| Ограничитель тока | Поведенческая модель ограничителя тока |
| Диод | Кусочный или экспоненциальный диод |
| Драйвер литника | Поведенческая модель интегральной схемы драйвера затвора |
| GTO | Тиристор отключения затвора |
| Драйвер полумоста | Поведенческая модель интегральной схемы драйвера полумоста |
| Идеальный полупроводниковый коммутатор | Идеальный полупроводниковый коммутатор |
| IGBT (идеальный, коммутационный) | Идеальный биполярный транзистор с изолированным затвором для коммутации |
| MOSFET (идеальный вариант, переключение) | Идеальный N-канальный MOSFET для коммутации приложений |
| N-канальный IGBT | Биполярный транзистор с N-канальной изоляцией |
| N-канальный JFET | Полевой транзистор N-канального перехода |
| N-канальный полевой транзистор LDMOS | N-канальные латерально диффузные металлоксидные полупроводниковые транзисторы или вертикально диффузные металлоксидные полупроводниковые транзисторы, подходящие для высокого напряжения |
| N-канальный MOSFET | Полупроводниковый полевой транзистор на основе оксида металла N-канала, использующий либо уравнение Шихмана-Ходжа, либо модель на основе поверхностного потенциала |
| Биполярный транзистор NPN | Биполярный транзистор NPN с использованием усовершенствованных уравнений Эберса-Молля |
| Optocoupler | Поведенческая модель оптопары как светодиод, датчик тока и управляемый источник тока |
| P-канал JFET | Полевой транзистор P-канального перехода |
| P-канал LDMOS FET | P-канальные латерально диффундирующие полупроводниковые оксиды металлов или вертикально диффундирующие металлоксидные полупроводниковые транзисторы, подходящие для высокого напряжения |
| P-канал MOSFET | Полупроводниковый полевой транзистор на основе оксида металла P-канала, использующий либо уравнение Шихмана-Ходжа, либо модель на основе поверхностного потенциала |
| Биполярный транзистор PNP | Биполярный транзистор PNP с использованием усовершенствованных уравнений Эберса-Молля |
| Импорт MOSFET SPICE | Предопределенный MOSFET, параметризованный внешней подсистемой SPICE |
| Тиристор | Тиристор с использованием транзисторов NPN и PNP |
| Тиристор (кусочно-линейный) | Тиристор |
ee_getEfficiency | Рассчитать эффективность как функцию рассеянных потерь мощности |
ee_getPowerLossSummary | Расчет потерь рассеиваемой мощности и потерь при переключении |
ee_getPowerLossTimeSeries | Расчет потерь рассеиваемой мощности и потерь при переключении, а также возврат данных временных рядов |
Параметризация блоков из таблиц данных
Обзор методов, используемых для определения параметров блока в соответствии с данными из спецификаций изготовителя.
Параметризация кусочно-линейной диодной модели из таблицы данных
Задайте параметры блока для кусочно-линейного диода в соответствии с данными из таблиц данных изготовителя.
Параметризация экспоненциального диода из таблицы данных
Задайте параметры блока для экспоненциального диода в соответствии с данными из таблиц данных изготовителя.
Параметризация экспоненциального диода из сетевого списка SPICE
Задайте параметры блока для экспоненциального диода в соответствии с данными списка соединений SPICE.
Моделирование тепловых эффектов в полупроводниках
Моделирование генерируемого тепла и температуры устройства с помощью тепловых портов.
График основных характеристик полупроводниковых блоков
График I-V кривой для модели полупроводникового прибора, основанный на значениях параметров блока.
Средство просмотра характеристик MOSFET
Проверьте поведение модели MOSFET на основе заданных значений параметров.