P-канал MOSFET

Полупроводниковый полевой транзистор на основе оксида металла P-канала, использующий либо уравнение Шихмана-Ходжа, либо модель на основе поверхностного потенциала

развернуть все на странице

Библиотека:
Simscape/Электрические/Полупроводники и преобразователи

Описание

Блок P-Channel MOSFET предоставляет два основных варианта моделирования:

На основе порогового напряжения - использует уравнение Шихмана-Ходжеса для представления устройства. Этот подход моделирования, основанный на пороговом напряжении, имеет преимущества простой параметризации и простых выражений тока-напряжения. Однако этим моделям трудно точно фиксировать переходы через пороговое напряжение и не хватает некоторых важных эффектов, таких как насыщенность скоростью. Дополнительные сведения см. в разделе Модель на основе пороговых значений.
Этот вариант обеспечивает четыре способа параметризации N-канального MOSFET:
- Путем указания параметров из таблицы данных.
- Путем непосредственного задания параметров уравнений.
- По аппроксимации таблицы поиска 2-D к кривой I-V (ток-напряжение). Дополнительные сведения см. в разделе Представление по таблице подстановки 2-D.
- С помощью 3-D таблицы поиска аппроксимация кривой I-V (ток-напряжение), которая включает данные о температуре. Дополнительные сведения см. в разделе Представление по таблице подстановки 3-D.
На основе поверхностного потенциала - использует уравнение поверхностного потенциала для представления устройства. Этот подход моделирования обеспечивает более высокий уровень точности модели, чем простые модели квадратного закона (основанные на пороговом напряжении). Компромисс заключается в том, что существует больше параметров, которые требуют экстракции. Дополнительные сведения см. в разделе Модель на основе поверхностного потенциала.

Вместе с вариантами тепловых портов (см. Тепловые порты) блок предоставляет четыре варианта выбора. Чтобы выбрать нужный вариант, щелкните правой кнопкой мыши блок в модели. В контекстном меню выберите «Simscape» > «Block choices», а затем один из следующих параметров.

Threshold-based - базовая модель, представляющая устройство с помощью уравнения Шихмана - Ходжеса (на основе порогового напряжения) и не моделирующая тепловые эффекты. Это значение по умолчанию.
Thermal-based with thermal - модель на основе порогового напряжения и с открытым тепловым портом.
Поверхностный потенциал - модель на основе поверхностного потенциала. Эта модель не моделирует тепловые эффекты.
Поверхностный потенциал с тепловым - тепловой вариант модели на основе поверхностного потенциала.

Модель на основе пороговых значений

Пороговый вариант блока использует уравнения Шихмана и Ходжеса [1] для полевого транзистора с изолированным затвором для представления МОП-транзистора P-канала.

Ток стока-истока, _ИДК, зависит от области работы:

В области отключения (-_VGS < -_Vth) ток истока стока составляет:

$_{IDS} =$ 0
В линейной области (0 < -_VDS < -_VGS + _Vth) ток стока-истока равен:

$_{IDS} = - K_{(} (_{VGS} -_{} {Vth}_{)}^{} VDS -_{VDS2/2})$ (1 + λ 'VDS |)
В насыщенной области (0 < -_VGS + _Vth < -_VDS) ток истока стока составляет:

$_{IDS} = - ({K/2}_{)} (_{VGS}^{−} Vth)_{2} (1$ + λ 'VDS |)

В предыдущих уравнениях:

K - коэффициент усиления транзистора.
_VDS - отрицательное напряжение стока-истока.
_VGS - напряжение затвора-источника.
_Vth - пороговое напряжение. Для параметризации четырех выводов _Vth получается с использованием следующих уравнений:

Диапазон _VBS _{Уравнение Vth}
$_{} VBS≤0$ $_{Vth} =_{} VT0 \sqrt{+_{γ}} (\sqrt{2ϕB)_{} -_{γ}} ($ 2ϕB + VBS)
$_{}_{0<VBS≤4ϕB}$ $_{Vth} =_{} \frac{VT0_{-}}{\sqrt{_{}}}$ γVBS2ϕB
$_{VBS} >_{}$ 4objectB $_{Vth} =_{} VT0 \sqrt{+_{γ}}$ (2ϕB)
λ - модуляция канала.

Диапазон _VBS	_{Уравнение Vth}
$_{} VBS≤0$	$_{Vth} =_{} VT0 \sqrt{+_{γ}} (\sqrt{2ϕB)_{} -_{γ}} ($ 2ϕB + VBS)
$_{}_{0<VBS≤4ϕB}$	$_{Vth} =_{} \frac{VT0_{-}}{\sqrt{_{}}}$ γVBS2ϕB
$_{VBS} >_{}$ 4objectB	$_{Vth} =_{} VT0 \sqrt{+_{γ}}$ (2ϕB)

Модель расходов для варианта на основе порога

Блок моделирует емкости перехода либо по фиксированным значениям емкости, либо по табличным значениям в зависимости от напряжения стока-истока. В любом случае можно либо непосредственно задать значения емкости затворов-истоков и затворов-стоков, либо разрешить блоку выводить их из значений емкости входного и обратного переноса. Поэтому опции параметризации для модели заряда на вкладке Емкость (Capacitance):

Specify fixed input, reverse transfer and output capacitance - Предоставьте фиксированные значения параметров из таблицы данных и разрешите блоку преобразовать входные значения емкости и значения емкости обратного переноса в значения емкости перехода, как описано ниже. Это метод по умолчанию.
Specify fixed gate-source, gate-drain and drain-source capacitance - Укажите фиксированные значения параметров емкости перехода напрямую.
Specify tabulated input, reverse transfer and output capacitance - Предоставить табличные значения емкостей и напряжения источника стока на основе графиков таблицы данных. Блок преобразует входные и обратные значения емкости переноса в значения емкости перехода, как описано ниже.
Specify tabulated gate-source, gate-drain and drain-source capacitance - Предоставить табличные значения емкостей перехода и напряжения стока-истока.

Используйте одну из опций емкости в таблице (Specify tabulated input, reverse transfer and output capacitance или Specify tabulated gate-source, gate-drain and drain-source capacitance), когда лист данных предоставляет график емкостей перехода как функцию напряжения стока-истока. Использование табличных значений емкости дает более точные динамические характеристики и позволяет избежать необходимости итеративной настройки параметров в соответствии с динамикой.

Если вы используете Specify fixed gate-source, gate-drain and drain-source capacitance или Specify tabulated gate-source, gate-drain and drain-source capacitance на вкладке Емкость (Capacitance) можно указать значения емкостей соединения литник-сток, соединения затвор-исток и соединения сток-исток (фиксированные или табличные). В противном случае блок извлекает их из значений входной емкости, Ciss, емкости обратного переноса, Crss и выходной емкости, параметров Coss. Эти два метода параметризации связаны следующим образом:

_CGD = Crss
_CGS = Ciss - Crss
_CDS = Coss - Crss

Для параметризации четырех выводов входная емкость, Ciss, емкость обратного переноса, Crss и выходная емкость Coss получаются с использованием следующих уравнений:

_CGD = Crss
_CGS + _CGB = Ciss - Crss
_CDB = Coss - Crss

Упрощенная модель емкости Мейера используется для описания емкости затвора-источника, _CGS, емкости затвора-объема, _CGB и емкости затвора-стока, _CGD. Эти рисунки показывают, как емкости затворного блока и затворного источника меняются мгновенно, в то время как

Емкость затворного блока и затворного источника изменяется мгновенно.

Две опции фиксированной емкости (Specify fixed input, reverse transfer and output capacitance или Specify fixed gate-source, gate-drain and drain-source capacitance) позволяют моделировать емкость перехода затвора как фиксированную емкость _CGS затвора-источника и фиксированную или нелинейную емкость _CGD затвора-стока. При выборе Gate-drain charge function is nonlinear опция для параметра линейности Заряд-напряжение затвора-стока, то соотношение Заряд затвора-стока определяется кусочно-линейной функцией, показанной на следующем рисунке.

Инструкции по отображению временного отклика на значения емкости устройства см. на справочной странице блока IGBT N-канала. Однако это отображение является только приблизительным, поскольку напряжение Миллера обычно изменяется больше от порогового напряжения, чем в случае БТИЗ.

Примечание

Поскольку эта реализация блока включает в себя модель заряда, необходимо смоделировать импеданс цепи, приводящей в действие затвор, чтобы получить репрезентативную динамику включения и выключения. Поэтому, если вы упрощаете схему привода затвора, представляя ее как управляемый источник напряжения, вы должны включить подходящий последовательный резистор между источником напряжения и затвором.

Представление 2-й справочной таблицей

Для представления таблицы подстановки варианта детализированного блока необходимо предоставить табличные значения токов истока-стока как функции напряжения истока-затвора и напряжения истока-затвора. Основное преимущество использования этой опции - скорость моделирования. Он также позволяет параметризовать устройство на основе измеренных данных или данных, полученных из другой среды моделирования.

На этом рисунке показана реализация опции таблицы поиска 2-D при установке параметризации Isd-Vsd равным Provide negative and positive Vsd data:

На этом рисунке показана реализация опции таблицы поиска 2-D при установке параметризации Isd-Vsd равным Provide positive Vsd data only:

Для четырех клеммных МОП-транзисторов поверхностный потенциал и коэффициенты тела вычисляются на основе ближайшего порогового напряжения, как показано на следующем рисунке:

Представление 3D справочной таблицей

Для зависящего от температуры представления таблицы поиска варианта детализированного блока в таблице представлены значения токов истока-стока в зависимости от напряжения истока-затвора, напряжения истока-затвора и температуры.

Модель на основе поверхностного потенциала

Вариант блока на основе поверхностного потенциала обеспечивает более высокий уровень точности модели, чем простая модель на основе квадратного закона (на основе порогового напряжения). Вариант блока на основе поверхностного потенциала включает следующие эффекты:

Полностью нелинейная емкостная модель (включая нелинейную емкость Миллера)
Сохранение заряда внутри модели, чтобы можно было использовать модель для моделирования, чувствительного к заряду
Насыщенность скоростью и модуляция длины канала
Внутренний корпусной диод
Обратное восстановление в модели боди-диода
Температурное масштабирование физических параметров
Для теплового варианта - динамический самонагрев (то есть можно смоделировать влияние самонагрева на электрические характеристики прибора)

Эта модель является минимальной версией модели PSP мирового стандарта (см. https://briefs.techconnect.org/papers/introduction-to-psp-mosfet-model/), включая только определенные эффекты от модели PSP для обеспечения баланса между верностью и сложностью модели. Подробнее о физическом фоне явлений, включенных в эту модель, см. [2].

Уравнение поверхностного потенциала получается аналогично способу, описанному на справочной странице блока MOSFET N-канала, при этом все напряжения, заряды и токи умножаются на -1.

Общая модель состоит из собственного МОП-транзистора, определяемого композицией поверхностного потенциала, телесного диода, последовательных сопротивлений и емкостей с фиксированным перекрытием, как показано на схеме.

Моделирование корпусного диода

Блок моделирует основной диод либо как идеальный экспоненциальный диод, либо как табличный диод.

Экспоненциальный диод

Блок моделирует основной диод либо как идеальный экспоненциальный диод, либо как табличный диод.

При установке диода тела модели в значение Exponential, пропускная способность соединения и диффузия:

$_{}_{Idio=Is} [\exp \frac{_{}}{_{}} (-VBDnϕT)$ −1]

$_{Cj} \frac{=_{}}{\sqrt{\frac{{Cj01}_{+}}{_{}}}}$ VBDVbi

$_{Cdiff} \frac{=_{}}{_{}} \frac{_{}}{_{}}$

где:

_Идио - ток через диод.
_{Является} током обратного насыщения.
_VBD - напряжение стока корпуса.
n - фактор идеальности.
_{β T} - тепловое напряжение.
_Cj - переходная емкость диода.
_Cj0 - емкость перехода с нулевым смещением.
_Vbi - встроенное напряжение.
_Cdiff - диффузионная ёмкость диода.
start- время прохождения.

Емкости определяются посредством явного вычисления зарядов, которые затем дифференцируются для получения емкостных выражений выше. Блок вычисляет токи емкостного диода как производные времени соответствующих зарядов, аналогично вычислению в МОП-модели на основе поверхностного потенциала.

Диод в таблице

Чтобы смоделировать диод в таблице, задайте для параметра Модельный диод тела значение Tabulated I-V curve. На этом рисунке показана реализация опции диода в таблице:

При выборе этой параметризации необходимо предоставить данные только для смещения вперед.

Блок реализует диод с помощью опции плавной интерполяции. Если диод превышает предоставленный табличный диапазон данных, блок использует метод линейной экстраполяции в последней точке данных напряжения-тока.

Примечание

Диод в таблице не моделирует обратный пробой.

Моделирование температурной зависимости

Поведение по умолчанию заключается в том, что зависимость от температуры не моделируется, а устройство моделируется при температуре, для которой предоставляются параметры блока. Для моделирования зависимости от температуры во время моделирования выберите Model temperature dependence для параметра Параметризация (Parameterization) на вкладке Температурная зависимость (Temperature Dependence).

Модель на основе пороговых значений

Для варианта на основе порога можно включить моделирование зависимости статического поведения транзистора от температуры во время моделирования. Температурная зависимость емкостей перехода не моделируется, что является гораздо меньшим эффектом.

При включении температурной зависимости транзистор, определяющий уравнения, остается прежним. Коэффициент усиления K и пороговое напряжение _Vth становятся функцией температуры в соответствии со следующими уравнениями:

$_{KT} =_{} {\frac{{KTm1}_{}}{(_{}}}^{TsTm1)}$ BEX

Vths = _Vth1 + α (Ts - _Tm1)

где:

_Tm1 - температура, при которой задаются параметры транзистора, определяемые значением параметра Measurement temperature.
_Ts - температура моделирования.
_KTm1 - коэффициент усиления транзистора при температуре измерения.
_КТ - коэффициент усиления транзистора при температуре моделирования. Это значение коэффициента усиления транзистора, используемое в уравнениях МОП-транзистора при моделировании температурной зависимости.
_Vth1 - пороговое напряжение при температуре измерения.
_Vths - пороговое напряжение при температуре моделирования. Это пороговое значение напряжения, используемое в уравнениях МОП-транзистора при моделировании температурной зависимости.
BEX - показатель температуры мобильности. Типичное значение BEX - -1,5.
α - пороговый температурный коэффициент напряжения затвора, dVth/dT.

Для параметризации четырех терминалов _Vth получается с использованием следующих уравнений:

Диапазон _VBS	_{Уравнение Vth}
$_{} VBS≤0$	$\frac{_{}}{dVthdT} \frac{=_{}}{} \frac{dVT0dT}{\sqrt{−_{}}} \frac{_{}}{} \frac{}{\sqrt{γ22ϕBd2ϕBdT_{+}_{}}} \frac{γ22ϕB_{-}}{}$ VBSd2ϕBdT
$_{}_{0<VBS≤4ϕB}$	$\frac{_{}}{dVthdT} \frac{=_{}}{} \frac{dVT0dT_{-}}{} {_{γVBS4}}^{(\frac{}{}} \frac{2ϕB)_{-}}{}$ 32d2ϕBdT
$_{VBS} >_{}$ 4objectB	$\frac{_{}}{dVthdT} \frac{=_{}}{} \frac{dVT0dT}{\sqrt{−_{}}} \frac{_{}}{}$ γ22ϕBd2ϕBdT

Где:

$_{β B} \frac{=}{} \frac{{kTqln}_{}}{(_{}}$ NBni) - поверхностный потенциал $\frac{и_{}}{} \frac{d2ϕBdT}{} = -_{} 1T \frac{_{[} 2ϕB}{} - \frac{(}{Eg} ($ 0) q + 3kTq)].
_Eg (0) - экстраполированный диапазон нулевой степени, который равен 1.16 eV для кремния.
_VBS - напряжение источника питания.

Для большинства MOSFETS можно использовать значение по умолчанию -1.5 для BEX. Некоторые таблицы данных цитируют значение для α, но, как правило, они обеспечивают температурную зависимость источника стока от сопротивления, _RDS (on). В зависимости от метода параметризации блока существует два способа задания α:

При параметризации блока из таблицы данных необходимо указать _RDS (вкл.) при второй температуре измерения. Затем блок вычисляет значение для α на основе этих данных.
Если параметризация выполняется путем задания параметров уравнений, необходимо указать значение для α напрямую.

Если имеется больше данных, содержащих ток стока как функцию напряжения затвора-источника для более чем одной температуры, можно также использовать программное обеспечение Simulink ® Design Optimization™ для настройки значений α и BEX.

Модель на основе поверхностного потенциала

Модель на основе поверхностного потенциала включает влияние температуры на емкостные характеристики, а также моделирование зависимости статического поведения транзистора от температуры во время моделирования.

Параметр Температура измерения (Measurement temperature) на вкладке Главная (Main) указывает _Tm1 температуры, при которой были извлечены другие параметры устройства. На вкладке Температурная зависимость (Temperature Dependence) представлены значения температуры моделирования, _Ts и коэффициенты температурного масштабирования для других параметров устройства. Дополнительные сведения см. в разделе Температурная зависимость (вариант на основе поверхностного потенциала).

Тепловой порт

Блок имеет дополнительный тепловой порт, скрытый по умолчанию. Чтобы открыть тепловой порт, щелкните правой кнопкой мыши блок в модели и выберите соответствующий вариант блока.

Для модели на основе порогового напряжения и с открытым тепловым портом выберите Simscape > Block choices > Threshold-based with thermal.
Для теплового варианта модели, основанного на потенциале поверхности, выберите «Simscape» > «Block choices» > «Surface-potential-based with thermal».

Это действие отображает тепловой порт H на значке блока и отображает параметры теплового порта.

Используйте тепловой порт для моделирования влияния генерируемого тепла и температуры устройства. Дополнительные сведения об использовании тепловых портов и о параметрах тепловых портов см. в разделе Моделирование тепловых эффектов в полупроводниках.

Допущения и ограничения

При моделировании температурной зависимости для варианта блока на основе порога необходимо учитывать следующее:

Блок не учитывает зависящие от температуры воздействия на емкости перехода.
При задании _RDS (вкл.) при второй температуре измерения он должен быть указан для той же рабочей точки (то есть для того же самого тока стока и напряжения затвора-источника), что и для другого значения _RDS (вкл.). Противоречивые значения для _RDS (вкл) при более высокой температуре приведут к нефизическим значениям для α и непредставительным результатам моделирования. _Обычно RDS (вкл) увеличивается примерно в 1,5 раза при увеличении температуры на сто градусов.
Возможно, потребуется настроить значения BEX и порогового напряжения Vth для репликации отношений _IDS-VGS (если они доступны) для данного устройства. Увеличение _Vth перемещает графики _IDS-VGS вправо. Значение BEX влияет на то, пересекаются ли кривые _IDS-VGS для различных температур или нет, для рассматриваемых диапазонов _VDS и _VGS. Следовательно, неподходящее значение может привести к изменению порядка различных температурных кривых. Цитирование значений _RDS (on) для более высоких токов, предпочтительно близких к току, при котором он будет работать в вашей цепи, снизит чувствительность к точному значению BEX .

Порты

Сохранение

развернуть все

`G` - Клемма затвора
электрический

Электрический консервационный порт, связанный с выводом транзисторного затвора

`D` - Клемма дренажа
электрический

Порт экономии электроэнергии, связанный с выводом стока транзистора

`S` - Терминал-источник
электрический

Электрический консервационный порт, связанный с выводом транзисторного источника

`B` - Клемма корпуса
электрический

Электрический консервационный порт, связанный с выводом корпуса транзистора

Зависимости

Чтобы включить этот порт, установите для параметра Number of terminals значение Four.

Параметры

развернуть все

Главная (вариант на основе порогового значения)

Эта конфигурация вкладки Main соответствует варианту блока на основе пороговых значений, который является вариантом по умолчанию. Если используется вариант блока на основе поверхностного потенциала, см. раздел Основной (Вариант на основе поверхностного потенциала).

`Number of terminals` - Параметризация клемм
`Three` (по умолчанию) | `Four`

Количество клемм блока.

`Parameterization` - Параметризация блока
`Specify from a datasheet` (по умолчанию) | `Specify using equation parameters directly`

Выберите один из следующих методов параметризации блока:

Specify from a datasheet - Обеспечить источник стока по сопротивлению и соответствующему току стока и напряжению источника затвора. Блок вычисляет коэффициент усиления транзистора для уравнений Шихмана и Ходжеса из этой информации. Это метод по умолчанию.
Specify using equation parameters directly - Обеспечьте усиление транзистора.

`Drain-source on resistance, R_DS(on)` - Сток-исток на сопротивлении
`0.167` `Ohm` (по умолчанию)

Отношение напряжения стока-истока к току стока для заданных значений тока стока и напряжения затвора-истока. _RDS (вкл.) должен иметь положительное значение.

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе Specify from a datasheet для параметра «Параметризация».

`Drain current, Ids, for R_DS(on)` - Ток стока, ИД, для R_DS (вкл.)
`-2.5` `A` (по умолчанию)

Ток стока, используемый блоком для вычисления значения сопротивления стока источнику. _IDS должен иметь отрицательное значение.

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе Specify from a datasheet для параметра «Параметризация».

`Gate-source voltage, Vgs, for R_DS(on)` - Напряжение затвора-источника, Vgs, для R_DS (вкл.)
`-4.5` `V` (по умолчанию)

Напряжение затвора-истока, используемое блоком для вычисления значения сопротивления стока-истока. _VGS должен иметь отрицательное значение.

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе Specify from a datasheet для параметра «Параметризация».

`Gain, K` - Коэффициент усиления, К
`2` `A/V²` (по умолчанию)

Положительный постоянный коэффициент усиления для уравнений Шихмана и Ходжеса.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите параметризацию в значение Specify using equation parameters directly.

`Gate-source threshold voltage, Vth` - Пороговое напряжение затвора-источника
`-1.4` `V` (по умолчанию)

Пороговое напряжение _Vth между затвором и источником в уравнениях Шихмана и Ходжеса. Для устройства расширения _{значение Vth} должно быть отрицательным. Для устройства с режимом истощения _{значение Vth} должно быть положительным.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите для параметра Terminals значение Three.

`Gate-source threshold voltage at zero bulk-source voltage, Vth0` - Пороговое напряжение затвора-источника при нулевом напряжении объемного источника
`-1.4` `V` (по умолчанию)

Пороговое напряжение затвора-источника при нулевом напряжении объемного источника _Vth0 в уравнениях Шихмана и Ходжеса.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите для параметра Terminals значение Four.

`Channel modulation, L` - Модуляция канала
`0` `1/V` (по умолчанию)

Модуляция длины канала, обычно обозначаемая математическим символом λ. В насыщенной области это минус скорость изменения тока стока на напряжение стока-истока. Влияние на ток стока обычно невелико, и этим эффектом пренебрегают, если вычислить коэффициент усиления К транзистора от сопротивления на истоке стока, _RDS (вкл.). Типичное значение - 0,02, но эффект может быть проигнорирован в большинстве схемных моделирований. Однако в некоторых схемах малое ненулевое значение может способствовать цифровой сходимости.

`Gate-source threshold voltage at first non-zero bulk-source voltage, Vth1` - Пороговое напряжение затвора-источника при первом ненулевом напряжении объемного источника
`-1.6071` `V` (по умолчанию)

Пороговое напряжение затвора-источника при первом ненулевом напряжении объемного источника _Vth1 в уравнениях Шихмана и Ходжеса.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите:

Количество терминалов для Four
Параметризация для Specify from a datasheet

`First bulk-source voltage, Vbs1` - Напряжение первого источника питания
`1` `V` (по умолчанию)

Напряжение первого источника, _Vbs1

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите:

Количество терминалов для Four
Параметризация для Specify from a datasheet

`Gate-source threshold voltage at second non-zero bulk-source voltage, Vth2` - Пороговое напряжение затвора-источника при втором ненулевом напряжении объемного источника
`-1.7660` `V` (по умолчанию)

Пороговое напряжение затвора-источника при втором ненулевом напряжении объемного источника _Vth2 в уравнениях Шихмана и Ходжеса.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите:

Количество терминалов для Four
Параметризация для Specify from a datasheet

`Second bulk-source voltage, Vbs2` - Второе напряжение источника питания
`2` `V` (по умолчанию)

Второе напряжение объемного источника, _Vbs2

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите:

Количество терминалов для Four
Параметризация для Specify from a datasheet

`Body factor` - Коэффициент тела
`0.5` `V^0.50000` (по умолчанию)

Фактор тела, γ.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите:

Количество терминалов для Four
Параметризация для Specify using equations parameters directly

`Surface potential` - Поверхностный потенциал
`0.5` `V` (по умолчанию)

Поверхностный потенциал

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите:

Количество терминалов для Four
Параметризация для Specify using equations parameters directly

`Measurement temperature` - Температура измерения
`25` `degC` (по умолчанию)

Температура _Tm1 при которой измеряется дренирование истока на сопротивлении, R_DS (вкл).

`Vector of source-gate voltages, Vsg` - Вектор напряжений источник-затвор
`[-.5, 2, 3, 4, 5]` `V` (по умолчанию)

Вектор напряжений источник-затвор.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, задайте для параметра Parameterization значение Lookup table (2-D, temperature independent) или Lookup table (3-D, temperature dependent).

`Vector of source-drain voltages, Vsd` - Вектор напряжений исток-сток
`[0, 2, 4, 8, 12, 16, 20]` `V` (по умолчанию)

Вектор напряжений истока-стока, используемый для поиска в таблице. Значения вектора должны быть строго увеличены.

Зависимости

`Vector of source-bulk voltages, Vsb` - Вектор исходных-объемных напряжений
`[0, -4, -6, -12]` `V` (по умолчанию)

Вектор напряжений источник-масса, используемый для поиска в таблице.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите для параметра Number of terminals значение Four и параметризация для Lookup table (2-D, temperature independent) или Lookup table (3-D, temperature dependent).

`Tabulated source-drain currents, Isd(Vsg,Vsd)` - Независимо от температуры табулированных токов исток-сток
`[0, 0, 0, 0, 0, 0, 0; 0, .003, .0038, .0043, .0046, .0048, .0049; 0, .0055, .008, .009, .0095, .01, .0101; 0, .0115, .016, .018, .019, .0195, .02; 0, .0152, .0225, .0265, .028, .0295, .03]` `A` (по умолчанию)

Табличные значения токов истока-стока как функции напряжения истока-затвора и напряжения истока-стока, которые должны использоваться для поиска 2-D таблице. Каждое значение в матрице определяет ток истока-стока для конкретной комбинации напряжения истока-затвора и напряжения истока-стока. Размер матрицы должен соответствовать размерам, определенным векторами напряжения истока-затвора и напряжения истока-стока.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите для параметра Number of terminals значение Three и параметризация для Lookup table (2-D, temperature independent).

`Vector of temperatures, T` - Вектор температур
`[25 125]` `degC` (по умолчанию)

Вектор температур, используемый для поиска в таблице. Значения вектора должны быть строго увеличены. Значения могут быть неравномерно разнесены.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите параметризацию в значение Lookup table (3-D, temperature dependent).

`Tabulated source-drain currents, Isd(Vsg,Vsd,T)` - Табулированные токи истока-стока, зависящие от температуры
`zeros(5, 7, 2)` `A` (по умолчанию)

Табличные значения токов истока-стока как функции напряжения истока-затвора, напряжения истока-стока и температуры, которые будут использоваться для поиска 2-D таблице. Каждое значение в матрице определяет ток истока-стока для конкретной комбинации напряжения истока-затвора, напряжения истока-стока и температуры. Размер матрицы должен соответствовать размерам, определенным векторами напряжения истока-затвора, напряжения истока-стока и температуры.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите для параметра Number of terminals значение Three и параметризация для Lookup table (3-D, temperature dependent).

`Tabulated gate-source threshold voltage, Vth(Vsb)` - Вектор не зависящего от температуры порогового напряжения затвора-источника
`[.4, 1.2, 1.4, 1.45]` `V` (по умолчанию)

Табличные значения порогового напряжения между затвором и истоком как функции напряжения между истоком и насыпью, которые должны использоваться для поиска 2-D таблице. Векторные значения должны быть строго увеличены.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите для параметра Number of terminals значение Four и параметризация для Lookup table (2-D, temperature independent).

`Tabulated source-drain currents at zero source-bulk voltage, Isd(Vsg,Vsd)` - Табличные токи исток-сток при нулевом напряжении исток-объем, не зависящие от температуры
`[0, 0, 0, 0, 0, 0, 0; 0, .003, .0038, .0043, .0046, .0048, .0049; 0, .0055, .008, .009, .0095, .01, .0101; 0, .0115, .016, .018, .019, .0195, .02; 0, .0152, .0225, .0265, .028, .0295, .03]` `A` (по умолчанию)

Табличные значения токов истока-стока при нулевом напряжении истока-насыпного напряжения как функции напряжения истока-затвора и напряжения истока-стока, которые должны использоваться для поиска 2-D таблице. Каждое значение в матрице определяет ток истока-стока для конкретной комбинации напряжения истока-затвора и напряжения истока-стока. Размер матрицы должен соответствовать размерам, определенным векторами напряжения истока-затвора и напряжения истока-стока.

Зависимости

`Tabulated gate-source threshold voltage, Vth(Vsb,T)` - Вектор порогового напряжения затвора-источника зависит от температуры
`[.4, .35; 1.2, 1.15; 1.4, 1.35; 1.45, 1.4]` `V` (по умолчанию)

Табличные значения для порогового напряжения затвора-источника как функции напряжения и температуры объемного источника, которые должны использоваться для поиска 3-D таблице. Векторные значения должны быть строго увеличены.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите для параметра Number of terminals значение Four и параметризация для Lookup table (3-D, temperature dependent).

`Tabulated source-drain currents at zero source-bulk voltage, Isd(Vsg,Vsd,T)` - Табличные токи исток-сток при нулевом напряжении исток-объем, зависящем от температуры
`zeros(5, 7, 2)` `A` (по умолчанию)

Табличные значения токов истока-стока при нулевом напряжении истока-насыпного напряжения, как функция напряжения истока-затвора, напряжения истока-стока и температуры, которые будут использоваться для поиска 3-D таблице. Каждое значение в матрице определяет ток истока-стока для конкретной комбинации напряжения истока-затвора, напряжения истока-стока и температуры. Размер матрицы должен соответствовать размерам, определенным векторами напряжения истока-затвора, напряжения истока-стока и температуры.

Зависимости

`Isd-Vsd parameterization` - Данные таблицы Isd-Vsd как симметричные данные
`Provide negative and positive Vsd data` (по умолчанию) | `Provide positive Vsd data only`

Следует ли предоставлять данные таблицы Isd-Vsd в качестве симметричных данных. При выборе Provide negative and positive Vsd data, данные не симметричны. При выборе Provide positive Vsd data onlyблок поворачивает и переворачивает положительные данные для получения отрицательных данных.

Зависимости

Главная (вариант на основе поверхностного потенциала)

Эта конфигурация вкладки «Главная» соответствует варианту блока на основе поверхностного потенциала. Если используется вариант блока на основе порога, основанный на уравнениях Шихмана и Ходжеса, см. раздел Главная (Вариант на основе порога).

`Number of terminals` - Параметризация клемм
`Three` (по умолчанию) | `Four`

Количество клемм блока.

`Gain` - Выигрыш
`18` `A/V²` (по умолчанию)

Коэффициент усиления MOSFET, β. Этот параметр в первую очередь определяет линейную область работы для характеристики _ID-VDS.

`Flatband voltage` - Напряжение в плоском диапазоне
`-1.1` `V` (по умолчанию)

Напряжение плоского диапазона _VFB определяет смещение затвора, которое должно быть приложено для достижения состояния плоского диапазона на поверхности кремния. Этот параметр можно также использовать для произвольного сдвига порогового напряжения из-за различий в рабочих функциях материала, а также для захвата интерфейсных или оксидных зарядов. На практике, однако, обычно рекомендуется сначала изменять пороговое напряжение, используя коэффициент тела и поверхностный потенциал при сильных параметрах инверсии, и использовать этот параметр только для точной настройки.

`Body factor` - Коэффициент тела
`3.5` `V^1/2` (по умолчанию)

Коэффициент тела γ в уравнении «поверхность-потенциал». Этот параметр в первую очередь влияет на пороговое напряжение.

`Surface potential at strong inversion` - Поверхностный потенциал при сильной инверсии
`1` `V` (по умолчанию)

Член _2ϕB в уравнении «поверхность-потенциал». Этот параметр также в первую очередь влияет на пороговое напряжение.

`Velocity saturation factor` - Коэффициент насыщения скорости
`0.4` `1/V` (по умолчанию)

Насыщенность по скорости в уравнении «сток-ток». Этот параметр используется в тех случаях, когда хорошее вписывание в линейную операцию приводит к слишком высокому току насыщения. При увеличении этого значения параметра уменьшается ток насыщения. Для высоковольтных устройств часто бывает, что хорошая подгонка к линейной работе приводит к слишком низкому току насыщения. В таком случае либо увеличивают и коэффициент усиления, и омическое сопротивление стока, либо вместо этого используют блок ПТ LDMOS P-канала.

`Channel-length modulation factor` - коэффициент модуляции длины канала;
`0` (по умолчанию)

Множитель, α, умножающий логарифмический член в уравнении _GΔL. Этот параметр описывает начало модуляции длины канала. Для характеристик устройства, которые демонстрируют положительную проводимость при насыщении, увеличьте значение параметра, чтобы соответствовать этому поведению. Значение по умолчанию: 0, что означает, что модуляция длины канала по умолчанию отключена.

`Channel-length modulation voltage` - Напряжение модуляции длины канала
`5e-2` `V` (по умолчанию)

Напряжение _Vp в уравнении _GΔL. Этот параметр управляет напряжением стока, при котором модуляция длины канала начинает активизироваться.

`Surface roughness scattering factor` - Коэффициент рассеяния шероховатости поверхности
`0` `1/V` (по умолчанию)

Указывает степень снижения мобильности. Подвижность мкм = λ/Gmob, где _мк0 - подвижность в низком поле без эффекта поверхностного рассеяния. Коэффициент уменьшения подвижности, _Gmob, задается $_{Gmob} \sqrt{= {1_{+} (_{}}^{}}$ startsrVeff) 20, _где startsr - коэффициент рассеяния шероховатости поверхности, _а Veff - напряжение, которое указывает на эффективную напряженность вертикального электрического поля в _{канале,} Eeff. Для высоких вертикальных электрических полей подвижность примерно пропорциональна Eeff для отверстий.

`Linear-to-saturation transition coefficient` - Линейный коэффициент перехода к насыщению
`8` (по умолчанию)

Этот параметр управляет плавностью перехода MOSFET от линейного к насыщению, особенно при включенной насыщенности скоростью. Этот параметр обычно может быть оставлен на его значение по умолчанию, но его можно использовать для точной настройки колена признака _ID-VDS. Ожидаемый диапазон для этого значения параметра находится в диапазоне от 2 до 8.

`Measurement temperature` - Температура измерения
`25` `degC` (по умолчанию)

_Tm1 температуры, при которой измеряются параметры блока. Если параметр Температура моделирования устройства (Device simulation temperature parameter) на вкладке Температурная зависимость (Temperature Dependence) отличается от этого значения, то параметры устройства будут масштабированы из определенных значений в соответствии с расчетными и эталонными температурами. Дополнительные сведения см. в разделе Температурная зависимость (вариант на основе поверхностного потенциала).

Омическое сопротивление

`Source ohmic resistance` - Омическое сопротивление источника
`1e-4` `Ohm` (по умолчанию) | неотрицательный скаляр

Сопротивление транзисторного источника, то есть последовательное сопротивление, связанное с контактом источника. Значение должно быть больше или равно 0. Значение по умолчанию для вариантов на основе пороговых значений: 1e-4 Ом. Значением по умолчанию для вариантов на основе поверхностного потенциала является 2e-3 Ом.

`Drain ohmic resistance` - Омическое сопротивление стока
`0.01` `Ohm` (по умолчанию) | неотрицательный скаляр

Сопротивление стока транзистора, то есть последовательное сопротивление, связанное с контактом стока. Значение должно быть больше или равно 0. Значение по умолчанию для вариантов на основе пороговых значений: 0.01 Ом. Значением по умолчанию для вариантов на основе поверхностного потенциала является 0.17 Ом.

`Gate ohmic resistance` - Омическое сопротивление затвора
`8.4` `Ohm` (по умолчанию) | неотрицательный скаляр

Сопротивление транзисторного затвора, то есть последовательное сопротивление, связанное с контактом затвора. Значение должно быть больше или равно 0.

Зависимости

Этот параметр отображается только для вариантов блоков на основе поверхностного потенциала.

`Body ohmic resistance` - Сопротивление корпуса транзистора
`0.001` `Ohm` (по умолчанию) | неотрицательный скаляр

Сопротивление корпуса транзистора, то есть последовательное сопротивление, связанное с контактом корпуса.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите:

Количество терминалов для Four.
Вариант блока на основе порогового потенциала.

`Bulk ohmic resistance` - Объемное сопротивление транзистора
`2e-3` `Ohm` (по умолчанию) | неотрицательный скаляр

Сопротивление корпуса транзистора, то есть последовательное сопротивление, связанное с объемным контактом.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите:

Количество терминалов для Four.
Вариант блока на основе поверхностного потенциала.

Емкость

Эта вкладка видна только для варианта блока, основанного на пороговых значениях.

`Parameterization` - Параметризация емкости перехода
`Specify fixed input, reverse transfer and output capacitance` (по умолчанию) | `Specify fixed gate-source, gate-drain and drain-source capacitance` | `Specify tabulated input, reverse transfer and output capacitance` | `Specify tabulated gate-source, gate-drain and drain-source capacitance`

Выберите один из следующих методов параметризации емкости:

Specify fixed input, reverse transfer and output capacitance - Предоставьте фиксированные значения параметров из таблицы данных и разрешите блоку преобразовать входные, выходные и обратные значения емкости переноса в значения емкости перехода, как описано в разделе Модель заряда для варианта на основе порога. Это метод по умолчанию.
Specify fixed gate-source, gate-drain and drain-source capacitance - Укажите фиксированные значения параметров емкости перехода напрямую.
Specify tabulated input, reverse transfer and output capacitance - Предоставить табличные значения емкостей и напряжения истока-стока на основе графиков таблицы данных. Блок преобразует входные, выходные и обратные значения емкости переноса в значения емкости перехода, как описано в разделе Модель заряда для варианта на основе порога.
Specify tabulated gate-source, gate-drain and drain-source capacitance - Предоставить табличные значения для емкостей перехода и напряжения истока-стока.

`Input capacitance, Ciss` - Входная емкость
`182` `pF` (по умолчанию) | `[225 210 200 185 175 170]`

Емкость затвора-истока со стоком, закороченным к истоку.

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе одной из следующих опций параметра в настройках емкости:

Specify fixed input, reverse transfer and output capacitance - Если для параметра выбрана эта настройка, укажите входную емкость как скаляр. Значение по умолчанию: 182 pF.
Specify tabulated input, reverse transfer and output capacitance - если для параметра Параметризация (Parameterization) выбрана эта настройка, укажите входную емкость в виде вектора. Значение по умолчанию: [225 210 200 185 175 170] pF

`Reverse transfer capacitance, Crss` - Емкость обратного переноса
`24` `pF` (по умолчанию) | `[75 60 50 35 25 20]` `pF`

Емкость стока-затвора с источником, соединенным с землей.

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе одной из следующих опций параметра в настройках емкости:

Specify fixed input, reverse transfer and output capacitance - Если для параметра выбрана эта настройка, укажите входную емкость как скаляр. Значение по умолчанию: 24 pF.
Specify tabulated input, reverse transfer and output capacitance - если для параметра Параметризация (Parameterization) выбрана эта настройка, укажите входную емкость в виде вектора. Значение по умолчанию: [75 60 50 35 25 20] pF

`Output capacitance, Coss` - Выходная емкость
`0` `pF` (по умолчанию) | `[180 160 125 80 60 45]` `pF`

Емкость стока-истока с затвором и истоком закорочена.

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе одной из следующих опций параметра в настройках емкости:

Specify fixed input, reverse transfer and output capacitance - Если для параметра выбрана эта настройка, укажите входную емкость как скаляр. Значение по умолчанию: 0 pF.
Specify tabulated input, reverse transfer and output capacitance - если для параметра Параметризация (Parameterization) выбрана эта настройка, укажите входную емкость в виде вектора. Значение по умолчанию: [180 160 125 80 60 45] pF

`Gate-source junction capacitance` - Емкость перехода затвор-источник
`158` `pF` (по умолчанию) | `[150 150 150 150 150 150]` `pF`

Значение емкости, размещенной между затвором и источником.

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе одной из следующих опций параметра в настройках емкости:

Specify fixed gate-source, gate-drain and drain-source capacitance - Если для параметра выбрана эта настройка, укажите входную емкость как скаляр. Значение по умолчанию: 158 pF.
Specify tabulated gate-source, gate-drain and drain-source capacitance - если для параметра Параметризация (Parameterization) выбрана эта настройка, укажите входную емкость в виде вектора. Значение по умолчанию: [150 150 150 150 150 150] pF

`Gate-drain junction capacitance` - Емкость перехода затвор-сток
`24` `pF` (по умолчанию) | `[75 60 50 35 25 20]` `pF`

Величина емкости, размещенной между затвором и стоком.

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе одной из следующих опций параметра в настройках емкости:

Specify fixed gate-source, gate-drain and drain-source capacitance - Если для параметра выбрана эта настройка, укажите входную емкость как скаляр. Значение по умолчанию: 24 pF.
Specify tabulated gate-source, gate-drain and drain-source capacitance - если для параметра Параметризация (Parameterization) выбрана эта настройка, укажите входную емкость в виде вектора. Значение по умолчанию: [75 60 50 35 25 20] pF

`Drain-source junction capacitance` - Емкость перехода сток-исток
`0` `pF` (по умолчанию) | `[105 100 75 45 35 25]` `pF`

Величина емкости, размещенной между стоком и истоком.

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе одной из следующих опций параметра в настройках емкости:

Specify fixed gate-source, gate-drain and drain-source capacitance - Если для параметра выбрана эта настройка, укажите входную емкость как скаляр. Значение по умолчанию: 0 pF.
Specify tabulated gate-source, gate-drain and drain-source capacitance - если для параметра Параметризация (Parameterization) выбрана эта настройка, укажите входную емкость в виде вектора. Значение по умолчанию: [105 100 75 45 35 25] pF

`Corresponding source-drain voltages` - Соответствующие напряжения истока-стока
`[0.1 0.3 1 3 10 30]` `V` (по умолчанию)

Напряжения истока-стока, соответствующие табличным значениям емкости.

Зависимости

Этот параметр отображается, только если для параметра Параметризация (Parameterization) на вкладке Емкость (Capacitance) установлено значение Specify tabulated input, reverse transfer and output capacitance или в Specify tabulated gate-source, gate-drain and output capacitance.

`Gate-source voltage, Vgs, for tabulated capacitances` - Напряжение затвора-источника, Vgs, для табличных емкостей
`0` `V` (по умолчанию)

Для моделей с табличной емкостью этот параметр управляет зависимостью напряжения емкости обратного переноса, Crss или параметра емкости перехода затвора-стока (в зависимости от выбранной опции параметризации). Эти емкости являются функцией напряжения затвора стока. Блок вычисляет напряжения стока-затвора, вычитая это значение напряжения затвора-истока из отрицательных значений, заданных для параметра Соответствующие напряжения истока-стока (Vdg = -Vsd - Vgs).

Зависимости

`Gate-drain charge-voltage linearity` - Линейность заряда-напряжения затвора-стока
`Gate-drain capacitance is constant` (по умолчанию) | `Gate-drain charge function is nonlinear`

Две опции фиксированной емкости позволяют моделировать емкость перехода затвора как фиксированную емкость _CGS затвора-источника и фиксированную или нелинейную емкость _CGD затвора-стока. Выберите, является ли емкость литника-стока фиксированной или нелинейной:

Gate-drain capacitance is constant - значение емкости является постоянным и определяется в соответствии с выбранной опцией параметризации либо непосредственно, либо на основе таблицы данных. Это метод по умолчанию.
Gate-drain charge function is nonlinear - Отношение заряд-сток затвора определяется в соответствии с кусочно-нелинейной функцией, описанной в модели заряда для варианта на основе порога. Появляются два дополнительных параметра, позволяющих определить функцию заряда затвора-стока.

Зависимости

Этот параметр отображается, только если для параметра Параметризация (Parameterization) на вкладке Емкость (Capacitance) установлено значение Specify fixed input, reverse transfer and output capacitance или в Specify fixed gate-source, gate-drain and drain-source capacitance.

`Gate-drain oxide capacitance` - Емкость оксида затвора-стока
`200` `pF` (по умолчанию)

Емкость затвора-стока, когда напряжение затвора-стока меньше, чем напряжение затвора-стока, при котором емкость оксида становится активной величиной параметра.

Зависимости

Этот параметр отображается только в том случае, если для параметра линейности заряда-напряжения литника-стока установлено значение Gate-drain charge function is nonlinear.

`Drain-gate voltage at which oxide capacitance becomes active` - Напряжение стока-затвора, при котором становится активной оксидная емкость
`0.5` `V` (по умолчанию)

Напряжение затвора стока, при котором емкость затвора стока переключается между значениями емкости в выключенном состоянии (_CGD) и во включенном состоянии (_Cox).

Зависимости

`Gate-bulk and gate-source charge-voltage linearity` - Линейность заряда-напряжения затворов-затворов и затворов-источников
`Gate-bulk and gate-source capacitance change instantly` (по умолчанию) | `Gate-bulk and gate-source capacitance change gradually`

Линейность заряда-напряжения затворов-затворов и затворов-истоков.

Зависимости

Этот параметр отображается только в том случае, если для параметра «Количество клемм» на вкладке «Главная» установлено значение Four.

Емкости каналов

Эта вкладка видна только для варианта блока на основе поверхностного потенциала.

`Oxide capacitance` - Емкость оксида
`1500` `pF` (по умолчанию)

Емкость параллельного пластинчатого затвора-канала.

`Gate-source overlap capacitance` - Емкость перекрытия затвора-источника
`100` `pF` (по умолчанию)

Фиксированная линейная емкость, связанная с перекрытием электрода затвора с скважиной источника.

`Gate-drain overlap capacitance` - Емкость перекрытия затвора и стока
`14` `pF` (по умолчанию)

Фиксированная линейная емкость, связанная с перекрытием электрода затвора со сливной скважиной.

Основной диод

`Model body diode` - Опция моделирования боди-диода
`No` (по умолчанию) | `Exponential` | `Tabulated I-V curve`

Следует ли моделировать корпусной диод.

`Reverse saturation current` - Ток обратного насыщения
`0` `A` (по умолчанию) | `5.2e-13` `A`

Ток, обозначенный символом _Is в уравнениях тело-диод.

Чтобы обеспечить проводимость через основной диод, для приложений, в которых знак изменения тока MOSFET во время моделирования, например, когда MOSFET возбуждает индуктивную нагрузку, установите для этого параметра ненулевое значение.

Для приложений, в которых MOSFET-ток никогда не изменяет знак, например, в усилителе с малым сигналом, установите для этого параметра значение 0, чтобы улучшить скорость моделирования.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите для параметра Модельный диод корпуса значение Exponential.

Значение по умолчанию для этого параметра зависит от выбранного варианта для этого блока:

Вариант на основе порога - при выборе этого варианта значением по умолчанию является 0 A.
Исполнение на основе поверхностного потенциала (Surface-Potential-Based Variant) - если выбран этот вариант, значением по умолчанию является 5.2e-13 A.

`Built-in voltage` - Встроенное напряжение
`0.6` `V` (по умолчанию)

Встроенное напряжение диода, обозначаемое символом _Vbi в уравнениях тело-диод. Встроенное напряжение оказывает влияние только на уравнение емкости перехода. Это не влияет на ток проводимости.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите для параметра Модельный диод корпуса значение Exponential.

`Ideality factor` - Коэффициент идеальности
`1` (по умолчанию)

Коэффициент, обозначаемый символом n в уравнениях тело-диод.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите для параметра Модельный диод корпуса значение Exponential.

`Zero-bias junction capacitance` - Емкость перехода с нулевым смещением
`0` `pF` (по умолчанию) | `480` `pF`

Емкость между стоком и насыпным контактом при нулевом смещении, обусловленном только диодом корпуса. Обозначается символом _Cj0 в уравнениях тело-диод.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите для параметра Модельный диод корпуса значение Exponential.

Значение по умолчанию для этого параметра зависит от выбранного варианта для этого блока:

Вариант на основе порога - при выборе этого варианта значением по умолчанию является 0 pF.
Исполнение на основе поверхностного потенциала (Surface-Potential-Based Variant) - если выбран этот вариант, значением по умолчанию является 480 pF.

`Transit time` - Транзитное время
`50e-9` `s` (по умолчанию)

Время, обозначенное в уравнениях «тело-диод» символом,

Когда оба параметра Ток обратного насыщения и Время транзита ненулевые, этот блок включает обратное восстановление внутри модели боди-диода.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите для параметра Модельный диод корпуса значение Exponential.

`Measurement temperature` - Температура измерения
`25` `°C` (по умолчанию)

Температура, при которой измеряются параметры блока.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите для параметра Модельный диод корпуса значение Exponential и на вкладке «Главная» задайте для параметра «Параметризация» значение Lookup table (2-D, temperature independent) или Lookup table (3-D, temperature dependent)

`Diode forward voltages, Vf` - Прямое напряжение диода
`[.5, .7, .9, 1.3, 1.7, 2.1, 2.5]` `V` (по умолчанию)

Табличные значения минимального напряжения, которое должно быть приложено для смещения диода вперед.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, установите для параметра Модельный диод корпуса значение Tabulated I-V curve и на вкладке «Главная» задайте для параметра «Параметризация» значение Lookup table (2-D, temperature independent) или Lookup table (3-D, temperature dependent)

`Diode forward currents, If(Vf)` - Диодные прямые токи не зависят от температуры
`[.07, .12, .19, 1.75, 4.24, 7.32, 11.2]` `A` (по умолчанию)

Табличные значения тока прямого тока в зависимости от напряжений прямого тока.

Зависимости

`Diode junction temperatures, Tj` - Температуры диодного перехода
`[25, 125]` `degC` (по умолчанию)

Вектор температур перехода.

Зависимости

`Diode forward currents, If(Vf, Tj)` - Диодные прямые токи, зависящие от температуры
`[.07, .12, .19, 1.75, 4.24, 7.32, 11.2; .16, .3, .72, 2.14, 4.02, 6.35, 9.12]` `A` (по умолчанию)

Табличные значения прямого тока в зависимости от прямого напряжения и температуры перехода.

Зависимости

Температурная зависимость (вариант на основе порога)

Эта конфигурация вкладки Температурная зависимость соответствует варианту блока на основе порога, который является вариантом по умолчанию. Если используется вариант блока на основе поверхностного потенциала, см. раздел Температурная зависимость (вариант на основе поверхностного потенциала)

`Parameterization` - Параметризация температурной зависимости
`None — Simulate at parameter measurement temperature` (по умолчанию) | `Model temperature dependence`

Выберите один из следующих методов параметризации температурной зависимости:

None — Simulate at parameter measurement temperature - Температурная зависимость не моделируется. Это метод по умолчанию.
Model temperature dependence - Модельные температурно-зависимые эффекты. Укажите значение для расчетной температуры, _Ts, значение для BEX и значение для _Tm1 температуры измерения (с помощью параметра Температура измерения (Measurement temperature) на вкладке Главная (Main)). Также необходимо предоставить значение для α, используя один из двух методов, в зависимости от значения параметра Параметризация (Parameterization) на вкладке Главная (Main). Если параметризовать блок из таблицы данных, необходимо предоставить _RDS (вкл) при второй температуре измерения, и блок вычислит α на основе этого. Если параметризация выполняется путем задания параметров уравнений, необходимо указать значение для α напрямую.

`Drain-source on resistance, R_DS(on), at second measurement temperature` - Сток-исток на сопротивлении, R_DS (вкл), при второй температуре измерения
`0.25` `Ohm` (по умолчанию)

Отношение напряжения стока-истока к току стока для заданных значений тока стока и напряжения затвора-истока при второй температуре измерения. Он должен быть указан для той же рабочей точки (ток стока и напряжение затвора-истока), что и параметр «Сток-исток на сопротивлении», R_DS (вкл) на вкладке «Главная».

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе Specify from a datasheet для параметра «Параметризация» на вкладке «Главная».

`Second measurement temperature` - Температура второго измерения
`125` `degC` (по умолчанию)

Измеряют вторую температуру _Tm2 при которой дренируют источник на сопротивлении, R_DS (вкл), при второй температуре измерения.

Зависимости

`Gate threshold voltage temperature coefficient, dVth/dT` - Температурный коэффициент порогового напряжения затвора, дВ/дТ
`2` `mV/K` (по умолчанию)

Скорость изменения порогового напряжения затвора с температурой.

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе Specify using equation parameters directly для параметра «Параметризация» на вкладке «Главная».

`Mobility temperature exponent, BEX` - Показатель температуры мобильности
`-1.5` (по умолчанию)

Значение температурного коэффициента подвижности. Для большинства МОП-транзисторов можно использовать значение по умолчанию. Дополнительные сведения см. в разделе Допущения и ограничения.

`Body diode reverse saturation current temperature exponent` - Показатель тока обратного насыщения диода корпуса
`3` (по умолчанию)

Предполагается, что ток обратного насыщения для корпусного диода пропорционален квадрату собственной концентрации носителя, _ni = _NC exp (-_EG/2kBT). _NC - зависящая от температуры эффективная плотность состояний, а _EG - зависящая от температуры полоса для полупроводникового материала. Чтобы избежать введения другого параметра температурного масштабирования, блок пренебрегает температурной зависимостью полосы пропускания и использует полосу пропускания кремния при 300K (1.12eV) для всех типов устройств. Поэтому ток обратного насыщения, масштабированный по температуре, задается как

$_{Is} =_{Is,} {\frac{_{m1}}{_{(}}}^{_{TsTm1}}) \frac{_{}}{_{ηIs⋅exp}} (\frac{}{_{}} EGkB\cdot \frac{}{(_{}} 1Tm1$ − 1Ts)).

_Is,m1 - это значение параметра тока обратного насыщения на вкладке Body Diode, _kB - постоянная Больцмана (^{8.617x10-5eV/K}), а, _{в качестве} показателя температуры тока обратного насыщения Body diode. Значение по умолчанию: 3, потому что _NC для кремния примерно пропорционален ^T3/2. Эффект пренебрежения температурной зависимостью бандгапа можно исправить прагматичным выбором, _{получившимся при его} использовании.

`Device simulation temperature` - Температура моделирования устройства
`25` `degC` (по умолчанию)

Температура _Ts, при которой моделируется устройство.

Температурная зависимость (вариант на основе поверхностного потенциала)

Эта конфигурация вкладки Температурная зависимость соответствует варианту блока на основе поверхностного потенциала. Если используется вариант блока на основе порога, см. Температурная зависимость (вариант на основе порога).

`Parameterization` - Параметризация температурной зависимости
`None — Simulate at parameter measurement temperature` (по умолчанию) | `Model temperature dependence`

Выберите один из следующих методов параметризации температурной зависимости:

None — Simulate at parameter measurement temperature - Температурная зависимость не моделируется. Это метод по умолчанию.
Model temperature dependence - Модельные температурно-зависимые эффекты. Укажите значение температуры моделирования устройства, _{Ts и} коэффициенты температурного масштабирования для других параметров блока.

`Gain temperature exponent` - Показатель температуры усиления
`1.3` (по умолчанию)

Предполагается, что усиление MOSFET, β, масштабируется экспоненциально с температурой β = _βm1 (_Tm1/Ts) ^ _βm1 - значение параметра Gain (коэффициент усиления) на вкладке Main (главный коэффициент усиления), а λ β - показатель температуры Gain (коэффициент усиления).

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе Model temperature dependence для параметра «Параметризация».

`Flatband voltage temperature coefficient` - Температурный коэффициент напряжения плоского диапазона
`5e-4` `V/K` (по умолчанию)

Предполагается линейное масштабирование напряжения плоского диапазона _VFB с температурой _VFB = _VFBm1 + (_Ts - _Tm1) _{ST, _VFB}. _VFBm1 - значение параметра Напряжение плоского диапазона (Flatband voltage) на вкладке Главная (Main), а _{ST (ST)_,} VFB (VFB) - температурный коэффициент напряжения плоского диапазона.

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе Model temperature dependence для параметра «Параметризация».

`Surface potential at strong inversion temperature coefficient` - Поверхностный потенциал при сильном температурном коэффициенте инверсии
`-8.5e-4` `V/K` (по умолчанию)

Поверхностный потенциал при сильной инверсии, 2ϕB, предполагается линейно масштабировать с температурой, _2ϕB = _2ϕBm1 + (_Ts - _Tm1) _{ST, (}B). _2ϕBm1 - значение параметра Поверхностный потенциал при сильной инверсии на вкладке Главная (_{Main) и ST -}значение Поверхностный потенциал при сильном температурном коэффициенте инверсии.

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе Model temperature dependence для параметра «Параметризация».

`Velocity saturation temperature exponent` - Показатель температуры насыщения скорости
`1.04` (по умолчанию)

Предполагается, что насыщенность скоростью, _startsat, масштабируется в геометрической прогрессии с температурой, _startsat = _{startsat, m1} (_Tm1/Ts) _^ _startsat, m1 - значение параметра коэффициента насыщения скорости на вкладке «Главная» (Main), в то время, _как «Показатель температуры насыщения скорости» (Velocity saturation temperature).

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе Model temperature dependence для параметра «Параметризация».

`Surface roughness scattering temperature exponent` - Показатель температуры рассеяния шероховатости поверхности
`0.65` (по умолчанию)

Этот параметр приводит к зависящему от температуры снижению транспроводимости МОП-транзистора при высоком напряжении затвора. Предполагается, что рассеяние шероховатости поверхности, _startsr, масштабируется в геометрической прогрессии с учетом температуры, _startsr = _{startsr, m1} (_Tm1/Ts) _^ _{λ sr}, m1 - значение параметра Коэффициент рассеяния шероховатости поверхности на вкладке Главная (_{Main), а} groupsr - Показатель температуры рассеяния шероховатости поверхности.

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе Model temperature dependence для параметра «Параметризация».

`Resistance temperature exponent` - Показатель температуры сопротивления
`0.95` (по умолчанию)

Предполагается, что последовательные сопротивления соответствуют полупроводниковым сопротивлениям. Поэтому они уменьшаются экспоненциально с повышением температуры. _Ri = _Ri,m1 (_Tm1/Ts) ^ λ R, где i - S, D или G, для сопротивления серии истока, стока или затвора соответственно. _Ri,m1 - это значение соответствующего последовательного параметра сопротивления на вкладке Омическое сопротивление (Ohmic Resistance), а в качестве показателя температуры сопротивления (Resistance temperature exponent).

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе Model temperature dependence для параметра «Параметризация».

`Body diode reverse saturation current temperature exponent` - Показатель тока обратного насыщения диода корпуса
`3` (по умолчанию)

$_{Is} =_{Is,} {\frac{_{m1}}{_{(}}}^{_{TsTm1}}) \frac{_{}}{_{ηIs⋅exp}} (\frac{}{_{}} EGkB\cdot \frac{}{(_{}} 1Tm1$ − 1Ts)).

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе Model temperature dependence для параметра «Параметризация».

`Device simulation temperature` - Температура моделирования устройства
`25` `degC` (по умолчанию)

Температура _Ts, при которой моделируется устройство.

Зависимости

Этот параметр отображается только при выборе Model temperature dependence для параметра «Параметризация».

Примеры модели

Моделирование интегральной схемы

Два способа создать модель интегральной схемы, которая может использоваться вместе с другими блоками Simscape™ Electrical™. Первый подход заключается в построении поведенческой модели с использованием PS-блоков библиотеки Simscape Foundation и/или блоков Simulink ®. Вторая заключается в построении модели реализации из базовых блоков Simscape Electrical. Для просмотра масок и подробных данных выберите соответствующий блок и введите ctrl-U.

Interactive Generation of MOSFET Characteristics

Интерактивная генерация характеристик МОП-транзистора

Позволяет пользователю исследовать влияние выбора параметров на характеристики I-V и C-V для модели MOSFET на основе поверхностного потенциала. Чтобы открыть этот пример, в окне команд MATLAB ® введите: ee_mosfet_characteristics.

Ссылки

[1] Шихман, Х. и Д. А. Ходжес. «Моделирование и моделирование полевых транзисторных коммутационных цепей с изолированным затвором». IEEE J. Твердотельные цепи. SC-3, 1968.

[2] Ван Лэнджевелд, R., А. Дж. Шолтен и D. B.M. Клаассен. "Физический фон модели 11 MOS. Уровень 1101 ". Туземный. Лаборатория. Неклассифицированный доклад 2003/00239. Апрель 2003 года.

[3] О, S-Y., Д. Э. Уорд и Р. В. Даттон. «Переходный анализ МОП-транзисторов». IEEE J. Твердотельные цепи. SC-15, стр. 636-643, 1980.

Документация

P-канал MOSFET

Описание

Модель на основе пороговых значений

Модель расходов для варианта на основе порога

Представление 2-й справочной таблицей

Представление 3D справочной таблицей

Модель на основе поверхностного потенциала

Моделирование корпусного диода

Моделирование температурной зависимости

Тепловой порт

Допущения и ограничения

Порты

Сохранение

G - Клемма затвора электрический

D - Клемма дренажа электрический

S - Терминал-источник электрический

B - Клемма корпуса электрический

Зависимости

Параметры

Главная (вариант на основе порогового значения)

Number of terminals - Параметризация клемм Three (по умолчанию) | Four

Parameterization - Параметризация блока Specify from a datasheet (по умолчанию) | Specify using equation parameters directly

Drain-source on resistance, R_DS(on) - Сток-исток на сопротивлении 0.167 Ohm (по умолчанию)

Зависимости

Drain current, Ids, for R_DS(on) - Ток стока, ИД, для R_DS (вкл.) -2.5 A (по умолчанию)

Зависимости

Gate-source voltage, Vgs, for R_DS(on) - Напряжение затвора-источника, Vgs, для R_DS (вкл.) -4.5 V (по умолчанию)

Зависимости

Gain, K - Коэффициент усиления, К 2 A/V2 (по умолчанию)

Зависимости

Gate-source threshold voltage, Vth - Пороговое напряжение затвора-источника -1.4 V (по умолчанию)

Зависимости

Gate-source threshold voltage at zero bulk-source voltage, Vth0 - Пороговое напряжение затвора-источника при нулевом напряжении объемного источника -1.4 V (по умолчанию)

Зависимости

Channel modulation, L - Модуляция канала 0 1/V (по умолчанию)

Gate-source threshold voltage at first non-zero bulk-source voltage, Vth1 - Пороговое напряжение затвора-источника при первом ненулевом напряжении объемного источника -1.6071 V (по умолчанию)

Зависимости

First bulk-source voltage, Vbs1 - Напряжение первого источника питания 1 V (по умолчанию)

Зависимости

Gate-source threshold voltage at second non-zero bulk-source voltage, Vth2 - Пороговое напряжение затвора-источника при втором ненулевом напряжении объемного источника -1.7660 V (по умолчанию)

Зависимости

Second bulk-source voltage, Vbs2 - Второе напряжение источника питания 2 V (по умолчанию)

Зависимости

Body factor - Коэффициент тела 0.5 V^0.50000 (по умолчанию)

Зависимости

Surface potential - Поверхностный потенциал 0.5 V (по умолчанию)

Зависимости

Measurement temperature - Температура измерения 25 degC (по умолчанию)

Vector of source-gate voltages, Vsg - Вектор напряжений источник-затвор [-.5, 2, 3, 4, 5] V (по умолчанию)

Зависимости

Vector of source-drain voltages, Vsd - Вектор напряжений исток-сток [0, 2, 4, 8, 12, 16, 20] V (по умолчанию)

Зависимости

Vector of source-bulk voltages, Vsb - Вектор исходных-объемных напряжений [0, -4, -6, -12] V (по умолчанию)

Зависимости

Зависимости

Vector of temperatures, T - Вектор температур [25 125] degC (по умолчанию)

Зависимости

Tabulated source-drain currents, Isd(Vsg,Vsd,T) - Табулированные токи истока-стока, зависящие от температуры zeros(5, 7, 2) A (по умолчанию)

Зависимости

Tabulated gate-source threshold voltage, Vth(Vsb) - Вектор не зависящего от температуры порогового напряжения затвора-источника [.4, 1.2, 1.4, 1.45] V (по умолчанию)

Зависимости

Зависимости

Tabulated gate-source threshold voltage, Vth(Vsb,T) - Вектор порогового напряжения затвора-источника зависит от температуры [.4, .35; 1.2, 1.15; 1.4, 1.35; 1.45, 1.4] V (по умолчанию)

Зависимости

Tabulated source-drain currents at zero source-bulk voltage, Isd(Vsg,Vsd,T) - Табличные токи исток-сток при нулевом напряжении исток-объем, зависящем от температуры zeros(5, 7, 2) A (по умолчанию)

Зависимости

Isd-Vsd parameterization - Данные таблицы Isd-Vsd как симметричные данные Provide negative and positive Vsd data (по умолчанию) | Provide positive Vsd data only

Зависимости

Главная (вариант на основе поверхностного потенциала)

Number of terminals - Параметризация клемм Three (по умолчанию) | Four

Gain - Выигрыш 18 A/V2 (по умолчанию)

Flatband voltage - Напряжение в плоском диапазоне -1.1 V (по умолчанию)

Body factor - Коэффициент тела 3.5 V1/2 (по умолчанию)

Surface potential at strong inversion - Поверхностный потенциал при сильной инверсии 1 V (по умолчанию)

Velocity saturation factor - Коэффициент насыщения скорости 0.4 1/V (по умолчанию)

Channel-length modulation factor - коэффициент модуляции длины канала; 0 (по умолчанию)

Channel-length modulation voltage - Напряжение модуляции длины канала 5e-2 V (по умолчанию)

Surface roughness scattering factor - Коэффициент рассеяния шероховатости поверхности 0 1/V (по умолчанию)

Linear-to-saturation transition coefficient - Линейный коэффициент перехода к насыщению 8 (по умолчанию)

`G` - Клемма затвора
электрический

`D` - Клемма дренажа
электрический

`S` - Терминал-источник
электрический

`B` - Клемма корпуса
электрический

`Number of terminals` - Параметризация клемм
`Three` (по умолчанию) | `Four`

`Parameterization` - Параметризация блока
`Specify from a datasheet` (по умолчанию) | `Specify using equation parameters directly`

`Drain-source on resistance, R_DS(on)` - Сток-исток на сопротивлении
`0.167` `Ohm` (по умолчанию)

`Drain current, Ids, for R_DS(on)` - Ток стока, ИД, для R_DS (вкл.)
`-2.5` `A` (по умолчанию)

`Gate-source voltage, Vgs, for R_DS(on)` - Напряжение затвора-источника, Vgs, для R_DS (вкл.)
`-4.5` `V` (по умолчанию)

`Gain, K` - Коэффициент усиления, К
`2` `A/V²` (по умолчанию)

`Gate-source threshold voltage, Vth` - Пороговое напряжение затвора-источника
`-1.4` `V` (по умолчанию)

`Gate-source threshold voltage at zero bulk-source voltage, Vth0` - Пороговое напряжение затвора-источника при нулевом напряжении объемного источника
`-1.4` `V` (по умолчанию)

`Channel modulation, L` - Модуляция канала
`0` `1/V` (по умолчанию)

`Gate-source threshold voltage at first non-zero bulk-source voltage, Vth1` - Пороговое напряжение затвора-источника при первом ненулевом напряжении объемного источника
`-1.6071` `V` (по умолчанию)

`First bulk-source voltage, Vbs1` - Напряжение первого источника питания
`1` `V` (по умолчанию)

`Gate-source threshold voltage at second non-zero bulk-source voltage, Vth2` - Пороговое напряжение затвора-источника при втором ненулевом напряжении объемного источника
`-1.7660` `V` (по умолчанию)

`Second bulk-source voltage, Vbs2` - Второе напряжение источника питания
`2` `V` (по умолчанию)

`Body factor` - Коэффициент тела
`0.5` `V^0.50000` (по умолчанию)

`Surface potential` - Поверхностный потенциал
`0.5` `V` (по умолчанию)

`Measurement temperature` - Температура измерения
`25` `degC` (по умолчанию)

`Vector of source-gate voltages, Vsg` - Вектор напряжений источник-затвор
`[-.5, 2, 3, 4, 5]` `V` (по умолчанию)

`Vector of source-drain voltages, Vsd` - Вектор напряжений исток-сток
`[0, 2, 4, 8, 12, 16, 20]` `V` (по умолчанию)

`Vector of source-bulk voltages, Vsb` - Вектор исходных-объемных напряжений
`[0, -4, -6, -12]` `V` (по умолчанию)

`Vector of temperatures, T` - Вектор температур
`[25 125]` `degC` (по умолчанию)

`Tabulated source-drain currents, Isd(Vsg,Vsd,T)` - Табулированные токи истока-стока, зависящие от температуры
`zeros(5, 7, 2)` `A` (по умолчанию)

`Tabulated gate-source threshold voltage, Vth(Vsb)` - Вектор не зависящего от температуры порогового напряжения затвора-источника
`[.4, 1.2, 1.4, 1.45]` `V` (по умолчанию)

`Tabulated gate-source threshold voltage, Vth(Vsb,T)` - Вектор порогового напряжения затвора-источника зависит от температуры
`[.4, .35; 1.2, 1.15; 1.4, 1.35; 1.45, 1.4]` `V` (по умолчанию)

`Tabulated source-drain currents at zero source-bulk voltage, Isd(Vsg,Vsd,T)` - Табличные токи исток-сток при нулевом напряжении исток-объем, зависящем от температуры
`zeros(5, 7, 2)` `A` (по умолчанию)

`Isd-Vsd parameterization` - Данные таблицы Isd-Vsd как симметричные данные
`Provide negative and positive Vsd data` (по умолчанию) | `Provide positive Vsd data only`

`Number of terminals` - Параметризация клемм
`Three` (по умолчанию) | `Four`

`Gain` - Выигрыш
`18` `A/V²` (по умолчанию)

`Flatband voltage` - Напряжение в плоском диапазоне
`-1.1` `V` (по умолчанию)

`Body factor` - Коэффициент тела
`3.5` `V^1/2` (по умолчанию)

`Surface potential at strong inversion` - Поверхностный потенциал при сильной инверсии
`1` `V` (по умолчанию)

`Velocity saturation factor` - Коэффициент насыщения скорости
`0.4` `1/V` (по умолчанию)

`Channel-length modulation factor` - коэффициент модуляции длины канала;
`0` (по умолчанию)

`Channel-length modulation voltage` - Напряжение модуляции длины канала
`5e-2` `V` (по умолчанию)

`Surface roughness scattering factor` - Коэффициент рассеяния шероховатости поверхности
`0` `1/V` (по умолчанию)

`Linear-to-saturation transition coefficient` - Линейный коэффициент перехода к насыщению
`8` (по умолчанию)

`Measurement temperature` - Температура измерения
`25` `degC` (по умолчанию)

`Source ohmic resistance` - Омическое сопротивление источника
`1e-4` `Ohm` (по умолчанию) | неотрицательный скаляр

`Drain ohmic resistance` - Омическое сопротивление стока
`0.01` `Ohm` (по умолчанию) | неотрицательный скаляр

`Gate ohmic resistance` - Омическое сопротивление затвора
`8.4` `Ohm` (по умолчанию) | неотрицательный скаляр

`Body ohmic resistance` - Сопротивление корпуса транзистора
`0.001` `Ohm` (по умолчанию) | неотрицательный скаляр

`Bulk ohmic resistance` - Объемное сопротивление транзистора
`2e-3` `Ohm` (по умолчанию) | неотрицательный скаляр

`Input capacitance, Ciss` - Входная емкость
`182` `pF` (по умолчанию) | `[225 210 200 185 175 170]`

`Reverse transfer capacitance, Crss` - Емкость обратного переноса
`24` `pF` (по умолчанию) | `[75 60 50 35 25 20]` `pF`

`Output capacitance, Coss` - Выходная емкость
`0` `pF` (по умолчанию) | `[180 160 125 80 60 45]` `pF`

`Gate-source junction capacitance` - Емкость перехода затвор-источник
`158` `pF` (по умолчанию) | `[150 150 150 150 150 150]` `pF`

`Gate-drain junction capacitance` - Емкость перехода затвор-сток
`24` `pF` (по умолчанию) | `[75 60 50 35 25 20]` `pF`

`Drain-source junction capacitance` - Емкость перехода сток-исток
`0` `pF` (по умолчанию) | `[105 100 75 45 35 25]` `pF`

`Corresponding source-drain voltages` - Соответствующие напряжения истока-стока
`[0.1 0.3 1 3 10 30]` `V` (по умолчанию)

`Gate-source voltage, Vgs, for tabulated capacitances` - Напряжение затвора-источника, Vgs, для табличных емкостей
`0` `V` (по умолчанию)

`Gate-drain charge-voltage linearity` - Линейность заряда-напряжения затвора-стока
`Gate-drain capacitance is constant` (по умолчанию) | `Gate-drain charge function is nonlinear`

`Gate-drain oxide capacitance` - Емкость оксида затвора-стока
`200` `pF` (по умолчанию)

`Drain-gate voltage at which oxide capacitance becomes active` - Напряжение стока-затвора, при котором становится активной оксидная емкость
`0.5` `V` (по умолчанию)

`Oxide capacitance` - Емкость оксида
`1500` `pF` (по умолчанию)

`Gate-source overlap capacitance` - Емкость перекрытия затвора-источника
`100` `pF` (по умолчанию)

`Gate-drain overlap capacitance` - Емкость перекрытия затвора и стока
`14` `pF` (по умолчанию)

`Model body diode` - Опция моделирования боди-диода
`No` (по умолчанию) | `Exponential` | `Tabulated I-V curve`

`Reverse saturation current` - Ток обратного насыщения
`0` `A` (по умолчанию) | `5.2e-13` `A`

`Built-in voltage` - Встроенное напряжение
`0.6` `V` (по умолчанию)

`Ideality factor` - Коэффициент идеальности
`1` (по умолчанию)

`Zero-bias junction capacitance` - Емкость перехода с нулевым смещением
`0` `pF` (по умолчанию) | `480` `pF`

`Transit time` - Транзитное время
`50e-9` `s` (по умолчанию)

`Measurement temperature` - Температура измерения
`25` `°C` (по умолчанию)

`Diode forward voltages, Vf` - Прямое напряжение диода
`[.5, .7, .9, 1.3, 1.7, 2.1, 2.5]` `V` (по умолчанию)

`Diode forward currents, If(Vf)` - Диодные прямые токи не зависят от температуры
`[.07, .12, .19, 1.75, 4.24, 7.32, 11.2]` `A` (по умолчанию)

`Diode junction temperatures, Tj` - Температуры диодного перехода
`[25, 125]` `degC` (по умолчанию)

`Diode forward currents, If(Vf, Tj)` - Диодные прямые токи, зависящие от температуры
`[.07, .12, .19, 1.75, 4.24, 7.32, 11.2; .16, .3, .72, 2.14, 4.02, 6.35, 9.12]` `A` (по умолчанию)

`Parameterization` - Параметризация температурной зависимости
`None — Simulate at parameter measurement temperature` (по умолчанию) | `Model temperature dependence`

`Drain-source on resistance, R_DS(on), at second measurement temperature` - Сток-исток на сопротивлении, R_DS (вкл), при второй температуре измерения
`0.25` `Ohm` (по умолчанию)

`Second measurement temperature` - Температура второго измерения
`125` `degC` (по умолчанию)