Минимальное напряжение потребовало через порты блока анода и катода для градиента устройства i-v, чтобы характеристика была _1/Ron, где _Рон является значением On-state resistance. Значением по умолчанию является 0.8 V.

Скорость изменения напряжения по сравнению с током выше прямого напряжения. Значением по умолчанию является 0.001 Ohm.

Проводимость анодного катода, когда устройство выключено. Значение должно быть меньше, чем 1/R, где R является значением On-state resistance. Значением по умолчанию является 1e-6 1/Ohm.

Порог напряжения катода логического элемента. Устройство включает, когда напряжение катода логического элемента выше этого значения. Значением по умолчанию является 1 V.

Порог напряжения катода логического элемента. Устройство выключает, когда напряжение катода логического элемента ниже этого значения. Значением по умолчанию является -1 V.

Текущий порог. Устройство остается, когда ток выше этого значения, даже когда напряжение катода логического элемента падает ниже триггерного напряжения логического элемента. Значением по умолчанию является 1 A.

Сопротивление анодного катода, когда устройство работает. Значением по умолчанию является 0.001 1/Ohm.

Проводимость анодного катода, когда устройство выключено. Значение должно быть меньше, чем 1/R, где R является значением On-state resistance. Значением по умолчанию является 1e-6 1/Ohm.

Порог напряжения катода логического элемента. Устройство включает, когда напряжение катода логического элемента выше этого значения. Значением по умолчанию является 6 V.

Минимальное напряжение потребовало через коллектор и эмиттерные порты блока для градиента диода i-v, чтобы характеристика была _1/Ron, где _Рон является значением On-state resistance. Значением по умолчанию является 0.8 V.

Сопротивление эмиттера коллектора, когда устройство работает. Значением по умолчанию является 0.001 Ohm.

Эмиттерная коллектором проводимость, когда устройство выключено. Значение должно быть меньше, чем 1/R, где R является значением On-state resistance. Значением по умолчанию является 1e-6 1/Ohm.

Эмиттерное логическим элементом напряжение, при котором устройство включает. Значением по умолчанию является 6 V.

Сопротивление источника дренажа, когда устройство работает. Значением по умолчанию является 0.001 Ohm.

Проводимость источника дренажа, когда устройство выключено. Значение должно быть меньше, чем 1/R, где R является значением On-state resistance. Значением по умолчанию является 1e-6 1/Ohm.

Порог напряжения источника логического элемента. Устройство включает, когда напряжение источника логического элемента выше этого значения. Значением по умолчанию является 6 V.

Передайте напряжение, при котором устройство включает. Значением по умолчанию является 0.8 V.

Сопротивление анодного катода, когда устройство работает. Значением по умолчанию является 0.001 Ohm.

Проводимость анодного катода, когда устройство выключено. Значение должно быть меньше, чем 1/R, где R является значением On-state resistance. Значением по умолчанию является 1e-6 1/Ohm.

Порог напряжения катода логического элемента. Устройство включает, когда напряжение катода логического элемента выше этого значения. Значением по умолчанию является 1 V.

Текущий порог. Устройство остается, когда ток выше этого значения, даже когда напряжение катода логического элемента падает ниже триггерного напряжения логического элемента. Значением по умолчанию является 1 A.

Минимальное напряжение потребовало через порты блока + и - для градиента диода, чтобы характеристика I-V была _1/Ron, где _Рон является значением On resistance. Значением по умолчанию является 0.8 V.

Скорость изменения напряжения по сравнению с током выше Forward voltage. Значением по умолчанию является 0.001 Ohm.

Проводимость обратно-смещенного диода. Значением по умолчанию является 1e-5 1/Ohm.

Минимальное напряжение потребовало через порты блока + и - для градиента диода, чтобы характеристика I-V была _1/Ron, где _Рон является значением On resistance. Значением по умолчанию является 0.8 V.

Скорость изменения напряжения по сравнению с током выше Forward voltage. Значением по умолчанию является 0.001 Ohm.

Проводимость обратно-смещенного диода. Значением по умолчанию является 1e-5 1/Ohm.

Диодная емкость перехода. Значением по умолчанию является 50 nF.

Пиковый противоположный ток измеряется внешней схемой тестирования. Это значение должно быть меньше, чем нуль. Значением по умолчанию является -235 A.

Начальная буква, вперед текущая при измерении пикового противоположного тока. Это значение должно быть больше, чем нуль. Значением по умолчанию является 300 A.

Скорость изменения тока при измерении пикового противоположного тока. Это значение должно быть меньше, чем нуль. Значением по умолчанию является -50 A/μs.

Определяет, как вы задаете противоположное время восстановления в блоке. Значением по умолчанию является Specify reverse recovery time directly.

Если вы выбираете Specify stretch factor или Specify reverse recovery charge, вы задаете значение что использование блока, чтобы вывести противоположное время восстановления. Для получения дополнительной информации об этих опциях смотрите Альтернативы Определению trr Непосредственно.

Интервал между временем, когда ток первоначально переходит к нулю (когда диод выключает), и время, когда текущие падения меньше чем к 10% пикового противоположного тока. Значением по умолчанию является 15 μs.

Этот параметр видим, только если вы устанавливаете Reverse recovery time parameterization на Specify reverse recovery time directly.

Значение параметра Reverse recovery time, trr должно быть больше, чем значение параметра Peak reverse current, iRM, разделенного на значение параметра Rate of change of current when measuring iRM.

Значение, что использование блока, чтобы вычислить Reverse recovery time, trr. Это значение должно быть больше, чем 1. Значением по умолчанию является 3.

Этот параметр видим, только если вы устанавливаете Reverse recovery time parameterization на Specify stretch factor.

Определение фактора фрагмента является более легким способом параметризовать противоположное время восстановления, чем определение противоположного обратного заряда. Чем больше значение фактора фрагмента, тем дольше это берет для противоположного восстановления, текущего, чтобы рассеяться.

Значение, что использование блока, чтобы вычислить Reverse recovery time, trr. Используйте этот параметр, если таблица данных для вашего диодного устройства задает значение для противоположного обратного заряда вместо значения в течение противоположного времени восстановления.

Противоположный обратный заряд является общим зарядом, который продолжает рассеиваться, когда диод выключает. Значение должно быть меньше, чем $$-\frac{i^2{}_{RM}}{2a},$$

где:

Значением по умолчанию является 1500 μAs.

Параметр видим, только если вы устанавливаете Reverse recovery time parameterization на Specify reverse recovery charge.