SPnT

Однополюсный переключатель с несколькими контактами

  • Библиотека:
  • RF Blockset/Огибающая цепи/Соединения

  • SPnT block

Описание

Блок SPnT моделирует один полюс с несколькими переключателями. Этот блок поддерживает как отражающий, так и поглощающий переключатели. Можно задать два-восемь выходных портов для коммутатора. Сигнал управления является Simulink® сигнал, подключенный к Ctl порт блока. Управляющий сигнал определяет, какой выходной порт передает входной сигнал. Когда вход в Ctl порт находится между одним и количеством выхода портов, Ctl значение сигналов округляется до ближайшее целого числа. Порт выхода, который соответствует целому значению, передает данные. Если закругленный Ctl значение сигналов не соответствует ни одному из выходных портов, тогда все выходные порты отключаются.

Порты

Вход

расширить все

Сигнал управления Simulink, заданный как скаляр.

Типы данных: double

Параметры

расширить все

Главный

Значение потерь вставки переключателя, заданное как конечный скаляр в децибелах. Задайте значение потерь при вставке больше нуля, но меньше, чем значение изоляции коммутатора. Для уравнения см. «Вставка потерь».

Значение изоляции переключателя, заданное как скаляр в децибелах. Задайте значение изоляции, больше, чем значение потерь при вставке коммутатора. Для уравнения см. «Изоляция».

Тип переключателя, заданный как Absorptive или Reflective.

Количество выходов для коммутатора, заданное как скаляр. Количество выходов должно быть больше или равно двум или меньше или равно восьми.

Порты, представляющие соответствие, требуемое для всех входных и выходных портов, задается как скаляр в омах. Если вы задаете Load type Absorptiveимпеданс, наблюдаемый во всех отключенных выходных портах, является значением, заданным в Port terminations.

Выберите этот параметр для внутреннего заземления и скрытия ссылки клемм. Чтобы открыть опорные клеммы, очистите этот параметр. Выставляя этот терминал, можно соединить его с другими частями вашей модели.

Подробнее о

расширить все

Ссылки

[1] Разави, Бехзад. Микроэлектроника РФ. Верхняя Седл-Ривер, Нью-Джерси: Prentice Hall, 2011.

См. также

| |

Введенный в R2018a