Позволяет пользователю исследовать влияние выбора параметра на I-V и характеристиках C-V для поверхностной-потенциалом модели MOSFET. Чтобы открыть этот пример, в Командном окне MATLAB®, введите: ee_mosfet_characteristics.

Управляйте выходным напряжением понижающего конвертера. Чтобы настроить рабочий цикл, подсистема Управления использует основанный на PI алгоритм управления. Входное напряжение рассматривается постоянным в течение симуляции. Переменный резистор обеспечивает загрузку для системы. Общее время симуляции (t) составляет 0,25 секунды. В t = 0,15 секунды, изменения загрузки.

Управляйте прерывателем с четырьмя квадрантами. Подсистема Управления реализует простой основанный на PI алгоритм управления для управления текущим выводом. Симуляция использует и положительные и отрицательные ссылки. Общее время симуляции (t) составляет 1 секунду. В t = 0,5 секунды, изменяется полярность источника постоянного тока загрузки E.

Это - базовая модель для аналитических примеров рабочего процесса.

Смоделируйте источник электропитания, который преобразовывает 30-вольтовое предоставление DC в отрегулированное 15-вольтовое предоставление DC. Модель может использоваться, чтобы и измерить индуктивность L и сглаживающий конденсатор C, а также разработать контроллер обратной связи. Путем выбора между непрерывными и дискретными контроллерами может быть исследовано влияние дискретизации.

Представительная морская система электроэнергии полупоставки с базовой нагрузкой, загрузкой отеля, вспомогательными винтами и электрическим движением.