Three-Level Converter (Three-Phase)

Трехфазная трехуровневая нейтральная точка с двенадцатью импульсами зафиксировала управляемый конвертер

Библиотека:
Simscape / Электрический / Semiconductors & Converters / Конвертеры

Описание

Блок Three-Level Converter (Three-Phase) моделирует зафиксированный управляемый конвертер трехфазной трехуровневой нейтральной точки с двенадцатью импульсами. Можно использовать этот блок, чтобы соединить трехфазную сеть AC с трехуровневой сетью DC.

Модель

Блок содержит три плеча мостовой схемы, каждое из которых имеет четыре переключающихся устройства и связанные антипараллельные диоды. Опции для типа переключающихся устройств:

GTO
Идеальный полупроводниковый переключатель
IGBT
МОП-транзистор
Усредненный переключатель

Каждый компонент в схеме с тремя руками является тем же устройством переключения, которое вы задаете. Переключающиеся устройства совпадают с устройствами в подбиблиотеке Semiconductors> Fundamental Components.

Рисунок показывает эквивалентную схему для блока с помощью блока Ideal Semiconductor в качестве переключающегося устройства.

Вы управляете портами логического элемента 12 переключающихся устройств через вход к порту G блока Three-Level Converter (Three-Phase).

Используйте блок Twelve-Pulse Gate Multiplexer, чтобы мультиплексировать все 12 сигналов логического элемента в один вектор.
Соедините выход блока Twelve-Pulse Gate Multiplexer к порту G блока Three-Level Converter (Three-Phase).

Вы используете вкладку Diodes диалогового окна блока, чтобы включать интегральный защитный диод для каждого устройства переключения. Интегральный диод защищает полупроводниковое устройство путем обеспечения пути к проводимости для противоположного тока. Индуктивная нагрузка может произвести высокий скачок противоположного напряжения, когда полупроводниковое устройство внезапно выключает предоставление напряжения к загрузке.

Таблица показывает, как установить параметр Integral protection diode на основе ваших целей.

Цели	Значение, чтобы выбрать	Интегральный защитный диод
Приоритизируйте скорость симуляции.	`Diode with no dynamics`	Блок Diode
Приоритизируйте точность модели путем точного определения динамики заряда реверсного режима.	`Diode with charge dynamics`	Динамическая модель блока Diode

Вы используете вкладку Snubbers диалогового окна блока, чтобы включать схему демпфера для каждого устройства переключения. Каждый демпфер состоит из резистора и конденсатора, соединенного последовательно. Как правило, схема демпфера защищает переключающееся устройство от очень высоких напряжений, произведенных индуктивной нагрузкой, когда устройство выключает предоставление напряжения к загрузке. Схемы демпфера также предотвращают чрезмерные скорости изменения тока, когда включение устройства поворачивается.

Порты

Сохранение

развернуть все

`G` — Выводы затвора
электрический

Векторный входной порт сопоставлен с выводами затвора переключающихся устройств. Соедините этот порт с блоком Twelve-Pulse Gate Multiplexer.

`~` — Трехфазный порт
электрический

Расширяемый трехфазный порт.

Зависимости

Чтобы включить этот порт, установите Electrical connection на Composite three-phase ports.

`a` — a - фаза
электрический

Электрический порт сохранения, сопоставленный с a - фаза.

Зависимости

Чтобы включить этот порт, установите Electrical connection на Expanded three-phase ports.

`b` — b - фаза
электрический

Электрический порт сохранения, сопоставленный с b - фаза.

Зависимости

Чтобы включить этот порт, установите Electrical connection на Expanded three-phase ports.

`c` — c - фаза
электрический

Электрический порт сохранения, сопоставленный с c - фаза.

Зависимости

Чтобы включить этот порт, установите Electrical connection на Expanded three-phase ports.

`+` — Положительный терминал
электрический

Электрический порт сохранения сопоставил с DC положительный терминал.

— Нейтральный терминал
электрический

Электрический порт сохранения сопоставил с DC нейтральный терминал.

`-` — Отрицательный терминал
электрический

Электрический порт сохранения сопоставил с DC отрицательный терминал.

Параметры

развернуть все

`Electrical connection` — Электрическое соединение
`Composite three-phase ports` (значение по умолчанию) | `Expanded three-phase ports`

Иметь ли составной объект или расширил трехфазные порты.

`Switching device` — Переключение устройства
`Ideal Semiconductor Switch` (значение по умолчанию) | `GTO` | `IGBT` | `MOSFET` | `Averaged Switch`

Устройство переключения конвертера. Значением по умолчанию является Ideal Semiconductor Switch.

Переключающиеся устройства, которые можно выбрать:

Зависимости

Несколько дополнительных параметров станут видимыми в зависимости от выбора определенного устройства переключения.

Переключение устройств: GTO

Для получения дополнительной информации смотрите GTO.

Параметры для этого устройства переключения отобразятся, только если вы выбираете его в параметре Switching device.

`Forward voltage, Vf` — Передайте напряжение
0.8 `V` (значение по умолчанию)

Минимальное напряжение потребовало через порты блока анода и катода для градиента устройства i-v, чтобы характеристика была _1/Ron, где _Рон является значением On-state resistance.

`On-state resistance` — Сопротивление на состоянии
0.001 `Ohm` (значение по умолчанию)

Скорость изменения напряжения по сравнению с током выше прямого напряжения.

`Off-state Conductance` — Проводимость состояния Off
`1e-6` `1/Ohm` (значение по умолчанию)

Проводимость анодного катода, когда устройство выключено. Значение должно быть меньше 1/R, где R является значением On-state resistance.

`Gate trigger voltage, Vgt` — Пропустите триггерное напряжение
1 `V` (значение по умолчанию)

Порог напряжения катода логического элемента. Устройство включает, когда напряжение катода логического элемента выше этого значения.

`Gate turn-off voltage, Vgt_off` — Логический элемент выключает напряжение
-1 `V` (значение по умолчанию)

Порог напряжения катода логического элемента. Устройство выключает, когда напряжение катода логического элемента ниже этого значения.

`Holding current` — Текущее содержание
1 `A` (значение по умолчанию)

Текущий порог. Устройство остается, когда ток выше этого значения, даже когда напряжение катода логического элемента падает ниже триггерного напряжения логического элемента.

Переключение устройств: идеальный полупроводниковый переключатель

Для получения дополнительной информации смотрите Ideal Semiconductor Switch.

`On-state resistance` — Сопротивление на состоянии
0.001 `Ohm` (значение по умолчанию)

Сопротивление анодного катода, когда устройство работает.

`Off-state Conductance` — Проводимость состояния Off
`1e-6` `1/Ohm` (значение по умолчанию)

`Threshold voltage, Vth` — Пороговое напряжение
6 `V` (значение по умолчанию)

Переключение устройств: IGBT

Для получения дополнительной информации смотрите IGBT (Ideal, Switching).

`Forward voltage, Vf` — Передайте напряжение
0.8 `V` (значение по умолчанию)

Минимальное напряжение потребовало через коллектор и эмиттерные порты блока для градиента диода i-v, чтобы характеристика была _1/Ron, где _Рон является значением On-state resistance.

`On-state resistance` — Сопротивление на состоянии
0.001 `Ohm` (значение по умолчанию)

Сопротивление эмиттера коллектора, когда устройство работает.

`Off-state Conductance` — Проводимость состояния Off
`1e-6` `1/Ohm` (значение по умолчанию)

Эмиттерная коллектором проводимость, когда устройство выключено. Значение должно быть меньше 1/R, где R является значением On-state resistance.

`Threshold voltage, Vth` — Пороговое напряжение
6 `V` (значение по умолчанию)

Эмиттерное логическим элементом напряжение, при котором устройство включает.

Переключение устройств: MOSFET

Для получения дополнительной информации смотрите MOSFET (Ideal, Switching).

`Drain-source on resistance, R_DS(on)` — Источник дренажа на сопротивлении
0.001 `Ohm` (значение по умолчанию)

Сопротивление источника дренажа, когда устройство работает.

`Off-state Conductance` — Проводимость состояния Off
`1e-6` `1/Ohm` (значение по умолчанию)

Проводимость источника дренажа, когда устройство выключено. Значение должно быть меньше 1/R, где R является значением On-state resistance.

`Threshold voltage, Vth` — Пороговое напряжение
6 `V` (значение по умолчанию)

Порог напряжения источника логического элемента. Устройство включает, когда напряжение источника логического элемента выше этого значения.

Переключение устройств: усредненный переключатель

`On-state resistance` — Сопротивление на состоянии
0.001 `Ohm` (значение по умолчанию)

Сопротивление анодного катода, когда устройство работает.

Интегральные диоды

`Integral protection diode` — Интегральный защитный диод
`None` (значение по умолчанию) | `Diode with no dynamics` | `Diode with charge dynamics`

Интегральный защитный диод для каждого устройства переключения.

Диоды, которые можно выбрать:

Diode with no dynamics
Diode with charge dynamics

Примечание

Если вы выбираете Averaged Switch для параметра Switching Device в установке Switching Device этот параметр не отображается и Diode with no dynamics автоматически выбран.

`Forward voltage` — Передайте напряжение
0.8 `V` (значение по умолчанию)

Минимальное напряжение требуется через + и - блокируйте порты для градиента диода характеристика I-V, чтобы быть _1/Ron, где _Рон является значением On resistance.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите Integral protection diode на Diode with no dynamics или Diode with charge dynamics.

`On resistance` — На сопротивлении
0.001 `Ohm` (значение по умолчанию)

Скорость изменения напряжения по сравнению с током выше Forward voltage.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите Integral protection diode на Diode with no dynamics или Diode with charge dynamics.

`Off conductance` — От проводимости
`1e-5` `1/Ohm` (значение по умолчанию)

Проводимость обратно-смещенного диода.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите Integral protection diode на Diode with no dynamics или Diode with charge dynamics.