| Current Limiter | Поведенческая модель текущего ограничителя |
| Diode | Кусочный или экспоненциальный диод |
| Gate Driver | Поведенческая модель интегральной схемы драйвера логического элемента |
| GTO | Пропустите запираемый тиристор |
| Half-Bridge Driver | Поведенческая модель интегральной схемы драйвера полумоста |
| Ideal Semiconductor Switch | Идеальный полупроводниковый переключатель |
| IGBT (Ideal, Switching) | Идеальный биполярный транзистор с изолированным затвором для переключения приложений |
| MOSFET (Ideal, Switching) | Идеальный N-channel MOSFET для переключения приложений |
| N-Channel IGBT | Биполярный транзистор изолированного затвора N-канала |
| N-Channel JFET | Полевой транзистор соединения N-канала |
| N-Channel LDMOS FET | N-канал со стороны рассеял металлооксидный полупроводник или вертикально рассеял метал-оксидные полупроводниковые транзисторы, подходящие для высокого напряжения |
| N-Channel MOSFET | Полевой транзистор металлооксидного полупроводника N-канала с помощью или уравнения Шичмен-Ходжеса или поверхностной-потенциалом модели |
| NPN Bipolar Transistor | Биполярный транзистор NPN с помощью улучшил уравнения Эберс-Молл |
| Optocoupler | Поведенческая модель оптрона как LED, датчик тока и управляемый текущий источник |
| P-Channel JFET | Полевой транзистор соединения P-канала |
| P-Channel LDMOS FET | P-канал со стороны рассеял металлооксидный полупроводник или вертикально рассеял метал-оксидные полупроводниковые транзисторы, подходящие для высокого напряжения |
| P-Channel MOSFET | Полевой транзистор металлооксидного полупроводника P-канала с помощью или уравнения Шичмен-Ходжеса или поверхностной-потенциалом модели |
| PNP Bipolar Transistor | Биполярный транзистор PnP с помощью улучшил уравнения Эберс-Молл |
| Thyristor | Тиристор с помощью NPN и транзисторов PnP |
| Thyristor (Piecewise Linear) | Тиристор |
ee_getEfficiency | Вычислите эффективность как функцию рассеянных потерь мощности |
ee_getPowerLossSummary | Вычислите рассеянные потери мощности |
ee_getPowerLossTimeSeries | Вычислите рассеянные потери мощности и возвратите данные временных рядов |
Параметризация блоков от таблиц данных
Обзор методов раньше задавал параметры блоков, чтобы совпадать с данными из таблиц данных производителя.
Параметризуйте кусочную линейную диодную модель от таблицы данных
Задайте параметры блоков для Кусочного Линейного Диода, чтобы совпадать с данными из таблиц данных производителя.
Параметризуйте экспоненциальный диод от таблицы данных
Задайте параметры блоков для Экспоненциального Диода, чтобы совпадать с данными из таблиц данных производителя.
Параметризуйте экспоненциальный диод от списка соединений SPICE
Задайте параметры блоков для Экспоненциального Диода, чтобы совпадать с данными о списке соединений SPICE.
Симуляция термальных эффектов в полупроводниках
Моделируйте выработанное тепло и температуру устройства при помощи тепловых портов
Моделируйте термальные эффекты Используя Simscape Electrical тепловые блоки
Образцовая потеря тепла с помощью тепловых вариантов и тепловых блоков от библиотеки Simscape™ Electrical™.
Постройте основные характеристики для полупроводниковых блоков
Постройте кривую I-V для полупроводниковой модели устройства, на основе значений параметров блоков.
Средство просмотра характеристик MOSFET
Проверьте поведение модели MOSFET на основе заданных значений параметров.