Двунаправленный конвертер DC-DC

Управляемое контроллерами двунаправленное повышение DC-DC и регулятор напряжения понижения

Библиотека:
Simscape / Электрический / Semiconductors & Converters / Конвертеры

Описание

Блок Bidirectional DC-DC Converter представляет конвертер, который подходит или понижает напряжение постоянного тока с любой стороны конвертера к другому, как управлял присоединенный контроллер и генератор сигнала логическим элементом. Двунаправленные конвертеры DC-DC полезны для переключения между аккумулированием энергии и использованием, например, в электромобилях.

Блок Bidirectional DC-DC Converter позволяет вам моделировать неизолированный конвертер с двумя переключающимися устройствами или изолированный конвертер с шестью переключающимися устройствами. Опции для типа переключающихся устройств:

GTO — Пропустите запираемый тиристор. Для получения информации о характеристике I-V устройства см. GTO.
Идеальный полупроводниковый переключатель — для получения информации о характеристике I-V устройства, смотрите Идеальный Полупроводниковый Переключатель.
IGBT — Биполярный транзистор с изолированным затвором. Для получения информации о характеристике I-V устройства см. IGBT (Идеал, Переключаясь).
MOSFET — Полевой транзистор металлооксидного полупроводника N-канала. Для получения информации о характеристике I-V устройства смотрите MOSFET (Идеал, Переключаясь).
Тиристор — для получения информации о характеристике I-V устройства, смотрите Тиристор (Кусочный Линейный).

Модель

Каждый из двух образцовых вариантов для блока Bidirectional DC-DC Converter соответствует опции Block choice. Чтобы получить доступ к выбору блока, в окне модели, щелкают правой кнопкой по блоку, и затем используют любой из этих методов:

Из контекстного меню выберите Simscape> Block choices.
На Редакторе Simulink^® панель меню выберите View> Property Inspector. В окне Property Inspector кликните по значению Block choice.

Образцовые варианты:

Неизолированный конвертер — Двунаправленный конвертер DC-DC без электрического барьера. Этот образцовый вариант содержит индуктор, два конденсатора и два переключателя, которые имеют тот же тип устройства. Этим выбором блока является значение по умолчанию.
Изолированный конвертер — Двунаправленный конвертер DC-DC с электрическим барьером. Этот образцовый вариант содержит четыре дополнительных переключателя, которые формируют весь мост. Весь мост находится на входе или высоковольтной (HV) стороне конвертера. Другие два переключателя находятся на выводе или низковольтной (LV) стороне конвертера. Можно выбрать различные полупроводниковые типы для HV и устройств переключения LV. Например, можно использовать GTO для HV переключающиеся устройства и IGBT для устройств переключения LV. Чтобы обеспечить разделение между напряжениями ввода и вывода, модель использует высокочастотный преобразователь.

Защита

Блок содержит интегральный защитный диод для каждого устройства переключения. Интегральный диод защищает полупроводниковое устройство путем обеспечения пути к проводимости для противоположного тока. Индуктивная нагрузка может произвести высокий скачок противоположного напряжения, когда полупроводниковое устройство внезапно выключает предоставление напряжения к загрузке.

Чтобы сконфигурировать внутренний блок защитного диода, используйте параметры Protection Diode. Эта таблица показывает, как установить параметр Model dynamics на основе ваших целей.

Цели	Значение, чтобы выбрать	Интегральный защитный диод
Приоритизируйте скорость симуляции.	`Protection diode with no dynamics`	Блок Diode
Приоритизируйте точность модели путем точного определения динамики заряда реверсного режима.	`Protection diode with charge dynamics`	Динамическая модель блока Diode

Можно также включать схему демпфера для каждого устройства переключения. Схемы демпфера содержат подключенный последовательно резистор и конденсатор. Они защищают переключающиеся устройства от высоких напряжений, которые производят индуктивные нагрузки, когда устройство выключает предоставление напряжения к загрузке. Схемы демпфера также предотвращают чрезмерные уровни текущего изменения, когда включение устройства поворачивается.

Чтобы включать и сконфигурировать схему демпфера для каждого устройства переключения, используйте параметры Snubbers.

Контрольно-пропускная служба

Соединять сигналы напряжения контрольно-пропускной службы Simulink с портами логического элемента переключающихся устройств:

Преобразуйте каждый сигнал напряжения использование блока Simulink-PS Converter.
Мультиплексируйте конвертированные сигналы логического элемента в один вектор. Для неизолированной модели конвертера используйте блок Two-Pulse Gate Multiplexer. Для изолированной модели конвертера используйте блок Six-Pulse Gate Multiplexer.
Соедините векторный сигнал с портом G.

Предположения

Исходный импеданс или ненулевое сопротивление эквивалентного ряда (ESR) соединяются с левой стороной блока Bidirectional DC-DC Converter.

Порты

Сохранение

развернуть все

`G` Переключение управления затвором устройства
электрический | вектор

Электрический порт сохранения сопоставлен с выводами затвора переключающихся устройств.

Типы данных: double

`1+` — Положительное напряжение постоянного тока 1
электрический | скаляр

Электрический порт сохранения сопоставлен с положительным терминалом первого напряжения постоянного тока.

Типы данных: double

`1-` — Отрицательное напряжение постоянного тока 1
электрический | скаляр

Электрический порт сохранения сопоставлен с отрицательным терминалом первого напряжения постоянного тока.

Типы данных: double

`2+` — Положительное напряжение постоянного тока 2
электрический | скаляр

Электрический порт сохранения сопоставлен с положительным терминалом второго напряжения постоянного тока.

Типы данных: double

`2-` — Отрицательное напряжение постоянного тока 2
электрический | скаляр

Электрический порт сохранения сопоставлен с отрицательным терминалом второго напряжения постоянного тока.

Типы данных: double

Параметры

развернуть все

Переключение устройств

Эти таблицы показывают, как видимость параметров Switching Devices зависит от модели конвертера и переключающихся устройств, которые вы выбираете. Чтобы изучить, как считать таблицу, смотрите Зависимости от Параметра.

Неизолированный конвертер, переключающий зависимости от параметра устройств

Параметры и опции
Переключение устройства
`Ideal Semiconductor Switch`	`GTO`	`IGBT`	`MOSFET`	`Thyristor`
Сопротивление на состоянии	Передайте напряжение	Передайте напряжение	Источник дренажа на сопротивлении	Передайте напряжение
Проводимость несостояния	Сопротивление на состоянии	Сопротивление на состоянии	Проводимость несостояния	Сопротивление на состоянии
Пороговое напряжение	Проводимость несостояния	Проводимость несостояния	Пороговое напряжение	Проводимость несостояния
	Пропустите триггерное напряжение, Vgt	Пороговое напряжение		Пропустите триггерное напряжение, Vgt
	Логический элемент выключает напряжение, Вгт_офф			Логический элемент выключает напряжение, Вгт_офф
	Текущее содержание			Текущее содержание

Изолированный конвертер, переключающий зависимости от параметра устройств

Параметры и опции
Переключение устройства HV
`Ideal Semiconductor Switch`	`GTO`	`IGBT`	`MOSFET`	`Thyristor`
Сопротивление на состоянии HV	Передайте напряжению HV	Передайте напряжению HV	Источник дренажа на сопротивлении HV	Передайте напряжению HV
Проводимость несостояния HV	Сопротивление на состоянии HV	Сопротивление на состоянии HV	Проводимость несостояния HV	Сопротивление на состоянии HV
Пороговое напряжение HV	Проводимость несостояния HV	Проводимость несостояния HV	Пороговое напряжение HV	Проводимость несостояния HV
	Пропустите триггерное напряжение HV, Vgt_hv	Пороговое напряжение HV		Пропустите триггерное напряжение HV, Vgt_hv
	Логический элемент выключает напряжение HV, Vgt_off_hv			Логический элемент выключает напряжение HV, Vgt_off_hv
	Содержание текущего HV			Содержание текущего HV
Переключение LV устройства
`Ideal Semiconductor Switch`	`GTO`	`IGBT`	`MOSFET`	`Thyristor`
LV сопротивления на состоянии	Передайте LV напряжения	Передайте LV напряжения	Источник дренажа на LV сопротивления	Передайте LV напряжения
LV проводимости несостояния	LV сопротивления на состоянии	LV сопротивления на состоянии	LV проводимости несостояния	LV сопротивления на состоянии
Пороговый LV напряжения	LV проводимости несостояния	LV проводимости несостояния	Пороговый LV напряжения	LV проводимости несостояния
	Пропустите триггерный LV напряжения, Vgt	Пороговый LV напряжения		Пропустите триггерный LV напряжения, Vgt
	Логический элемент выключает LV напряжения, Vgt_off_lv			Логический элемент выключает LV напряжения, Vgt_off_lv
	Содержание текущего LV			Содержание текущего LV

`Switching device` — Переключите тип
`Ideal Semiconductor Switch` (значение по умолчанию) | `GTO` | `IGBT` | `MOSFET` | `Thyristor`

Переключение типа устройства для неизолированной модели конвертера.

Зависимости

См. таблицу Nonisolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Forward voltage` — Напряжение
`0.8` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

Для различных типов устройства переключения Forward voltage взят как:

GTO — Минимальное напряжение потребовало через порты блока анода и катода для градиента устройства, чтобы характеристика I-V была 1/_Ron, где _Ron является значением On-state resistance
IGBT — Минимальное напряжение потребовало через коллектор и эмиттерные порты блока для градиента диода i-v, чтобы характеристика была 1/_Ron, где _Ron является значением On-state resistance
Тиристор — Минимальное напряжение, требуемое для устройства включать

Зависимости

См. таблицу Nonisolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`On-state resistance` — Сопротивление
`0.001` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

Для различных типов устройства переключения On-state resistance взят как:

GTO — Скорость изменения напряжения по сравнению с током выше прямого напряжения
Идеальный полупроводниковый переключатель — сопротивление Анодного катода, когда устройство работает
IGBT — Сопротивление эмиттера коллектора, когда устройство работает
Тиристор — сопротивление Анодного катода, когда устройство работает

Зависимости

См. таблицу Nonisolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Drain-source on resistance` — Сопротивление
`0.001` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

Сопротивление между дренажом и источником, который также зависит от напряжения логического элемента к источнику.

Зависимости

См. таблицу Nonisolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Off-state conductance` — Проводимость
`1e-5` `1/Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

Проводимость, когда устройство выключено. Значение должно быть меньше, чем 1/R, где R является значением On-state resistance.

Для различных типов устройства переключения On-state resistance взят как:

GTO — Проводимость анодного катода
Идеальный полупроводниковый переключатель — проводимость Анодного катода
IGBT — Эмиттерная коллектором проводимость
MOSFET — Проводимость источника дренажа
Тиристор — проводимость Анодного катода

Зависимости

См. таблицу Nonisolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Threshold voltage` — Порог напряжения
`6` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

Порог напряжения затвора. Устройство включает, когда напряжение затвора выше этого значения. Для различных типов устройства переключения напряжение устройства интереса:

Идеальный полупроводниковый переключатель — Эмиттерное логическим элементом напряжение
IGBT — Напряжение катода логического элемента
MOSFET — Напряжение источника логического элемента

Зависимости

См. таблицу Nonisolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Gate trigger voltage, Vgt` — Порог напряжения
`1` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

Порог напряжения катода логического элемента. Устройство включает, когда напряжение катода логического элемента выше этого значения.

Зависимости

См. таблицу Nonisolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Gate turn-off voltage, Vgt_off` — Порог напряжения
`-1` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

Порог напряжения катода логического элемента. Устройство выключает, когда напряжение катода логического элемента ниже этого значения.

Зависимости

См. таблицу Nonisolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Holding current` — Текущий порог
`1` `A` (значение по умолчанию) | скаляр

Порог тока затвора. Устройство остается, когда ток выше этого значения, даже когда напряжение катода логического элемента падает ниже триггерного напряжения логического элемента.

Зависимости

См. таблицу Nonisolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Switching device HV` — Переключатель
`Ideal Semiconductor Switch` (значение по умолчанию) | `GTO` | `IGBT` | `MOSFET` | `Thyristor`

Переключение типа устройства для высоковольтной стороны изолированной модели конвертера.

Зависимости

См. таблицу Isolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Forward voltage HV` — Напряжение
`0.8` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

Для различных типов устройства переключения Forward voltage HV взят как:

GTO — Минимальное напряжение потребовало через порты блока анода и катода для градиента устройства, чтобы характеристика I-V была 1/_Ron, где _Ron является значением On-state resistance
IGBT — Минимальное напряжение потребовало через коллектор и эмиттерные порты блока для градиента диода i-v, чтобы характеристика была 1/_Ron, где _Ron является значением On-state resistance
Тиристор — Минимальное напряжение, требуемое для устройства включать

Зависимости

См. таблицу Isolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Drain-source on resistance HV` — Сопротивление
`0.001` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

См. таблицу Isolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`On-state resistance HV` — Сопротивление
`0.001` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

Для различных типов устройства переключения On-state resistance HV взят как:

GTO — Скорость изменения напряжения по сравнению с током выше прямого напряжения
Идеальный полупроводниковый переключатель — сопротивление Анодного катода, когда устройство работает
IGBT — Сопротивление эмиттера коллектора, когда устройство работает
Тиристор — сопротивление Анодного катода, когда устройство работает

Зависимости

См. таблицу Isolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Off-state conductance HV` — Проводимость
`1e-5` `1/Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

Проводимость, когда устройство выключено. Значение должно быть меньше, чем 1/R, где R является значением On-state resistance HV.

Для различных типов устройства переключения On-state resistance HV взят как:

GTO — Проводимость анодного катода
Идеальный полупроводниковый переключатель — проводимость Анодного катода
IGBT — Эмиттерная коллектором проводимость
MOSFET — Проводимость источника дренажа
Тиристор — проводимость Анодного катода

Зависимости

См. таблицу Isolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Threshold voltage HV` — Порог напряжения
`6` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

Идеальный полупроводниковый переключатель — Эмиттерное логическим элементом напряжение
IGBT — Напряжение катода логического элемента
MOSFET — Напряжение источника логического элемента

Зависимости

См. таблицу Isolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Gate trigger voltage HV, Vgt_hv` — Порог напряжения
`1` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

См. таблицу Isolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Gate turn-off voltage HV, Vgt_off_hv` — Порог напряжения
`-1` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

См. таблицу Isolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Holding current HV` — Текущий порог
`1` `A` (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

См. таблицу Isolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Switching device LV` — Переключатель
`Ideal Semiconductor Switch` (значение по умолчанию) | `GTO` | `IGBT` | `MOSFET` | `Thyristor`

Переключение типа устройства для низковольтной стороны изолированной модели конвертера.

Зависимости

См. таблицу Isolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Forward voltage LV` — Напряжение
`0.8` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

Для различных типов устройства переключения Forward voltage LV взят как:

GTO — Минимальное напряжение потребовало через порты блока анода и катода для градиента устройства, чтобы характеристика I-V была 1/_Ron, где _Ron является значением On-state resistance
IGBT — Минимальное напряжение потребовало через коллектор и эмиттерные порты блока для градиента диода i-v, чтобы характеристика была 1/_Ron, где _Ron является значением On-state resistance
Тиристор — Минимальное напряжение, требуемое для устройства включать

Зависимости

См. таблицу Isolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Drain-source on resistance LV` — Сопротивление
`0.001` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

См. таблицу Isolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`On-state resistance LV` — Сопротивление
`0.001` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

Для различных типов устройства переключения On-state resistance LV взят как:

GTO — Скорость изменения напряжения по сравнению с током выше прямого напряжения
Идеальный полупроводниковый переключатель — сопротивление Анодного катода, когда устройство работает
IGBT — Сопротивление эмиттера коллектора, когда устройство работает
Тиристор — сопротивление Анодного катода, когда устройство работает

Зависимости

См. таблицу Isolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Off-state conductance LV` — Проводимость
`1e-5` `1/Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

Проводимость, когда устройство выключено. Значение должно быть меньше, чем 1/R, где R является значением On-state resistance LV.

Для различных типов устройства переключения On-state resistance LV взят как:

GTO — Проводимость анодного катода
Идеальный полупроводниковый переключатель — проводимость Анодного катода
IGBT — Эмиттерная коллектором проводимость
MOSFET — Проводимость источника дренажа
Тиристор — проводимость Анодного катода

Зависимости

См. таблицу Isolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Threshold voltage LV` — Порог напряжения
`6` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

Идеальный полупроводниковый переключатель — Эмиттерное логическим элементом напряжение
IGBT — Напряжение катода логического элемента
MOSFET — Напряжение источника логического элемента

Зависимости

См. таблицу Isolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Gate trigger voltage LV, Vgt_lv` — Порог напряжения
`1` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

См. таблицу Isolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Gate turn-off voltage LV, Vgt_off_lv` — Порог напряжения
`-1` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

См. таблицу Isolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

`Holding current LV` — Текущий порог
`1` `A` (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

См. таблицу Isolated Converter Switching Devices Parameter Dependencies.

Защитный диод

Видимость параметров Protection Diode зависит от того, как вы конфигурируете защитный диод параметры Reverse recovery time parameterization и Model dynamics. Чтобы изучить, как считать эту таблицу, смотрите Зависимости от Параметра.

Зависимости от параметра защитного диода

Параметры и опции
Образцовая динамика
Защитный диод без динамики	Защитный диод с динамикой заряда
Передайте напряжение	Передайте напряжение
На сопротивлении	На сопротивлении
От проводимости	От проводимости
	Емкость перехода
	Пиковый противоположный ток, iRM
	Начальная буква, вперед текущая при измерении iRM
	Скорость изменения тока при измерении iRM
	Противоположная параметризация времени восстановления
	`Specify stretch factor`	`Specify reverse recovery time directly`	`Specify reverse recovery charge`
	Противоположное время восстановления расширяет фактор	Противоположное время восстановления, trr	Противоположный обратный заряд, Qrr

Модель `Model dynamics` — Diode
`Protection diode with no dynamics` (значение по умолчанию) | `Protection diode with charge dynamics`

Диодный тип. Опции:

Diode with no dynamics — Выберите эту опцию, чтобы приоритизировать скорость симуляции с помощью блока Diode.
Diode with charge dynamics — Выберите эту опцию, чтобы приоритизировать точность модели с точки зрения динамики заряда реверсного режима с помощью коммутационной диодной модели блока Diode.

Зависимости

См. таблицу Protection Diode Parameter Dependencies.

`Forward voltage` — Напряжение
`0.8` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

Минимальное напряжение потребовало через положительные и отрицательные порты блока для градиента диода, чтобы характеристика I-V была 1/_Ron, где _Ron является значением On resistance.

`On resistance` — Сопротивление
`0.001` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

Скорость изменения напряжения по сравнению с током выше Forward voltage.

`Off conductance` — Проводимость
`1e-5` `1/Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

Проводимость обратно-смещенного диода.

`Junction capacitance` — Емкость
`50` `nF` (значение по умолчанию) | скаляр

Диодная емкость перехода.

Зависимости

См. таблицу Protection Diode Parameter Dependencies.

`Peak reverse current, iRM` — Текущий
`-235` `A` (значение по умолчанию) | скаляр меньше, чем `0`

Пиковый противоположный ток измеряется внешней схемой тестирования.

Зависимости

См. таблицу Protection Diode Parameter Dependencies.

`Initial forward current when measuring iRM` — Текущий
`300` `A` (значение по умолчанию) | скаляр, больше, чем `0`

Начальная буква, вперед текущая при измерении пикового противоположного тока. Это значение должно быть больше, чем нуль.

Зависимости

См. таблицу Protection Diode Parameter Dependencies.

`Rate of change of current when measuring iRM` — Текущий уровень изменения
`-50` `A/us` (значение по умолчанию) | скаляр

Скорость изменения тока при измерении пикового противоположного тока.

Зависимости

См. таблицу Protection Diode Parameter Dependencies.

`Reverse recovery time parameterization` — Разовая восстановлением модель
`Specify stretch factor` (значение по умолчанию) | `Specify reverse recovery time directly` | `Specify reverse recovery charge`

Модель для параметризации времени восстановления. Когда вы выбираете Specify stretch factor или Specify reverse recovery charge, можно задать значение что использование блока, чтобы вывести противоположное время восстановления. Для получения дополнительной информации об этих опциях смотрите Альтернативы Определению trr Непосредственно.

Зависимости

См. таблицу Protection Diode Parameter Dependencies.

`Reverse recovery time stretch factor` — Фактор фрагмента
`3` (значение по умолчанию) | скаляр, больше, чем `1`

Значение, что использование блока, чтобы вычислить Reverse recovery time, trr. Определение фактора фрагмента является более легким способом параметризовать противоположное время восстановления, чем определение противоположного обратного заряда. Чем больше значение фактора фрагмента, тем дольше это берет для противоположного восстановления, текущего, чтобы рассеяться.

Зависимости

См. таблицу Protection Diode Parameter Dependencies.

`Reverse recovery time, trr` — Время
`15` `us` (значение по умолчанию) | скаляр

Интервал между временем, когда ток первоначально переходит к нулю (когда диод выключает), и время, когда текущие падения меньше чем к 10 процентам пикового противоположного тока.

Значение параметра Reverse recovery time, trr должно быть больше, чем значение параметра Peak reverse current, iRM, разделенного на значение параметра Rate of change of current when measuring iRM.

Зависимости

См. таблицу Protection Diode Parameter Dependencies.

`Reverse recovery charge, Qrr` — Заряд
`1500` `s*uA` (значение по умолчанию) | скаляр

Значение, что использование блока, чтобы вычислить Reverse recovery time, trr. Используйте этот параметр, если таблица данных для вашего диодного устройства задает значение для противоположного обратного заряда вместо значения в течение противоположного времени восстановления.

Противоположный обратный заряд является общим зарядом, который продолжает рассеиваться, когда диод выключает. Значение должно быть меньше, чем $- \frac{i^{2}_{R M}}{2 a},$

где:

_iRM является значением, заданным для Peak reverse current, iRM.
a является значением, заданным для Rate of change of current when measuring iRM.

Зависимости

См. таблицу Protection Diode Parameter Dependencies.

Преобразователь

Параметры Transformer только видимы, когда Block choice установлен в Isolated converter.

`Transformer inductance L1` — Индуктивность
`10` `H` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

Самоиндукция первой обмотки преобразователя.

Зависимости

Этот параметр только видим, когда Block choice установлен в Isolated converter.

`Transformer inductance L2` — Индуктивность
`0.1` `H` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

Самоиндукция второй обмотки преобразователя.

Зависимости

Этот параметр только видим, когда Block choice установлен в Isolated converter.

`Transformer coefficient of coupling` — Коэффициент связи
`0.9` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина, больше, чем нуль и меньше чем 1

Задает взаимную индуктивность преобразователя.

Зависимости

Этот параметр только видим, когда Block choice установлен в Isolated converter.

Параметры LC

`Inductance, L` — Индуктивность
`1e-6` `H` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

Индуктивность конвертера. Для изолированного варианта модели конвертера эти два индуктора идентичны.

`Capacitance, C1` — Емкость
`1e-7` `F` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

Емкость первого терминала DC.

`Capacitance, C2` — Емкость
`1e-7` `F` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

Емкость второго терминала DC.

`C1 effective series resistance` — Сопротивление
`1e-6` `Ohm` (значение по умолчанию) | нуль или положительная скалярная величина

Серийное сопротивление конденсаторного C1.

`C2 effective series resistance` — Сопротивление
`1e-6` `Ohm` (значение по умолчанию) | нуль или положительная скалярная величина

Серийное сопротивление конденсаторного C2.

Демпферы

Таблица суммирует зависимости от параметра Snubbers. Чтобы изучить, как считать таблицу, смотрите Зависимости от Параметра.

Зависимости от параметра демпферов

Зависимости от параметра демпферов
Блокируйте выбор
`Nonisolated Converter`		`Isolated Converter`
Демпфер		Демпфер HV
`None`	`RC Snubber`	`None`	`RC Snubber`
	Сопротивление демпфера		Сопротивление демпфера HV
	Емкость демпфера		Емкость демпфера HV
		LV демпфера
		`None`	`RC Snubber`
			LV сопротивления демпфера
			LV емкости демпфера

Модель `Snubber` — Snubber
`None` (значение по умолчанию) | `RC snubber`

Демпфер для каждого устройства переключения.

Зависимости

См. таблицу Snubbers Parameter Dependencies.

`Snubber resistance` — Сопротивление
`0.1` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

Сопротивление демпферов.

Зависимости

См. таблицу Snubbers Parameter Dependencies.

`Snubber capacitance` — Емкость
`1e-7` `F` (значение по умолчанию) | скаляр

Емкость демпферов.

Зависимости

См. таблицу Snubbers Parameter Dependencies.

Модель `Snubber HV` — Snubber
`None` (значение по умолчанию) | `RC snubber`

Демпфер HV для каждого устройства переключения.

Зависимости

См. таблицу Snubbers Parameter Dependencies.

`Snubber resistance HV` — Сопротивление
`0.1` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

Сопротивление высоковольтных демпферов.

Зависимости

См. таблицу Snubbers Parameter Dependencies.

`Snubber capacitance HV` — Емкость
`1e-7` `F` (значение по умолчанию) | скаляр

Емкость высоковольтных демпферов.

Зависимости

См. таблицу Snubbers Parameter Dependencies.

Модель `Snubber LV` — Snubber
`None` (значение по умолчанию) | `RC snubber`

Демпфер LV для каждого устройства переключения.

Зависимости

См. таблицу Snubbers Parameter Dependencies.

`Snubber resistance LV` — Сопротивление
`0.1` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

Сопротивление низковольтных демпферов.

Зависимости

См. таблицу Snubbers Parameter Dependencies.

`Snubber capacitance LV` — Емкость
`1e-7` `F` (значение по умолчанию) | скаляр

Емкость низковольтных демпферов.

Зависимости

См. таблицу Snubbers Parameter Dependencies.

Ссылки

[1] Салех, M., И. Эса, И. Манди, В. Брэндоер и А. Мохамед. Разработка и реализация испытательного стенда микросетки DC CCNY. Промышленное Общественное Годовое собрание Приложений. Портленд, OR: 2016, стр 1-7.

[2] Kutkut, N. H. и Г. Лакджифф. Текущее управление режимом полного конвертера от DC к DC моста с двумя выпрямителями индуктора. Конференция специалистов по Силовой электронике. Сент-Луис, MO: 1997, стр 203-209.

[3] Nene, H. Цифровое управление двунаправленного конвертера DC-DC для автомобильных приложений. Двадцать восьмой Ежегодный IEEE Прикладная Конференция по Силовой электронике и Выставка (АТЭС). Лонг-Бич, CA: 2013, стр 1360-1365.

Документация

Двунаправленный конвертер DC-DC

Описание

Модель

Защита

Контрольно-пропускная служба

Предположения

Порты

Сохранение

G Переключение управления затвором устройства электрический | вектор

1+ — Положительное напряжение постоянного тока 1 электрический | скаляр

1- — Отрицательное напряжение постоянного тока 1 электрический | скаляр

2+ — Положительное напряжение постоянного тока 2 электрический | скаляр

2- — Отрицательное напряжение постоянного тока 2 электрический | скаляр

Параметры

Переключение устройств

Switching device — Переключите тип Ideal Semiconductor Switch (значение по умолчанию) | GTO | IGBT | MOSFET | Thyristor

Зависимости

Forward voltage — Напряжение 0.8 V (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

On-state resistance — Сопротивление 0.001 Ohm (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Drain-source on resistance — Сопротивление 0.001 Ohm (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Off-state conductance — Проводимость 1e-5 1/Ohm (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Threshold voltage — Порог напряжения 6 V (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Gate trigger voltage, Vgt — Порог напряжения 1 V (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Gate turn-off voltage, Vgt_off — Порог напряжения -1 V (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Holding current — Текущий порог 1 A (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Switching device HV — Переключатель Ideal Semiconductor Switch (значение по умолчанию) | GTO | IGBT | MOSFET | Thyristor

Зависимости

Forward voltage HV — Напряжение 0.8 Ohm (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Drain-source on resistance HV — Сопротивление 0.001 Ohm (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

On-state resistance HV — Сопротивление 0.001 Ohm (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Off-state conductance HV — Проводимость 1e-5 1/Ohm (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Threshold voltage HV — Порог напряжения 6 V (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Gate trigger voltage HV, Vgt_hv — Порог напряжения 1 V (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Gate turn-off voltage HV, Vgt_off_hv — Порог напряжения -1 V (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Holding current HV — Текущий порог 1 A (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Switching device LV — Переключатель Ideal Semiconductor Switch (значение по умолчанию) | GTO | IGBT | MOSFET | Thyristor

Зависимости

Forward voltage LV — Напряжение 0.8 Ohm (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Drain-source on resistance LV — Сопротивление 0.001 Ohm (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

On-state resistance LV — Сопротивление 0.001 Ohm (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Off-state conductance LV — Проводимость 1e-5 1/Ohm (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Threshold voltage LV — Порог напряжения 6 V (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Gate trigger voltage LV, Vgt_lv — Порог напряжения 1 V (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Gate turn-off voltage LV, Vgt_off_lv — Порог напряжения -1 V (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Holding current LV — Текущий порог 1 A (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Защитный диод

Модель Model dynamics — Diode Protection diode with no dynamics (значение по умолчанию) | Protection diode with charge dynamics

Зависимости

Forward voltage — Напряжение 0.8 V (значение по умолчанию) | скаляр

On resistance — Сопротивление 0.001 Ohm (значение по умолчанию) | скаляр

Off conductance — Проводимость 1e-5 1/Ohm (значение по умолчанию) | скаляр

Junction capacitance — Емкость 50 nF (значение по умолчанию) | скаляр

Зависимости

Peak reverse current, iRM — Текущий -235 A (значение по умолчанию) | скаляр меньше, чем 0

Зависимости

`G` Переключение управления затвором устройства
электрический | вектор

`1+` — Положительное напряжение постоянного тока 1
электрический | скаляр

`1-` — Отрицательное напряжение постоянного тока 1
электрический | скаляр

`2+` — Положительное напряжение постоянного тока 2
электрический | скаляр

`2-` — Отрицательное напряжение постоянного тока 2
электрический | скаляр

`Switching device` — Переключите тип
`Ideal Semiconductor Switch` (значение по умолчанию) | `GTO` | `IGBT` | `MOSFET` | `Thyristor`

`Forward voltage` — Напряжение
`0.8` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

`On-state resistance` — Сопротивление
`0.001` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

`Drain-source on resistance` — Сопротивление
`0.001` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

`Off-state conductance` — Проводимость
`1e-5` `1/Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

`Threshold voltage` — Порог напряжения
`6` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

`Gate trigger voltage, Vgt` — Порог напряжения
`1` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

`Gate turn-off voltage, Vgt_off` — Порог напряжения
`-1` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

`Holding current` — Текущий порог
`1` `A` (значение по умолчанию) | скаляр

`Switching device HV` — Переключатель
`Ideal Semiconductor Switch` (значение по умолчанию) | `GTO` | `IGBT` | `MOSFET` | `Thyristor`

`Forward voltage HV` — Напряжение
`0.8` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

`Drain-source on resistance HV` — Сопротивление
`0.001` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

`On-state resistance HV` — Сопротивление
`0.001` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

`Off-state conductance HV` — Проводимость
`1e-5` `1/Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

`Threshold voltage HV` — Порог напряжения
`6` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

`Gate trigger voltage HV, Vgt_hv` — Порог напряжения
`1` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

`Gate turn-off voltage HV, Vgt_off_hv` — Порог напряжения
`-1` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

`Holding current HV` — Текущий порог
`1` `A` (значение по умолчанию) | скаляр

`Switching device LV` — Переключатель
`Ideal Semiconductor Switch` (значение по умолчанию) | `GTO` | `IGBT` | `MOSFET` | `Thyristor`

`Forward voltage LV` — Напряжение
`0.8` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

`Drain-source on resistance LV` — Сопротивление
`0.001` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

`On-state resistance LV` — Сопротивление
`0.001` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

`Off-state conductance LV` — Проводимость
`1e-5` `1/Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

`Threshold voltage LV` — Порог напряжения
`6` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

`Gate trigger voltage LV, Vgt_lv` — Порог напряжения
`1` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

`Gate turn-off voltage LV, Vgt_off_lv` — Порог напряжения
`-1` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

`Holding current LV` — Текущий порог
`1` `A` (значение по умолчанию) | скаляр

Модель `Model dynamics` — Diode
`Protection diode with no dynamics` (значение по умолчанию) | `Protection diode with charge dynamics`

`Forward voltage` — Напряжение
`0.8` `V` (значение по умолчанию) | скаляр

`On resistance` — Сопротивление
`0.001` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

`Off conductance` — Проводимость
`1e-5` `1/Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

`Junction capacitance` — Емкость
`50` `nF` (значение по умолчанию) | скаляр

`Peak reverse current, iRM` — Текущий
`-235` `A` (значение по умолчанию) | скаляр меньше, чем `0`

`Initial forward current when measuring iRM` — Текущий
`300` `A` (значение по умолчанию) | скаляр, больше, чем `0`

`Rate of change of current when measuring iRM` — Текущий уровень изменения
`-50` `A/us` (значение по умолчанию) | скаляр

`Reverse recovery time parameterization` — Разовая восстановлением модель
`Specify stretch factor` (значение по умолчанию) | `Specify reverse recovery time directly` | `Specify reverse recovery charge`

`Reverse recovery time stretch factor` — Фактор фрагмента
`3` (значение по умолчанию) | скаляр, больше, чем `1`

`Reverse recovery time, trr` — Время
`15` `us` (значение по умолчанию) | скаляр

`Reverse recovery charge, Qrr` — Заряд
`1500` `s*uA` (значение по умолчанию) | скаляр

`Transformer inductance L1` — Индуктивность
`10` `H` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

`Transformer inductance L2` — Индуктивность
`0.1` `H` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

`Transformer coefficient of coupling` — Коэффициент связи
`0.9` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина, больше, чем нуль и меньше чем 1

`Inductance, L` — Индуктивность
`1e-6` `H` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

`Capacitance, C1` — Емкость
`1e-7` `F` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

`Capacitance, C2` — Емкость
`1e-7` `F` (значение по умолчанию) | положительная скалярная величина

`C1 effective series resistance` — Сопротивление
`1e-6` `Ohm` (значение по умолчанию) | нуль или положительная скалярная величина

`C2 effective series resistance` — Сопротивление
`1e-6` `Ohm` (значение по умолчанию) | нуль или положительная скалярная величина

Модель `Snubber` — Snubber
`None` (значение по умолчанию) | `RC snubber`

`Snubber resistance` — Сопротивление
`0.1` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

`Snubber capacitance` — Емкость
`1e-7` `F` (значение по умолчанию) | скаляр

Модель `Snubber HV` — Snubber
`None` (значение по умолчанию) | `RC snubber`

`Snubber resistance HV` — Сопротивление
`0.1` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

`Snubber capacitance HV` — Емкость
`1e-7` `F` (значение по умолчанию) | скаляр

Модель `Snubber LV` — Snubber
`None` (значение по умолчанию) | `RC snubber`

`Snubber resistance LV` — Сопротивление
`0.1` `Ohm` (значение по умолчанию) | скаляр

`Snubber capacitance LV` — Емкость
`1e-7` `F` (значение по умолчанию) | скаляр

Генерация кода C/C++
Генерация кода C и C++ с помощью MATLAB® Coder™.