exponenta event banner

Параметризация экспоненциального диода из сетевого списка SPICE

Если таблица не содержит всех данных, требуемых для модели компонента, другим источником является список соединений SPICE для компонента. Компоненты определяются определенным типом списка соединений SPICE, называемым подсхемой. Подсхема определяет коэффициенты для определяющих уравнений. Большинство производителей комплектующих делают субсхемы доступными на своих веб-сайтах. Формат ASCII, и можно непосредственно считывать параметры. Субсхема BZX384-B4V3 может быть получена от Philips Semiconductors.

Данные подсхемы могут использоваться для параметризации блока Simscape™ Electrical™ Diode либо совместно с таблицей данных, либо самостоятельно. Например, омическое сопротивление определяется в подконтуре как RS = 0,387, таким образом обеспечивая недостающую часть информации в примере 2.

Альтернативный рабочий процесс заключается в использовании поддиапазона Simscape Electrical Additional Components/SPICE Semiconductors. Диодный блок SPICE в этой поддиодной библиотеке может быть непосредственно параметризован из подмикросхемы путем установки следующих параметров:

  • Ток насыщения, от IS до 1.033e-15

  • Омическое сопротивление, RS к 0.387

  • Коэффициент выбросов, от N до 1.001

  • Емкость перехода с нулевым смещением, CJO к 2.715e-10

  • Потенциал соединения, VJ к 0.7721

  • Коэффициент профилирования, от M до 0.3557

  • Коэффициент емкости, от FC до 0.5

  • Ток обратного пробоя, IBV - 0.005

  • Напряжение обратного пробоя, от BV до 4.3

Следует отметить, что при наличии однозначного соответствия между параметрами подмикросхемы и значениями таблицы данных эти числа часто различаются. Одной из причин этого является то, что значения таблицы данных иногда задаются для максимальных значений, в то время как значения подконтуров обычно задаются для номинальных значений. В этом примере значение CJO 271,5 pF отличается от емкости листа данных 450 pF при нулевом смещении по этой причине.