значений для базовых коэффициентов уравнения, а именно, насыщение текущий IS и коэффициент эмиссии N. Таблица данных BZX384-B4V3 только обеспечивает значения для бывшего случая. Некоторые таблицы данных не дают необходимые данные или для случая, и необходимо следовать за процессами в Примере 1 или Примере 3 вместо этого.
Эти две точки данных в приведенной ниже таблице от кривой текущего напряжения таблицы данных BZX384-B4V3:
| Диод прямое напряжение, VF | 0.7 В | 1 В |
| Диод, вперед текущий, IF | 5mA | 250mA |
Установите экспоненциальные диодные параметры блоков можно следующим образом:
Currents [I1 I2]. Установите на [5 250] мА.
Voltages [V1 V2]. Установите на [0.7 1.0] V.
Reverse breakdown voltage. Установите к таблице данных рабочее значение напряжения, 4.3 В.
Ohmic resistance, RS. Установите на 0,01 Ω. Это - пример параметра, который не может быть определен от таблицы данных. Однако обнуление его значения является не обязательно хорошей идеей, потому что маленькое значение может помочь сходимости симуляции для некоторой топологии схемы. Физически, этот термин не будет нулем из-за сопротивлений связи.
Junction capacitance. Установите на диодное значение емкости таблицы данных, 450 пФ.
Более комплексная модель емкости также доступна для Диодного компонента с опцией экспоненциального уравнения. Однако таблица данных не обеспечивает необходимые данные. Кроме того, работа этой схемы не достаточно чувствительна к зависимым напряжением воздействиям емкости гарантировать дополнительную деталь.
