SPICE NMOS

Совместимый с SPICE N-канал MOSFET

  • Библиотека:
  • Simscape/Электрический/Дополнительные компоненты/Полупроводники SPICE

  • SPICE NMOS block

Описание

Блок SPICE NMOS представляет собой полупроводниковый полупроводник (MOS) с отрицательным каналом (N-Channel), совместимый с SPICE. Если напряжение затвора-источника увеличивает увеличения проводимости канала. Если напряжение затвора-источника уменьшается, проводимость канала уменьшается.

SPICE, или Simulation Program с упором на интегральные схемы, является инструментом симуляции для электронных схем. Можно преобразовать некоторые подсхемы SPICE в эквивалентные модели Simscape™ Electrical™ с помощью блоков Environment Parameters и SPICE-совместимых блоков из библиотеки дополнительных компонентов. Для получения дополнительной информации смотрите subcircuit2ssc.

Переменные уравнения

Переменные для SPICE NMOS блочных уравнений включают:

  • Переменные, которые вы задаете, задавая параметры для блока SPICE NMOS. Видимость некоторых параметров зависит от значения, которое вы задаете для других параметров. Для получения дополнительной информации см. раздел « Параметры».

  • Скорректированные по геометрии переменные, которые зависят от нескольких значений, которые вы задаете используя параметры для блока SPICE NMOS. Для получения дополнительной информации см. Раздел «Скорректированные по геометрии Переменные».

  • Температура, T, которая 300.15 K по умолчанию. Можно использовать другое значение, задавая параметры для блока SPICE NMOS или задавая параметры как для блока SPICE NMOS, так и для блока Environment Parameters. Для получения дополнительной информации см. Раздел «Температура транзистора»

  • Минимальная проводимость, GMIN, которая 1e-12 1/Ohm по умолчанию. Можно использовать другое значение, задав параметр для блока Environment Parameters. Для получения дополнительной информации см. «Минимальная проводимость».

  • Тепловое напряжение, Vtn. Для получения дополнительной информации см. «Тепловое напряжение».

Переменные с поправкой на геометрию

Несколько переменных в уравнениях для модели MOSFET N-канала SPICE рассматривают геометрию устройства, которое представляет блок. Эти переменные с поправкой на геометрию зависят от переменных, которые вы задаете, задавая SPICE NMOS параметры блоков. Переменные с поправкой на геометрию зависят от этих переменных:

  • AREA - Площадь устройства

  • SCALE - Количество параллельно подключенных устройств

  • Связанная нескорректированная переменная

Таблица включает скорректированные по геометрии переменные и определяющие уравнения.

ПеременнаяОписаниеУравнение
KPdПреобразование с поправкой на геометрию

KPd=KP*AREA*SCALE

ISdСкорректированный по геометрии ток массового насыщения

ISd=IS*AREA*SCALE

JSdСкорректированная по геометрии плотность тока насыщения объемного соединения

JSd=JS*AREA*SCALE

CBDdСкорректированная по геометрии емкость насыпного дренажа с нулевым смещением

CBDd=CBD*AREA*SCALE

CBSdСкорректированная по геометрии емкость с нулевым смещением с объемным источником

CBSd=CBS*AREA*SCALE

CGSOdСкорректированный по геометрии затвор-источник перекрывает емкость

CGSOd=CGSO*AREA*SCALE

CGDOdРегулируемая геометрией емкость перекрытия затвора-стока

CGDOd=CGDO*AREA*SCALE

CGBOdСкорректированная по геометрии затворная емкость с объемным перекрытием

CGBOd=CGBO*AREA*SCALE

CJСкорректированная по геометрии нижняя емкость на площадь соединения

CJd=CJ*AREA*SCALE

CJSWРегулируемая геометрией емкость боковой стенки на периметр соединения

CJSWd=CJSW*AREA*SCALE

RDdСкорректированное по геометрии сопротивление дренажа

RDd=RDAREA*SCALE

RSdСкорректированное по геометрии сопротивление источника

RSd=RSAREA*SCALE

RSHdСкорректированное по геометрии сопротивление листа

RSHd=RSHAREA*SCALE

Температура транзистора

Существуют две различные опции определения температуры транзистора, T:

  • Фиксированная температура - блок использует температуру, которая независима от температуры схемы, когда Model temperature dependence using параметр в Temperature параметрах настройки SPICE NMOS блок установлен на Fixed temperature. Для этой модели наборы блоков T равными TFIXED.

  • Температура устройства - блок использует температуру, которая зависит от температуры схемы, когда Model temperature dependence using параметр в Temperature параметрах настройки SPICE NMOS блок установлен на Device temperature. Для этой модели блок определяет температуру как

    T=TC+TOFFSET

    Где:

    • TC - температура контура.

      Если в схеме нет Environment Parameters блока, TC равно 300,15 K.

      Если есть Environment Parameters, блок в схеме, TC равен значению, которое Вы определяете для Temperature параметра в SPICE параметрах настройки Environment Parameters блок. Значение по умолчанию для параметра Temperature 300.15 K.

    • TOFFSET - смещенная температура локального контура.

Минимальная проводимость

Минимальная проводимость, GMIN, имеет значение по умолчанию 1e–12 1/Ohm. Чтобы задать другое значение:

  1. Если в схеме еще нет Environment Parameters блока, добавьте его.

  2. В настройках SPICE блока Environment Parameters задайте желаемое значение GMIN для параметра GMIN.

Тепловое Напряжение

Vtn - тепловое напряжение, которое определяется как

Vtn=Nk*Tq

Где:

  • N - коэффициент выбросов.

  • T - температура транзистора. Для получения дополнительной информации см. Раздел «Температура транзистора»

  • k - константа Больцмана.

  • q - элементарный заряд электрона.

Расчеты параметров

Таблицы показывают, как блок SPICE NMOS определяет некоторые из его параметров на основе значений, которые вы задаете.

Сопротивление дренажа

Значения параметровСкорректированное по геометрии сопротивление стока транзистора
Drain resistance, RDSheet resistance, RSHNumber of drain squares, NRD
NaNNaNNaN0
NaNRSHNaN0
NaNNaNNRD0
RDNaN или RSHNaN или NRDRDd
NaNRSHNRDRSHd * NRD

Сопротивление источника

Значения параметровСкорректированное по геометрии сопротивление источника транзистора
Source resistance, RSSheet resistance, RSHNumber of source squares, NRS
NaNNaNNaN0
NaNRSHNaN0
NaNNaNNRS0
RSNaN или RSHNaN или NRSRSd
NaNRSHNRSRSHd * NRS

Транспроводимость и поверхностная подвижность

Значения параметровПреобразование с регулировкой геометрии (уровень 1), в A/V2Преобразование с регулировкой геометрии (уровень 3), в A/V2Подвижность поверхности (уровень 3), в см2/ s/V
Oxide thickness, TOXSurface mobility, U0Transconductance, KP
NaNNaNNaN2e-5 (значение по умолчанию)2e-5 (значение по умолчанию)600 (значение по умолчанию)
NaNNaNKPKPdKPd600
NaNU0NaN2e-5UO * EPXox / 1e-7U0
NaNU0KPKPdKPdU0
TOXNaNNaN600* EPXox / TOX600* EPXox / TOX600
TOXNaNKPKPdKPd600
TOXU0NaNUO * EPXox / TOXUO * EPXox / TOXU0
TOXU0KPKPdKPdU0

Толщина оксида и пороговое напряжение

Значения параметровПоверхностный потенциал, PHI (уровень 1), в VПороговое напряжение, VTO (уровень 1), в VПоверхностный потенциал, PHI (уровень 3), в VПороговое напряжение, VTO (уровень 3), в V
Oxide thickness, TOXSubstrate doping, NSUBSurface potential, PHIThreshold voltage, VTO
NaNNaNNaNNaN0.6 (значение по умолчанию)0 (значение по умолчанию)0.6 (значение по умолчанию)0 (значение по умолчанию)
NaNNaNNaNVTO0.6VTO0.6VTO
NaNNaNPHINaNPHI0PHI0
NaNNaNPHIVTOPHIVTOPHIVTO
NaNNSUBNaNNaN0.60PHI (1e-7, NSUB)VTO (1e-7, NSUB)
NaNNSUBNaNVTO0.6VTOPHI (1e-7, NSUB)VTO
NaNNSUBPHINaNPHI0PHIVTO (1e-7, NSUB)
NaNNSUBPHIVTOPHIVTOPHIVTO
TOXNaNNaNNaN0.600.60
TOXNaNNaNVTO0.6VTO0.6VTO
TOXNaNPHINaNPHI0PHI0
TOXNaNPHIVTOPHIVTOPHIVTO
TOXNSUBNaNNaNPHI (NSUB, TOX)VTO (NSUB, TOX)PHI (NSUB, TOX)VTO (NSUB, TOX)
TOXNSUBNaNVTOPHI (NSUB, TOX)VTOPHI (NSUB, TOX)VTO
TOXNSUBPHINaNPHIVTO (NSUB, TOX)PHIVTO (NSUB, TOX)
TOXNSUBPHIVTOPHIVTOPHIVTO

Где PHI (NSUB, TOX), PHI (1e-7, NSUB), VTO (NSUB, TOX), и VTO (1e-7, NSUB) получаются с помощью этих уравнений:

PHI=2kTqln(NSUBni)

GAMMA=2qεsiNSUBCox

VFB=φMSqNSSCoxVTO=VFB+PHI+GAMMA*PHI.

Модель диода с массовым исходным кодом

Таблица показывает уравнения, которые определяют зависимость между током массового источника, Ibs и напряжением массового источника, Vbs. При необходимости параметры модели сначала настраиваются на температуру. Для получения дополнительной информации см. «Температурная зависимость».

Применимая область значений Vbs значенийСоответствующее Ibs уравнение

Vbs>80*Vtn

Ibs=ISbs*((VbsVtn79)e801)+Vbs*Gmin

80VtnVbs

Ibs=ISbs*(eVbs/Vtn1)+Vbs*Gmin

Где:

  • ISbs является током массового насыщения, таким что, если:

    • JSd0 и AS0, ISbs=JSd*AS.

      Где:

      • JSd - скорректированная по геометрии плотность тока насыщения объемного соединения.

      • AS является исходной областью.

    • Если JSd=0 или AS=0, ISbs=ISd, где ISd - скорректированный по геометрии ток массового насыщения.

  • Vtn - тепловое напряжение. Для получения дополнительной информации см. «Тепловое напряжение».

  • Gmin - это минимальная проводимость. Для получения дополнительной информации см. «Минимальная проводимость».

Модель диода насыпной дренажной системы

Таблица показывает уравнения, которые определяют зависимость между Ibd тока массового стока и напряжением массового стока, Vbd. При необходимости параметры модели сначала настраиваются на температуру. Для получения дополнительной информации см. «Температурная зависимость».

Применимая область значений Vbd значенийСоответствующее Ibd уравнение

Vbd>80*Vtn

Ibd=ISbd*((VbdVtn79)e801)+Vbd*Gmin

80VtnVbd

Ibd=ISbd*(eVbd/Vtn1)+Vbd*Gmin

Где:

  • ISbd является током массового стока, таким образом:

    • Если JSd0 и AD0, ISbd=JSd*AD.

      Где:

      • JSd - скорректированная по геометрии плотность тока насыщения объемного соединения.

      • AD - площадь дренажа.

    • Если JSd=0 или AD=0, ISbd=ISd, где ISd - скорректированный по геометрии ток массового насыщения.

  • Vtn - тепловое напряжение. Для получения дополнительной информации см. «Тепловое напряжение».

  • Gmin - это минимальная проводимость. Для получения дополнительной информации см. «Минимальная проводимость».

Модель тока слива уровня 1

В этой таблице показана связь между током стока, Id и напряжением стока-источника, Vds, в режиме normal mode (Vds ≥ 0). При необходимости параметры модели сначала настраиваются на температуру.

Режим Normal Mode

Применимая область значений Vgs и Vds значенийСоответствующее Id уравнение

Vgs-Von0

Id=0

0<Vgs-VonVds

Id=BETA*(VgsVon)2(1+LAMBDA*Vds)2

0<Vds<Vgs-Von

Id=BETA*Vds((Vgs-Von)-Vds2)(1+LAMBDA*Vds)

Где:

  • Von зависит от Vbs и PHI.

    Применимое соотношение Vbs и PHI значенийСоответствующее Von уравнение

    Vbs0

    Von=MTYPE*VBI+GAMMAPHIVbs

    0<Vbs2*PHI

    Von=MTYPE*VBI+GAMMA(PHIVbs2PHI)

    Vbs>2*PHI

    Von=MTYPE*VBI

  • MTYPE равно 1.

  • BETA есть BETA=(KPd*WIDTH)/(LENGTH2*LD)

  • KP является:

    • Transconductance, KP, если этот параметр имеет числовое значение.

    • U0*3.9*ε0/TOX, если Transconductance, KP NaN и вы задаете значения как для Oxide thickness, TOX, так и для Substrate doping, NSUB параметров.

  • WIDTH - ширина канала.

  • LENGTH - длина канала.

  • LD - боковая диффузия.

  • VBI - это встроенное значение напряжения, используемое блоком в вычислениях. Значение является функцией от температуры. Для получения подробного определения см. «Температурная зависимость».

  • PHI является:

    • Surface potential, PHI, если этот параметр имеет числовое значение.

    • 2*kTmeas/q*log(NSUB/ni), если Surface potential, PHI NaN и вы задаете значения как для Oxide thickness, TOX, так и для Substrate doping, NSUB параметров.

  • LAMBDA - модуляция канала.

  • GAMMA является:

    • Bulk threshold, GAMMA, если этот параметр имеет числовое значение.

    • TOX*2*11.7*ε0*q*NSUB/(3.9*ε0), если Bulk threshold, GAMMA NaN и вы задаете значения как для Oxide thickness, TOX, так и для Substrate doping, NSUB параметров.

  • ε0 - диэлектрическая проницаемость свободного пространства, 8,854214871e-12 F/m.

  • ni - несущая концентрация внутреннего кремния, 1,45e10 см-3.

В этой таблице показана связь между Id тока стока и напряжением стока-источника, Vds в обратном режиме (Vds < 0). При необходимости параметры модели сначала настраиваются на температуру.

Обратный режим

Применимая область значений Vgd и Vds значенийСоответствующее Id уравнение

Vgd-Von0

Id=0

0<Vgd-VonVds

Id=BETA(VgdVon)2(1LAMBDA*Vds)/2

0<Vds<VgdVon

Id=BETA*Vds((Vgd-Von)+Vds/2)(1LAMBDA*Vds)

Von зависит от Vbd и PHI.

Применимое соотношение Vbs и PHI значенийСоответствующее Von уравнение

Vbd0

Von=MTYPE*VBI+GAMMAPHIVbd

0<Vbd2*PHI

Von=MTYPE*VBI+GAMMA(PHIVbs2PHI)

Vbd>2*PHI

Von=MTYPE*PHI

Модель тока слива уровня 3

Блок предоставляет следующую модель для тока стока, Ids в режим normal mode (Vds0) после корректировки применимых параметров модели для температуры.

IDS=IDS0*ScaleVMAX*ScaleLChan*ScaleINV

Где:

Блок использует ту же модель для тока стока в обратном режиме (Vds<0), со следующими заменами:

VbsVbsVds

VgsVgsVds

VdsVds

Базовая модель тока стока

Отношение между током стока, Ids и напряжением стока-источника, Vds является

IDS0=BETA*Fgate*(VGSXVTH1+FB2*VDSX)*VDSX

Где:

  • BETA вычисляется как описано в модели тока слива уровня 1.

  • FGATE вычисляется как

    Fgate=11+THETA*(VgsxVTH)

    Где:

    • THETA моделирует зависимость мобильности от напряжения затвора-источника.

    • Vgsx=max(VGS,Von)

  • Если вы задаете ненулевое значение для параметра Fast surface state density, NFS, блок вычисляет Von используя это уравнение:

    Von=VTH+xnVT

    В противном случае,

    Von=VTH

  • Блок вычисляет xn как

    xn=1+q*NFSCOX+(GAMMA*Fs*Vbulk+Fn*VbulkWIDTH)2*Vbulk

  • Блок вычисляет Vbulk следующим образом:

    • Если

      VBS0,

      Vbulk=PHIVBS.

    • В противном случае блок вычисляет Vbulk как

      Vbulk=PHI(1+VBS2*PHI)2

  • Тепловое напряжение, такое что

    VT=kTq

  • Блок вычисляет VTH используя следующее уравнение:

    VTH=VBI8.15e22*ETACOX*(LENGTH2*LD)3*VDS+GAMMA*Fs*Vbulk+Fn*Vbulk

    Для получения информации о том, как блок вычисляет VBI, см. «Температурная зависимость».

  • ETA является Vds dependence threshold volt, ETA.

  • COX=εoxTOX,

    Где εox - диэлектрическая проницаемость оксида, а TOX - Oxide thickness, TOX.

  • Если вы задаете ненулевое значение для параметра Junction depth, XJ и значение для параметра Substrate doping, NSUB, блок вычисляет Fs, используя эти уравнения:

    α=2εsiqNSUB

    XD=α

    wc=.0631353+.8013292*XD*VbulkXJ.01110777*(XD*VbulkXJ)2+LDXJ

    Fs=1(wc*1(XD*VbulkXJ+XD*Vbulk)2LDXJ)

    Где εsi - диэлектрическая проницаемость кремния.

    В противном случае,

    Fs=1

  • Блок вычисляет FB как

    FB=GAMMA*Fs4*Vbulk+Fn

  • Блок вычисляет Fn как

    Fn=DELTA*π*εsi2*COX*WIDTH

  • DELTA - эффект ширины на порог.

  • VDSX является меньшим из VDS и напряжения насыщения, Vdsat.

    • Если вы задаете положительное значение для параметра Max carrier drift velocity, VMAX, блок вычисляет Vdsat с помощью следующего уравнения:

      Vdsat=VgsxVTH1+FB+(LENGTH2*LD)*VMAXUO*Fgate(VgsxVTH1+FB)2+((LENGTH2*LD)*VMAXUO*Fgate)2

      В противном случае блок вычисляет Vdsat как

      Vdsat=VgsxVTH1+FB

Масштабирование насыщения по скорости

Если вы задаете положительное значение для параметра Max carrier drift velocity, VMAX, блок вычисляет ScaleVMAX как

ScaleVMAX=11+UO*Fgate(LENGTH2*LD)*VMAX*VDSX

В противном случае,

ScaleVMAX=1

Масштабирование модуляции длины канала

Блок масштабирует ток стока, чтобы учесть модуляцию длины канала, если блок удовлетворяет всем следующим критериям:

  • VDS>Vdsat

  • Значение Max carrier drift velocity, VMAX меньше или равно нулю или α ненулевое.

Блок масштабирует ток стока с помощью следующего уравнения:

ScaleLChan=11Δl(LENGTH2*LD)

Вычислять Δl блок:

  1. Вычисляет промежуточное значение Δl0.

    • Если вы задаете положительное значение для параметра Max carrier drift velocity, VMAX, блок вычисляет промежуточное значение, gdsat как больше 1e-12 и результат следующего уравнения:

      IDS0*(111+Scalegdsat*VDSX)*Scalegdsat

      Где:

      Scalegdsat=UO*Fgate(LENGTH2*LD)*VMAX

      Затем блок использует следующее уравнение, чтобы вычислить промежуточное значение и l0:

      Δl0=(KA*IDS2*(LENGTH2*LD)*gdsat)2+KA*(VDSVdsat)KA*IDS2*(LENGTH2*LD)*gdsat

      Где

      KA=KAPPA*α.

    • В противном случае блок использует следующее уравнение, чтобы вычислить промежуточное значение Δl0 как

      Δl=KA*(VDSVdsat)

  2. Блок проверяет прохождение пуансона и вычисляет Δl.

    • Если

      Δl0>(LENGTH2*LD)/2,

      блок вычисляет Δl используя следующее уравнение:

      Δl=(1(LENGTH2*LD)4*Δl0)*(LENGTH2*LD)

    • В противном случае,

      Δl=Δl0.

Слабое масштабирование инверсии

Если VGS меньше Von, блок вычисляет ScaleINV с помощью следующего уравнения:

ScaleINV=eVgsVonxn*VT

В противном случае,

ScaleINV=1

Модель заряда соединения

Блок моделирует Заряды перекрытия соединений и Заряды Массовых Соединений.

Затраты на перекрытие соединений

Блок вычисляет следующие заряды перекрытия соединений:

  • QGS=CGSOd*WIDTH*Vgs

    Где:

    • QGS - заряд перекрытия затвора-источника.

    • CGSOd - скорректированная по геометрии емкость перекрытия затвора-источника.

    • WIDTH - ширина канала.

  • QGD=CGDOd*WIDTH*Vgd

    Где:

    • QGD - заряд перекрытия затвора-стока.

    • CGDOd - регулируемая по геометрии емкость перекрытия затвора-стока.

  • QGB=CGBOd*(LENGTH2*LD)*Vgb

    Где:

    • QGB - заряд перекрытия затвора.

    • CGBOd - скорректированная по геометрии затворно-объемная емкость перекрытия.

    • LENGTH - длина канала.

    • LD - боковая диффузия.

Сборы за массовые соединения

В этой таблице показана зависимость между нижним соединением насыпной дренажной системы Qbottom и напряжением соединения, Vbd. При необходимости параметры модели сначала настраиваются на температуру.

Применимая область значений Vbd значенийСоответствующее Qbottom уравнение
Vbd<FC*PB

Qbottom=CBDd*PB*(1-(1-VbdPB)1MJ)1MJ если CBDd>0

Qbottom=CJd*AD*PB*(1-(1-VbdPB)1MJ)1MJ в противном случае.

VbdFC*PB

Qbottom=CBDd*(F1+F3*(Vbd-FC*PB)+MJ*(Vbd2-(FC*PB)2)2*PBF2) если CBDd>0

Qbottom=CJd*AD*(F1+F3*(Vbd-FC*PB)+MJ*(Vbd2-(FC*PB)2)2*PBF2) в противном случае.

Где:

  • PB - потенциал объемного соединения.

  • FC - коэффициент емкости.

  • CBDd - скорректированная по геометрии емкость свободного стока с нулевым смещением.

  • CJd - скорректированная по геометрии нижняя емкость на площадь соединения.

  • AD - площадь дренажа.

  • MJ - коэффициент нижнего градиента.

  • F1=PB*(1-(1-FC)1MJ)1MJ

  • F2=(1-FC)1+MJ

  • F3=1-FC*(1+MJ)

Чтобы вычислить нижний заряд соединения с массовым источником, блок заменяет переменные в уравнениях в предыдущей таблице. Блок заменяет:

  • Vbs для Vbd

  • AS для AD

  • CBSd для CBDd

В этой таблице показана взаимосвязь между Qsidewall соединения боковых стенок насыпной дренажной системы и Vbd напряжения соединения. При необходимости параметры модели сначала настраиваются на температуру.

Применимая область значений Vbd значенийСоответствующее Qsidewall уравнение
Vbd<FC*PB

Qsidewall=CJSWd*PD*PB*(1-(1-VbdPB)1MGSW)1MGSW

VbdFC*PB

Qsidewall=CJSWd*PD*(F1+F3*(Vbd-FC*PB)+MGSW*(Vbd2-(FC*PB)2)2*PBF2)

Где:

  • CJSWd - скорректированная по геометрии емкость боковой стенки на периметр соединения.

  • PD - периметр стока.

  • MGSW - боковой коэффициент профилирования.

  • F1=PB*(1-(1-FC)1MJSW)1MJSW

  • F2=(1-FC)1+MJSW

  • F3=1-FC*(1+MJSW)

Чтобы вычислить массовый заряд соединения боковой стенки и напряжение соединения боковой стенки, блок заменяет переменные в уравнениях в предыдущей таблице. Блок заменяет:

  • Vbs для Vbd

  • PS для PD

Емкостная модель

Блок SPICE NMOS позволяет вам смоделировать модель емкости транзистора тремя различными способами:

Модель емкости затвора Майера

Эта таблица показывает взаимосвязь между рабочими областями транзистора и емкостями затвора, слива затвора и источника затвора.

Оперативная областьЛитник-навал, Cgb, сток-затвор, Cgd и источник затвора, Cgs, уравнения
Область накопления, Vgb<VFBCgb=CoxtCgd=0Cgs=0
Область истощения, Vgs<VTHCgb=Coxt1+4GAMMA2*(VgbVFB)Cgd=0Cgs=0
Область насыщения, VgsVTH<Vdsесли Vds<Vsatmin затем:если VdsVsatmin затем:
Cgb=0Cgd=23(CoxtCgb)(1(Vsatmin)2(2VsatminVds)2)Cgs=23(CoxtCgb)(1(VsatminVds)2(2VsatminVds)2)Cgb=0Cgd=0Cgs=23(CoxtCgb)
Линейная область, VgsVTH>VdsCgb=0Cgd=23(CoxtCgb)*(1(VgsVTH)2(2*(VgsVTH)Vds)2)Cgs=23(CoxtCgb)*(1(VgsVTHVds)2(2*(VgsVTH)Vds)2)

где:

  • Coxt=WIDTH*(LENGTH2*LD)*COX*AREA*SCALE

  • VFB=VBI*MTYPEPHI - напряжение плоского диапазона.

  • Vsatmin - это минимальное напряжение насыщения. Это предопределенный параметр, равный 1 V.

Эти уравнения являются непрерывными между областью истощения и областью накопления и прерывистыми между областью истощения и инверсией. Другие инструменты SPICE применяют функции сглаживания между областями инверсии и истощения.

Cgb=WIDTH*LENGTH*COX(1+4GAMMA2*(VTHVbsVFB))m*smoothingsmoothing=1(1+4GAMMA2*(VgsVTH))m

где m является предопределенной константой сглаживания.

Модель емкости сохранения зарядов

Эта таблица показывает взаимосвязь между рабочими областями транзистора и затвором, массой, каналом, стоком и исходными зарядами для MOS уровня 1.

Оперативная областьLevel-1 уравнения зарядов
Область накопления, Vgb<VFBQg=Coxt*(VgbVFB)Qb=Coxt*(VgbVFB)Qc=0Qd=0Qs=QcQd
Область истощения, Vgs<VTHQg=0.5*Coxt*GAMMA2*(11+4GAMMA2*(VgbVFB))Qb=0.5*Coxt*GAMMA2*(11+4GAMMA2*(VgbVFB))Qc=0Qd=0Qs=QcQd
Область насыщения, VgsVTH<VdsQg=Coxt*(VgsVFBPHIVgsVTH3)Qb=Coxt*(VTHVFBPHI)Qc=Coxt*(VgsVTHVgsVTH3)Qd=0Qs=QcQd
Линейная область, VgsVTH>VdsQg=Coxt*(VgsVFBPHIVds2+Vds212(VgsVTH0.5Vds))Qb=Coxt*(VTHVFBPHI)Qc=Coxt*(VgsVTHVds2+Vds212(VgsVTH0.5Vds))Qd=Coxt*(VgsVTH23Vds4+Vds28(VgsVTH0.5Vds))Qs=QcQd

где:

  • Qc=(Qg+Qb)=Qd+Qs - заряд в канале. Qc нужно разделить между Qd и Qs.

где:

  • Qg - заряд ворот.

  • Qb - массовый заряд.

  • Qd - сточный заряд.

  • Qs является исходным платежом.

  • Qc=(Qg+Qb)=Qd+Qs - заряд в канале. Qc нужно разделить между Qd и Qs.

Эта таблица показывает взаимосвязь между рабочими областями транзистора и затвором, навалом, каналом, стоком и исходными зарядами для MOS уровня 3.

Оперативная областьLevel-3 уравнения зарядов
Область накопления, Vgb<VFBQg=Coxt*(VgbVFB)SF1+SF2Qb=Coxt*(VgbVFB)SF1+SF2Qc=0Qd=0Qs=QcQd
Область истощения, Vgs<VTHQg=0.5*Coxt*GAMMA2*(11+4GAMMA2*(VgbVFB))SF1+SF2Qb=0.5*Coxt*GAMMA2*(11+4GAMMA2*(VgbVFB))+SF1SF2Qc=0Qd=0Qs=QcQd
Область насыщения, VgsVTH<VdsQg=Coxt*(VgsVFBPHI+ETA*VdsatVdsat2+1+FB12*Fi*Vdsat2)Qb=Coxt*(VTHVFBPHI+ETA*VdsatFb2*VdsFB*(1+FB)12*Fi*Vdsat2)Qc=Coxt*(VgsVTH1+FB2*Vdsat+(1+FB)212*Fi*Vdsat2)Qd=0Qs=QcQd
Линейная область, VgsVTH>VdsQg=Coxt*(VgsVFBPHI+ETA*VdsVds2+1+FB12*Fi*Vds2)Qb=Coxt*(VTHVFBPHI+ETA*Vds+FB2*VdsFB*(1+FB)12*Fi*Vds2)Qc=Coxt*(VgsVTH1+FB2*Vds+(1+FB)212*Fi*Vds2)Qd=Coxt*(VgsVTH23(1+FB)2*Vds+(1+FB)28*Fi*Vds2)Qs=QcQd

где:

  • Vdsat - напряжение насыщения

  • FB - коэффициент эффекта тела

  • ETA - пороговый коэффициент напряжения источника стока

  • Fi=VgsVTH1+FB2*Vds

  • SF1=0.5*Coxt*GAMMA2*(1(1+4GAMMA2*2(VTHVbsVFB))0.5) и SF2=Coxt*(VTHVFBPHI) являются коэффициентами сглаживания между областями истощения и накопления, чтобы помочь с сходимостью.

Температурная зависимость

Транспроводимость как функция от температуры транзистора

KP(T)=KPd(TTmeas)3/2

Где:

  • KPd - преобразование, скорректированное по геометрии.

  • T - температура транзистора. Для получения дополнительной информации см. Раздел «Температура транзистора»

  • Tmeas - температура извлечения параметра.

Поверхностный потенциал как функция от температуры транзистора

PHI(T)=TTmeas(PHI+kTmeasq(log(Tmeas300.15)3+qk(1.115300.15EGTmeasTmeas)))kTq(log(T300.15)3+qk(1.115300.15EGTT))

Где:

  • PHI - поверхностный потенциал.

  • k - константа Больцмана.

  • q - элементарный заряд на электроне, 1.6021918e-19 C.

  • EG является энергией активации, такой что:

    • EGTmeas=1.16eV-(7.02e-4*Tmeas2)/(Tmeas+1108)

    • EGT=1.16eV-(7.02e-4*T2)/(T+1108)

Встроенное напряжение как функция от температуры транзистора

VBI(T)=VTO+MTYPE*(PHI(T)PHI2GAMMAPHI)+EGTmeasEGT2

Где:

  • VBI - это встроенное напряжение.

  • VTO - пороговое напряжение. VTO зависит от значения, заданного для параметра Threshold voltage, VTO в настройках DC currents. Если вы задаете числовое значение, VTO оценивается как это значение. Если вы задаете нечисловое значение (NAN) и вы задаете числовые значения для параметров Oxide thickness, TOX и Substrate doping, NSUB в настройках Process, затем VTO оценивается как Φ3.25+EGTmeas/2+MTYPE*PHI/2NSS*q*TOX/(3.9*ε0)+MTYPE*(GAMMA*PHI+PHI), Где:

    • Φ зависит от типа затвора, который вы задаете используя параметр Gate type, TPG. Если вы задаете Aluminum (0), Φ=3.2. В противном случае, Φ=3.25+EGTmeas/2MTYPE*TPG*EGTmeas/2, Где:

      • MTYPE является типом транзистора. Для N-канала MOSFET, MTYPE = 1.

      • TPG представляет тип ворот, а также зависит от опции, заданной для параметра Gate type, TPG в настройках Process. Если вы задаете

        • Opposite of substrate (1)TPG = 1

        • Same as substrate (-1)TPG =-1

    • NSS - плотность состояния поверхности.

    • TOX - толщина оксида.

    • ε0 - диэлектрическая проницаемость свободного пространства.

    • GAMMA - основной порог. GAMMA зависит от значения, заданного для параметра Bulk threshold, GAMMA в настройках DC currents. Если вы задаете числовое значение, GAMMA оценивается как это значение. Если вы задаете нечисловое значение (NAN) и вы задаете числовые значения для параметров Oxide thickness, TOX и Substrate doping, NSUB в настройках Process, затем VTO оценивается как TOX*2*11.7*ε0*q*NSUB/(3.9*ε0), где NSUB - легирование субстрата.

Большой ток насыщения как функция от температуры транзистора,

IS(T)=ISd*eqEGTND*kT+qEGTmeasND*kTmeas

Где:

  • ISd - скорректированный по геометрии ток массового насыщения.

  • ND - коэффициент выбросов.

Плотность тока насыщения объемного соединения как функция от температуры транзистора

JS(T)=JSd*eqEGTND*kT+qEGTmeasND*kTmeas

Где JSd - скорректированная по геометрии плотность тока насыщения объемного соединения.

Потенциал массового соединения как функция от температуры транзистора является

PB(T)=PB+kTmeasq(log(Tmeas300.15)3+qk(1.115300.15EGTmeasT))TmeasTkTq(log(T300.15)3+qk(1.115300.15EGTT))

Где PB - потенциал объемного соединения.

Емкость соединения большой дренажной системы как функция от температуры транзистора является

CBD(T)=CBDdpbo+MJ*(4*104*(T300.15)*pbo(PB(T)pbo))pbo+MJ*(4*104*(Tmeas300.15)*pbo(PBpbo))

Где:

  • CBDd - геометрия, скорректированная с учетом нулевого смещения емкости насыпного дренажа.

  • MJ - коэффициент нижнего градиента.

  • pbo=PB+kTmeasq(log(Tmeas300.15)3+qk(1.115300.15EGTmeasT))Tmeas300.15

Блок использует CBD(T) уравнение, чтобы вычислить:

  • Емкость соединения с объемным источником путем подстановки CBSd, регулируемая геометрией емкость массового источника с нулевым смещением, для CBDd.

  • Емкость нижнего соединения путем замены CJd, скорректированная по геометрии нижняя емкость на площадь соединения для CBDd.

Отношение между емкостью соединения боковой стенки CJSW и температурой транзистора, T, является

CJSW(T)=CJSWdpbo+MJSW*(4*104*(T300.15)*pbo(PB(T)pbo))pbo+MJSW*(4*104*(Tmeas300.15)*pbo(PBpbo))

Где:

  • CJSWd - боковая регулируемая геометрией емкость боковой стенки на периметр соединения.

  • MJSW - боковой коэффициент профилирования.

Допущения и ограничения

  • Блок не поддерживает анализ шума.

  • Блок применяет начальные условия через конденсаторы соединений, а не через блочные порты.

Порты

Сохранение

расширить все

Электрический порт сопоставлен с выводом транзистора.

Электрический порт сопоставлен с выводом стока транзистора.

Электрический порт сопоставлен с выводом источника транзистора.

Электрический порт сопоставлен с клеммой транзистора.

Параметры

расширить все

Выбор модели

Опции модели дренажного тока MOSFET:

Зависимости

Настройка, которую вы выбираете для MOS model, влияет на видимость определенных параметров в настройках DC Currents и Process.

Размерности

Коэффициент площади транзистора для масштабирования. Значение должно быть больше 0.

Количество параллельных образцов MOS, которые представляет блок. Этот параметр умножает ток выхода и заряд устройства. Значение должно быть больше 0.

Длина канала между истоком и стоком.

Ширина канала между истоком и стоком.

Площадь диффузии стока транзистора. Значение должно быть больше или равно 0.

Площадь диффузии источника транзистора. Значение должно быть больше или равно 0.

Периметр диффузии стока транзистора. Значение должно быть больше или равно 0.

Периметр диффузии источника транзистора. Значение должно быть больше или равно 0.

Резисторы

Количество квадратов сопротивления, образующих диффузию стока транзистора. Значение должно быть больше или равно 0. Блок использует это значение параметра только, если вы не задаете одно или оба значения параметров Drain resistance, RD и Source resistance, RS, как описано в Parameters Calculations.

Количество квадратов сопротивления, образующих диффузию источника транзистора. Значение должно быть больше или равно 0. Блок использует это значение параметра только, если вы не задаете одно или оба значения параметров Drain resistance, RD и Source resistance, RS, как описано в Parameters Calculations.

Сопротивление стока транзистора. Значение должно быть больше или равно 0.

Сопротивление источника транзистора. Значение должно быть больше или равно 0.

Сопротивление на квадрат источника транзистора и стока. Проверьте Parameters Calculations, чтобы увидеть, когда блок использует этот параметр. Значение должно быть больше или равно 0.

Токи постоянного тока

Напряжение затвора-источника, выше которого транзистор производит ненулевой ток стока. Если вы присвоите этому параметру значение NaNблок вычисляет значение из заданных значений параметров Oxide thickness, TOX и Substrate doping, NSUB. Для получения дополнительной информации об этом вычислении см. «Температурная зависимость».

Производная тока стока относительно напряжения затвора. Значение должно быть больше или равно 0. Если вы присвоите этому параметру значение NaNблок вычисляет значение из заданных значений параметров Oxide thickness, TOX и Substrate doping, NSUB. Для получения дополнительной информации об этом вычислении смотрите Модель тока стока уровня 1 или Модель тока стока уровня 3 в зависимости от выбранного значения параметра MOS model.

Параметр эффекта тела, который связывает пороговое напряжение VTH с смещением тела, VBS, как описано в модели тока стока уровня 1 и модели тока стока уровня 3. Значение должно быть больше или равно 0. Если вы присвоите этому параметру значение NaNблок вычисляет значение из заданных значений параметров Oxide thickness, TOX и Substrate doping, NSUB. Для получения дополнительной информации об этом вычислении смотрите Модель тока стока уровня 1 или Модель тока стока уровня 3 в зависимости от выбранного значения параметра MOS model.

В два раза больше напряжения, при котором концентрация поверхностного электрона становится равной внутренней концентрации, и устройство переходит между условиями истощения и инверсии. Значение должно быть больше или равно 0. Если вы присвоите этому параметру значение NaNблок вычисляет значение из заданных значений параметров Oxide thickness, TOX и Substrate doping, NSUB. Для получения дополнительной информации об этом вычислении смотрите Модель тока стока уровня 1 или Модель тока стока уровня 3 в зависимости от выбранного значения параметра MOS model.

Модуляция длины канала.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Level 1 MOS для параметра MOS model в настройках Model Selection.

Величина тока, к которому приближается соединение, асимптотически при очень больших уровнях обратного смещения. Значение должно быть больше или равно 0.

Коэффициент излучения транзистора или коэффициент идеальности. Значение должно быть больше 0.

Величина тока на единицу площади, к которой приближается соединение, асимптотически при очень больших уровнях обратного смещения. Значение должно быть больше или равно 0.

Коэффициент, который управляет эффектом ширины транзистора на пороговое напряжение.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Level 3 MOS для параметра MOS model в настройках Model Selection.

Максимальная скорость дрейфа носителей.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Level 3 MOS для параметра MOS model в настройках Model Selection.

Быстрая плотность состояния поверхности регулирует ток стока для уменьшения подвижности, вызванного напряжением затвора.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Level 3 MOS для параметра MOS model в настройках Model Selection.

Коэффициент, который управляет тем, как напряжение стока влияет на подвижность в вычислении тока стока.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Level 3 MOS для параметра MOS model в настройках Model Selection.

Коэффициент, который управляет тем, как напряжение затвора влияет на подвижность в вычислении тока стока.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Level 3 MOS для параметра MOS model в настройках Model Selection.

Коэффициент модуляции длины канала для модели MOS уровня 3.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Level 3 MOS для параметра MOS model в настройках Model Selection.

C-V

Опции для моделирования емкости затвора:

  • No intrinsic capacitance - Не включать емкость затвора в модель.

  • Meyer gate capacitances

  • Charge conservation capacitances

Опции для моделирования емкости перекрытия затвора:

  • No - Не включать емкость перекрытия затвора в модель.

  • Yes - Укажите источник затвора, сток затвора и насыпные емкости затвора.

Зависимости

Выбор Yes отображает связанные параметры.

Емкость затвора-источника от боковой диффузии источника. Значение должно быть равно 0 или больше или равно Cmin. Cmin является встроенной моделью константы, значение которой 1e-18.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Yes для параметра Model gate overlap capacitance (CGSO, CGDO, CGBO).

Емкость затвора-стока от боковой диффузии стока. Значение должно быть равно 0 или больше или равно Cmin. Cmin является встроенной моделью константы, значение которой 1e-18.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Yes для параметра Model gate overlap capacitance (CGSO, CGDO, CGBO).

Объемная емкость затвора от затвора, простирающегося за ширину канала. Значение должно быть равно 0 или больше или равно Cmin. Cmin является встроенной моделью константы, значение которой 1e-18.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Yes для параметра Model gate overlap capacitance (CGSO, CGDO, CGBO).

Опции для моделирования емкости соединения:

  • No - Не включать соединительную емкость в модель.

  • Yes - Задайте емкость перехода с нулевым смещением, потенциал соединения, коэффициент градиента, истощение прямого смещения и коэффициент емкости.

Зависимости

Выбор Yes отображает связанные параметры.

Емкость между массой и дренажем. Значение должно быть равно 0 или больше или равно Cmin. Cmin является встроенной моделью константы, значение которой 1e-18.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Yes для параметра Model junction capacitance (CBD, CBS).

Емкость между массой и источником. Значение должно быть равно 0 или больше или равно Cmin. Cmin является встроенной моделью константы, значение которой 1e-18.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Yes для параметра Model junction capacitance (CBD, CBS).

Потенциал через массовое соединение. Этот параметр видим только, когда вы выбираете Yes для параметра Model junction capacitance (CBD, CBS). Значение должно быть равно 0 или больше или равно VJmin. VJmin является встроенной моделью константы, значение которой 0.01.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Yes для параметра Model junction capacitance (CBD, CBS).

Нижняя емкость насыпного соединения с нулевым смещением на площадь соединения. Значение должно быть равно 0 или больше или равно Cmin. Cmin является встроенной моделью константы, значение которой 1e-18.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Yes для параметра Model junction capacitance (CBD, CBS).

Коэффициент нижнего градиента транзистора. Значение должно быть равно 0 или менее MGmax. MGmax является встроенной моделью константы, значение которой 0.9.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Yes для параметра Model junction capacitance (CBD, CBS).

Емкость боковой стенки объемного соединения с нулевым смещением на периметр соединения. Значение должно быть равно 0 или больше или равно Cmin. Cmin является встроенной моделью константы, значение которой 1e-18.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Yes для параметра Model junction capacitance (CBD, CBS).

Коэффициент сортировки боковой стенки транзистора. Значение должно быть равно 0 или менее MGmax. MGmax является встроенной моделью константы, значение которой 0.9.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Yes для параметра Model junction capacitance (CBD, CBS).

Коэффициент аппроксимации, который количественно определяет уменьшение емкости истощения при приложенном напряжении. Значение должно быть равно 0 или меньше или равно FCmax. FCmax является встроенной моделью константы, значение которой 0.95.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Yes для параметра Model junction capacitance (CBD, CBS).

Опции для определения начальных условий:

  • No - Не задавайте начальное условие для модели.

  • Yes - Задайте начальное напряжение транзистора.

    Примечание

    Блок применяет начальное напряжение транзистора через конденсаторы соединения, а не через порты.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите либо:

  • Model gate capacitance (CGS, CGD, CGB) с No intrinsic capacitance и оба Model gate overlap capacitance (CGSO, CGDO, CGBO) и Model junction capacitance (CBD, CBS), чтобы Yes.

  • Model gate capacitance (CGS, CGD, CGB) с Meyer gate capacitances или Charge conservation capacitances.

Напряжение стока-источника в начале симуляции.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Yes для параметра Specify initial condition.

Напряжение источника затвора в начале симуляции.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Yes для параметра Specify initial condition.

Объемное напряжение в начале симуляции.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Yes для параметра Specify initial condition.

Процесс

Толщина оксида затвора. Значение должно быть больше или равно 0.

Длина боковой диффузии.

Коэффициент подвижности поверхности нулевого смещения.

Легирование субстрата. Значение должно быть больше или равно 1.45e10(концентрация внутреннего кремния в носителе).

Материалы затвора МОП-транзисторов (по сравнению с подложкой):

  • Opposite of substrate - Материал затвора противоположен подложке. Это означает, что TPG = 1 в уравнениях устройства. Это опция по умолчанию.

  • Same as substrate - Материал затвора совпадает с материалом подложки. Это означает, что TPG = -1 в уравнениях устройства.

  • Aluminum - Материал затвора алюминий. Это означает, что TPG = 0 в уравнениях устройства.

Плотность поверхностного состояния.

Глубина соединения.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Level 3 MOS для параметра MOS model в настройках Model Selection.

Температура

Выберите одну из следующих опций для моделирования температурной зависимости транзистора:

  • Device temperature - Используйте температуру устройства, чтобы смоделировать температурную зависимость.

  • Fixed temperature - Используйте температуру, которая не зависит от температуры контура, чтобы смоделировать температурную зависимость.

Для получения дополнительной информации см. «Температурная зависимость».

Зависимости

Выбор Device temperature отображает параметр Offset local circuit temperature, TOFFSET. Выбор Fixed temperature отображает параметр Fixed circuit temperature, TFIXED.

Температура симуляции транзистора. Значение должно быть больше 0 K.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Fixed temperature для параметра Model temperature dependence using.

Температура, при которой измеряются параметры транзистора. Значение должно быть больше 0 K.

Величина, на которую температура транзистора отличается от температуры контура.

Зависимости

Этот параметр видим только, когда вы выбираете Device temperature для параметра Model temperature dependence using.

Ссылки

[1] Г. Массобрио и П. Антогнетти. Моделирование полупроводниковых устройств с помощью SPICE. 2-е издание. Нью-Йорк: McGraw-Hill, 1993.

[2] Ping Yang, et al. «Исследование проблемы сохранения заряда для симуляции схемы MOSFET». IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 18, no. 1, Feb. 1983, pp. 128-38. DOI.org (Crossref), doi:10.1109/JSSC.1983.1051909.

Расширенные возможности

Генерация кода C/C + +
Сгенерируйте код C и C++ с помощью Coder™ Simulink ®

.
Введенный в R2009a
Для просмотра документации необходимо авторизоваться на сайте