ПРЯНОСТЬ НИГБТ

SPICE-совместимый N-канальный изолированный затвор биполярный транзистор

Библиотека:
Simscape/Electrical/Дополнительные компоненты/SPICE Полупроводники

Описание

Блок SPICE NIGBT моделирует биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) типа SPICE n.

SPICE, или программа моделирования с акцентом на интегральные схемы, является инструментом моделирования для электронных схем. Вы можете преобразовать некоторые подсхемы СПЕЦИИ в эквивалентные модели Simscape™ Electrical™, используя блок Параметров Окружающей среды и СОВМЕСТИМЫЕ СО СПЕЦИЕЙ блоки от Дополнительной библиотеки Компонентов. Дополнительные сведения см. в разделе subcircuit2ssc.

На этом рисунке показана эквивалентная схема для блока SPICE NIGBT:

Уравнения

Переменные для уравнений блоков SPICE NIGBT включают в себя:

Переменные, определяемые путем задания параметров для блока SPICE NIGBT.
Температура, Т, то есть 300.15 K по умолчанию. Можно использовать другое значение, указывая параметры блока SPICE NIGBT или параметры блока SPICE NIGBT и блока параметров среды. Дополнительные сведения см. в разделе Температура транзистора.

Ток канала MOSFET

В этой таблице приведены уравнения, определяющие взаимосвязь между током канала МОП-транзистора Imos и напряжением источника затвора _Vgs.

Применимый диапазон значений _Vgs	Соответствующее уравнение _Имоса
$_{Vgs} <$ VT	$_{Imos} = {GMIN}_{} Vds $ SCALE
$_{} \frac{_{}}{Vds≤Vgs−VTKF}$	$_{Imos} = SCALE \frac{* (KF _{} KP [(_{Vgs} \frac{- {VT}_{)}^{}}{} Vds}{- KF _{} Vds22] 1} +_{THETA} $ (Vgs − VT) + GMIN Vds)
$_{Vds} \frac{>_{(} Vgs -}{}$ VT) KF	$_{Imos} = SCALE \frac{* {(_{KP} (}^{Vgs}}{- VT) 22 [1_{+}} THETA * (_{Vgs} -$ VT)] + GMIN * Vds)

В этих уравнениях:

_Vds - напряжение стока-истока.
VT - пороговое напряжение.
KF - коэффициент триодной области.
КП - мостовая транспроводимость.
THETA - коэффициент поперечного поля.

Биполярный стационарный коллекторный ток

В этой таблице показаны уравнения, которые определяют взаимосвязь между установившимся коллекторным током _Icss и базовой емкостью эмиттера _Qeb.

Применимый диапазон значений _Qeb	Соответствующее уравнение _Icss
$_{Qeb} <$ 0	$_{Icss} =$ 0
$_{} Qeb≥0$	$_{Icss} = \frac{[}{(11} +_{} b) \frac{}{IT} + \frac{(_{b1}}{^{+}} b_{)} (4DpW2)$ Qeb] * МАСШТАБ

В этих уравнениях:

$b \frac{=}{}$ MUNMUP - коэффициент амбиполярной мобильности.
$_{Dp} \frac{=_{}}{} KBTq *$ MUP - коэффициент диффузии для отверстий.
$W = {WB}_{-}$ Wbcj - ширина квази-нейтрального основания, где:
- WB - ширина металлургического основания.
- $_{Wbcj} \sqrt{=_{} \frac{_{} {2εsiVbc}_{+}}{}}$ Vbiq * NB - ширина истощения базового коллектора.
- _Vbc - напряжение базы-коллектора.
- _Vbi - встроенное напряжение, и оно равно 0.6 V

Биполярный стационарный базовый ток

В этой таблице показаны уравнения, которые определяют зависимость между установившимся базовым током _Ibss и емкостью Qeb эмиттера.

Применимый диапазон значений _Qeb	Соответствующее уравнение _Ibss
$_{Qeb} <$ 0	$_{Ibss} =$ 0
$_{} Qeb≥0$	$_{Ibss} \frac{=_{}}{} {QebTAU \frac{_{+}}{(_{}}}^{} \frac{QebQB) 2^{}}{(4^{}} * NB2ni2) JSNE $ AREA SCALE

В этих уравнениях:

TAU - время существования амбиполярной рекомбинации.
JSNE - плотность тока насыщения эмиттера.
ni - внутренняя концентрация носителя. В 300 K оно равно 1.45*10¹⁰ 1/cm³.
$_{QB} =_{} qWNB *$ AREA - базовая плата мобильной несущей системы O&M, где:
- _NB - базовый допинг.
- AREA - область устройства.

Биполярное напряжение эмиттера-базы

Эта таблица показывает уравнения, которые определяют зависимость между напряжением эмиттера-базы, _Veb, и емкостью эмиттера-базы, _Qeb.

Применимый диапазон значений _Qeb	Соответствующее уравнение _Вэба
$_{Qeb} <$ 0	$_{Veb} =_{}$ Vebj
$_{}_{} Qbi>Qeb≥0$	$_{Vebmin} = \min_{(}_{Vebj,}$ Vebd)
$_{Qeb} >_{}$ Qbi	$_{Veb} =_{}$ Vebd

В этих уравнениях:

$_{Vebj} =_{} \frac{{Vbi_{-} (_{Qeb}}^{−}}{Qbi)_{}^{}}$ 22qNBεsiA2is напряжение истощения эмиттера-базы.
_Vbi - встроенное напряжение.
$_{Qbi} = \sqrt{AREA_{*}_{2εsiqNB}}$ * Vbi - встроенное напряжение соединения эмиттер-база.
$_{Vebd} \frac{=}{} kTqln \frac{_{[}}{(^{}} \frac{}{P0ni2} + 1NB)_{} (NB \frac{_{+}}{_{P0}})] \frac{_{−}}{}$ DCμnclnP0 + NBNB- напряжение диффузии эмиттер-база.

Ток анода

Ток анода получают из этого уравнения:

$_{IT} \frac{=_{}}{_{}} VeyRb *$ SCALE,

где:

_Vae - приложенное анодно-эмиттерное напряжение.
_Rb - базовое сопротивление, модулированное проводимостью.

В этой таблице показаны уравнения, которые определяют зависимость между основным сопротивлением, модулированным проводимостью, _Rb, и емкостью эмиттер-база, _Qeb.

Применимый диапазон значений _Qeb	Соответствующее уравнение _Rb
$_{Qeb} <$ 0	$_{Rb} \frac{=}{Wq * MUN }$ AREA NB
$_{} Qeb≥0$	$_{Rb} \frac{=}{{Wq}_{} мкеff _{}}$ AREA * neff

В этих уравнениях:

_мкеff - эффективная подвижность носителя.
_neff - эффективная концентрация допинга в основе.
MUN - это подвижность электронов.

_мкефф и _нефф получают с использованием следующих уравнений:

$\begin{array}{l} _{} \frac{μnc=1}{\frac{}{_{}} \frac{}{_{}}} \\ {(1μn+1μc)}_{} \frac{}{\frac{μpc=1}{_{}} \frac{}{_{}}} \\ _{(1μp+1μc)}_{} \frac{_{}_{}}{_{μeff =μnc +μpcQeb}_{}} \\ _{} \frac{(Qeb+QB)}{} \frac{_{}_{}}{_{}_{}} \\ \sqrt{_{}} \\ _{} \frac{}{\frac{}{}} \\ _{} \frac{\frac{}{} \sqrt{_{}^{}_{}^{} \frac{}{}}}{Dc=2kTqμncμpcμnc +μpcL=Dc*TAUP0=Qq*AREA*LtanhW2Lneff=W2LNB2+P02csch (WL) \frac{\sqrt{_{}^{}_{}^{arctanh} [\frac{}{}} NB2+P02csch \frac{}{} (WL)}{_{}_{tanh} \frac{(W2L)}{} \frac{}{NB+P0csch}}} \\ {\overset{}{}}_{(WL)} \frac{_{} \tanh \frac{}{(W2L)}}{] \frac{}{}} \end{array}$ δ¯p=P0sinh (W2L) sinh (WL)

где:

_micnc - подвижность рассеяния электронных носителей.
_mc - подвижность рассеяния носителя дырок.
_Dc - диффузия рассеяния носителя-носителя.
L - длина амбиполярной диффузии.
_P0 - концентрация носителя на конце основания эмиттера.
$\overset{}{_{δp}}$ - средняя концентрация носителя в основании.

Ток лавинного умножения

Ток лавинного умножения получается из этого уравнения:

$_{Имульт} = (М -_{1)} (_{Имос} +_{} Иксс +_{} Иксер$ ) + М * Иген,

где:

$_{Igen} \frac{=}{}_{} \sqrt{_{} \frac{_{}}{_{}}}$ SCALETAUqniAREA2αsiVbcqNB- ток, генерируемый тепловым способом на основе коллектора.
_Icss - ток стационарного коллектора.
_Imos - ток МОП-канала.
_Iccer - ток перераспределения коллектор-эмиттер.

Это уравнение определяет зависимость между напряжением база-коллектор, _Vbc, и коэффициентом лавинного умножения, M:

$M \frac{=}{{11 \frac{_{-}}{(_{}}}^{VbBVcbo}})$ BVN,

где:

$_{BVcbo} = BVF * 5 .^{34e13 *}$ NB − 0 75- напряжение пробоя коллектора-эмиттера с разомкнутой базой.
BVF - коэффициент лавинной однородности.
BVN - показатель степени лавинного умножения.

Емкостная модель

Емкость источника затвора получается из этого уравнения:

$_{Qgs} = {CGS}_{*} Vgs *$ SCALE.

Емкость истока стока получается из этого уравнения:

$_{Qds} = q (AREA - AGD)_{*} NB *$ Wdsj * SCALE,

где _Wdsj = _Wbcj - ширина истощения стока-источника.

В этой таблице показаны уравнения, определяющие соотношение между емкостью затвора-стока, _Qdg, и напряжением затвора-стока, _Vdg

Применимый диапазон значений _Vdg	Соответствующее уравнение _Qdg
$_{} Vdg+VTD≤0$	$_{Qdg} =_{} {Cgdo}_{} Vdg $ МАСШТАБ
$_{Vdg} + VTD$ > 0	$_{Qdg} = \frac{[_{}}{} \frac{qNBεsiAGDCOXD (_{COXD }}{_{}} \frac{Wdgjxpsilog (1_{+}}{_{COXD}} _{} Wdgjαsi)) -$ Cgdo * VTD] * SCALE

В этих уравнениях:

$_{Cgdo} = COXD *$ AGD - оксидная емкость затворного стока.
_Vdg - напряжение затвора стока.
_αsi - диэлектрическая проницаемость кремния.
$_{Wdgj} \sqrt{=_{} \frac{{2αsi}_{(} Vdg +}{}}$ VTD) qNB - ширина истощения затворов.
VTD - порог истощения перекрытия затворов-стоков, VTD.
COXD - емкость оксида затвора-стока на единицу площади, COXD.
AGD - зона перекрытия затворов и стоков, AGD.
NB - базовый допинг, NB.

Это уравнение показывает взаимосвязь между током перераспределения коллектор-эмиттер, _Iccer, и емкостью перераспределения коллектор-эмиттер, _Ccer:

$_{Iccer} =_{} \frac{Ccer_{*}}{} dVecdt *$ SCALE,

где _Vec - напряжение эмиттера-коллектора.

В этой таблице показаны уравнения, которые определяют соотношение между емкостью перераспределения коллектор-эмиттер, _Ccer, и емкостью Qeb эмиттер-база.

Применимый диапазон значений _Qeb	Соответствующее уравнение _Ccer
$_{Qeb} >$ 0	$_{Ccer} \frac{=_{}_{}}{_{}} {QebCbcj3QB}_{+} Cmin$ * AREA
$_{} Qeb≤0$	$_{Ccer} =_{}$ CminAREA

В этих уравнениях:

_Cbcj - емкость истощения основного коллектора.
$_{QB} =_{} qWNB *$ AREA - базовая плата мобильной несущей в фоновом режиме.

Неявный ток конденсатора эмиттер-база получается из этого уравнения:

$_{Iqeb} \frac{=_{}}{} dQebdt *$ SCALE.

Температура транзистора

Можно использовать следующие опции для определения температуры транзистора, T:

Фиксированная температура (Fixed temperature) - в блоке используется температура, не зависящая от температуры контура, если для параметра Model temperature dependence using в настройках температуры блока SPICE NIGBT установлено значение Fixed temperature. Для этой модели блок устанавливает T равным TFIXED.
Температура устройства - в блоке используется температура, которая зависит от температуры цепи, если для параметра «Температурная зависимость модели» в настройках температуры блока SPICE NIGBT установлено значение Device temperature. Для этой модели блок определяет температуру как

$T =_{} TC +$ TOFFSET
где:
- _TC - температура контура.
  Если в цепи отсутствует блок параметров среды, _{то ТС} равен 300,15 К.
  При наличии в цепи блока «Параметры среды» _{значение TC} равно значению, заданному для параметра «Температура» в настройках SPICE блока «Параметры среды». Значением по умолчанию для параметра «Температура» является 300.15 K.
- TOFFSET - температура смещенного локального контура.

Порты

Расположение портов см. на рисунке.

Сохранение

развернуть все

`gx` - Клемма затвора
электрический

Электрический порт сохранения, связанный с клеммой затвора IGBT.

`cx` - Клемма коллектора
электрический

Электрический консервационный порт, связанный с клеммой коллектора IGBT.

`ex` - Клемма эмиттера
электрический

Порт экономии электроэнергии, связанный с терминалом эмиттера IGBT.

Параметры

развернуть все

Размеры

`Gate-drain overlap area, AGD` - Зона перекрытия затворов-стоков
`5.0e-6` `m^2` (по умолчанию) | положительный скаляр

Зона перекрытия затвора-стока. Значение должно быть больше 0.

`Area of the device, AREA` - Область устройства
`1.0e-5` `m^2` (по умолчанию) | положительный скаляр

Область устройства. Значение должно быть больше 0.

`Number of parallel devices, SCALE` - Количество параллельных устройств
`1` (по умолчанию) | положительное целое число

Количество параллельных транзисторов, представленных блоком. Значение должно быть целым числом больше 0.

Общая информация

`Electron mobility, MUN` - Подвижность электрона
`1.5e3` `cm^2/s/V` (по умолчанию) | скаляр

Подвижность электронов.

`Hole mobility, MUP` - Подвижность отверстия
`4.5e2` `cm^2/s/V` (по умолчанию) | скаляр

Подвижность отверстия.

`Base doping, NB` - Допинг базы
`2e14` `1/cm^3` (по умолчанию) | скаляр

Допинг основы.

МОП-транзистор

`Triode region factor, KF` - Коэффициент области триода
`1` (по умолчанию)

Коэффициент области триода.

`MOS transconductance, KP` - МОП-проводимость
`0.38` `A/V^2` (по умолчанию) | скаляр

Производная тока стока от напряжения затвора. Значение должно быть больше или равно 0

`Threshold voltage, VT` - Пороговое напряжение
`4.7` `V` (по умолчанию) | скаляр

Пороговое напряжение.

`Transverse field factor, THETA` - Коэффициент поперечного поля
`0.02` `1/V` (по умолчанию) | скаляр

Коэффициент поперечного поля.

БИПОЛЯРНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ ТРАНЗИСТОР

`Ambipolar recombination lifetime, TAU` - Время жизни амбиполярной рекомбинации
`7.1e-6` `s` (по умолчанию) | скаляр

Время жизни амбиполярной рекомбинации.

`Metallurgical base width, WB` - Ширина металлургического основания
`9.0e-5` `m` (по умолчанию) | скаляр

Ширина металлургического основания.

`Emitter saturation current density, JSNE` - Плотность тока насыщения эмиттера
`6.5e-13` `A/cm^2` (по умолчанию) | скаляр

Плотность тока насыщения эмиттера.

`Avalanche uniformity factor, BVF` - Коэффициент лавинной однородности
`1` (по умолчанию) | скаляр

Коэффициент лавинной однородности.

`Avalanche multiplication exponent, BVN` - Показатель степени лавинного умножения
`4` (по умолчанию) | скаляр

Показатель степени лавинного умножения.

Емкость

`Gate-source capacitance per unit area, CGS` - Емкость затвора-источника на единицу площади
`1.24e-8` `F/cm^2` (по умолчанию) | скаляр

Емкость затвора-источника на единицу площади.

`Gate-drain oxide capacitance per unit area, COXD` - Емкость оксидов затворов-стоков на единицу площади
`3.5e-8` `F/cm^2` (по умолчанию) | скаляр

Емкость оксида затвора-стока на единицу площади.

`Gate-drain overlap depletion threshold, VTD` - Порог истощения перекрытия затворов-стоков
`1e-3` `V` (по умолчанию) | скаляр

Порог истощения перекрытия затворов-стоков.

`Specify initial condition` - Указать ли начальное условие
`No` (по умолчанию) | `Yes`

Указать ли начальное условие.

`Initial condition voltage ICVGE` - Исходное напряжение ICVGE
`0` `V` (по умолчанию) | скаляр

Исходное напряжение ICVGE.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, задайте для параметра Specify initial condition значение Yes.

`Initial condition voltage ICVCE` - Исходное напряжение ICVCE
`0` `V` (по умолчанию) | скаляр

Исходное напряжение ICVCE.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, задайте для параметра Specify initial condition значение Yes.

Температура

`Model temperature dependence using` - Модель температурной зависимости
`Device temperature` (по умолчанию) | `Fixed temperature`

Варианты моделирования температурной зависимости транзистора:

Device temperature - Используйте температуру устройства для моделирования температурной зависимости.
Fixed temperature - использовать температуру, не зависящую от температуры цепи, для моделирования температурной зависимости.

Дополнительные сведения см. в разделе Температурная зависимость.

`Fixed circuit temperature, TFIXED` - Фиксированная температура контура
`300.15` `K` (по умолчанию) | положительный скаляр

Температура моделирования транзистора. Значение должно быть больше 0 K.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, задайте для параметра Температурная зависимость модели значение Fixed temperature.

`Parameter extraction temperature, TMEAS` - Температура отбора параметров
`300.15` `K` (по умолчанию) | положительный скаляр

Температура, при которой измеряются параметры транзистора. Значение должно быть больше 0 K.

`Offset local circuit temperature, TOFFSET` - Смещение температуры локального контура
`0` `K` (по умолчанию) | скаляр

Величина, на которую температура транзистора отличается от температуры схемы.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, задайте для параметра Температурная зависимость модели значение Device temperature.

Ссылки

[1] Хефнер, А.Р. и Дибольт, Д.М. Экспериментально проверенная модель IGBT, реализованная в симуляторе цепи Saber. Сделки IEEE по Power Electronics 9, № 5 (сентябрь 1994 года): 532-42. https://doi.org/10.1109/63.321038.

[2] Хефнер, А.Р., младший Технология измерения полупроводников: INSTANT - IGBT Network Simulation and Transient ANalysis Tool. Министерство торговли США/Управление технологий, Национальный институт стандартов и технологий. 1992.

Документация

ПРЯНОСТЬ НИГБТ

Описание

Уравнения

Порты

Сохранение

gx - Клемма затвора электрический

cx - Клемма коллектора электрический

ex - Клемма эмиттера электрический

Параметры

Размеры

Gate-drain overlap area, AGD - Зона перекрытия затворов-стоков 5.0e-6 m^2 (по умолчанию) | положительный скаляр

Area of the device, AREA - Область устройства 1.0e-5 m^2 (по умолчанию) | положительный скаляр

Number of parallel devices, SCALE - Количество параллельных устройств 1 (по умолчанию) | положительное целое число

Общая информация

Electron mobility, MUN - Подвижность электрона 1.5e3 cm^2/s/V (по умолчанию) | скаляр

Hole mobility, MUP - Подвижность отверстия 4.5e2 cm^2/s/V (по умолчанию) | скаляр

Base doping, NB - Допинг базы 2e14 1/cm^3 (по умолчанию) | скаляр

МОП-транзистор

Triode region factor, KF - Коэффициент области триода 1 (по умолчанию)

MOS transconductance, KP - МОП-проводимость 0.38 A/V^2 (по умолчанию) | скаляр

Threshold voltage, VT - Пороговое напряжение 4.7 V (по умолчанию) | скаляр

Transverse field factor, THETA - Коэффициент поперечного поля 0.02 1/V (по умолчанию) | скаляр

БИПОЛЯРНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ ТРАНЗИСТОР

Ambipolar recombination lifetime, TAU - Время жизни амбиполярной рекомбинации 7.1e-6 s (по умолчанию) | скаляр

Metallurgical base width, WB - Ширина металлургического основания 9.0e-5 m (по умолчанию) | скаляр

Emitter saturation current density, JSNE - Плотность тока насыщения эмиттера 6.5e-13 A/cm^2 (по умолчанию) | скаляр

Avalanche uniformity factor, BVF - Коэффициент лавинной однородности 1 (по умолчанию) | скаляр

Avalanche multiplication exponent, BVN - Показатель степени лавинного умножения 4 (по умолчанию) | скаляр

Емкость

Gate-source capacitance per unit area, CGS - Емкость затвора-источника на единицу площади 1.24e-8 F/cm^2 (по умолчанию) | скаляр

Gate-drain oxide capacitance per unit area, COXD - Емкость оксидов затворов-стоков на единицу площади 3.5e-8 F/cm^2 (по умолчанию) | скаляр

Gate-drain overlap depletion threshold, VTD - Порог истощения перекрытия затворов-стоков 1e-3 V (по умолчанию) | скаляр

Specify initial condition - Указать ли начальное условие No (по умолчанию) | Yes

Initial condition voltage ICVGE - Исходное напряжение ICVGE 0 V (по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Initial condition voltage ICVCE - Исходное напряжение ICVCE 0 V (по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Температура

Model temperature dependence using - Модель температурной зависимости Device temperature (по умолчанию) | Fixed temperature

Fixed circuit temperature, TFIXED - Фиксированная температура контура 300.15 K (по умолчанию) | положительный скаляр

Зависимости

Parameter extraction temperature, TMEAS - Температура отбора параметров 300.15 K (по умолчанию) | положительный скаляр

Offset local circuit temperature, TOFFSET - Смещение температуры локального контура 0 K (по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Ссылки

Расширенные возможности

Создание кода C/C + + Создайте код C и C++ с помощью Simulink ® Coder™

См. также

Блоки Simscape

Функции

Темы

Документация Simscape Electrical

Поддержка

`gx` - Клемма затвора
электрический

`cx` - Клемма коллектора
электрический

`ex` - Клемма эмиттера
электрический

`Gate-drain overlap area, AGD` - Зона перекрытия затворов-стоков
`5.0e-6` `m^2` (по умолчанию) | положительный скаляр

`Area of the device, AREA` - Область устройства
`1.0e-5` `m^2` (по умолчанию) | положительный скаляр

`Number of parallel devices, SCALE` - Количество параллельных устройств
`1` (по умолчанию) | положительное целое число

`Electron mobility, MUN` - Подвижность электрона
`1.5e3` `cm^2/s/V` (по умолчанию) | скаляр

`Hole mobility, MUP` - Подвижность отверстия
`4.5e2` `cm^2/s/V` (по умолчанию) | скаляр

`Base doping, NB` - Допинг базы
`2e14` `1/cm^3` (по умолчанию) | скаляр

`Triode region factor, KF` - Коэффициент области триода
`1` (по умолчанию)

`MOS transconductance, KP` - МОП-проводимость
`0.38` `A/V^2` (по умолчанию) | скаляр

`Threshold voltage, VT` - Пороговое напряжение
`4.7` `V` (по умолчанию) | скаляр

`Transverse field factor, THETA` - Коэффициент поперечного поля
`0.02` `1/V` (по умолчанию) | скаляр

`Ambipolar recombination lifetime, TAU` - Время жизни амбиполярной рекомбинации
`7.1e-6` `s` (по умолчанию) | скаляр

`Metallurgical base width, WB` - Ширина металлургического основания
`9.0e-5` `m` (по умолчанию) | скаляр

`Emitter saturation current density, JSNE` - Плотность тока насыщения эмиттера
`6.5e-13` `A/cm^2` (по умолчанию) | скаляр

`Avalanche uniformity factor, BVF` - Коэффициент лавинной однородности
`1` (по умолчанию) | скаляр

`Avalanche multiplication exponent, BVN` - Показатель степени лавинного умножения
`4` (по умолчанию) | скаляр

`Gate-source capacitance per unit area, CGS` - Емкость затвора-источника на единицу площади
`1.24e-8` `F/cm^2` (по умолчанию) | скаляр

`Gate-drain oxide capacitance per unit area, COXD` - Емкость оксидов затворов-стоков на единицу площади
`3.5e-8` `F/cm^2` (по умолчанию) | скаляр

`Gate-drain overlap depletion threshold, VTD` - Порог истощения перекрытия затворов-стоков
`1e-3` `V` (по умолчанию) | скаляр

`Specify initial condition` - Указать ли начальное условие
`No` (по умолчанию) | `Yes`

`Initial condition voltage ICVGE` - Исходное напряжение ICVGE
`0` `V` (по умолчанию) | скаляр

`Initial condition voltage ICVCE` - Исходное напряжение ICVCE
`0` `V` (по умолчанию) | скаляр

`Model temperature dependence using` - Модель температурной зависимости
`Device temperature` (по умолчанию) | `Fixed temperature`

`Fixed circuit temperature, TFIXED` - Фиксированная температура контура
`300.15` `K` (по умолчанию) | положительный скаляр

`Parameter extraction temperature, TMEAS` - Температура отбора параметров
`300.15` `K` (по умолчанию) | положительный скаляр

`Offset local circuit temperature, TOFFSET` - Смещение температуры локального контура
`0` `K` (по умолчанию) | скаляр

Создание кода C/C + +
Создайте код C и C++ с помощью Simulink ® Coder™