exponenta event banner

Идеальный полупроводниковый коммутатор

Идеальный полупроводниковый коммутатор

  • Библиотека:
  • Simscape/Электрические/Полупроводники и преобразователи

  • Ideal Semiconductor Switch block

Описание

Блок Ideal Semiconductor Switch моделирует идеальное полупроводниковое коммутационное устройство.

На рисунке показана типичная i-v характеристика для идеального полупроводникового переключателя.

Если напряжение между затвором и катодом превышает заданное пороговое напряжение, идеальный полупроводниковый переключатель находится в включенном состоянии. В противном случае устройство находится в выключенном состоянии.

В включенном состоянии путь анод-катод ведет себя как линейный резистор с включенным сопротивлением Ron.

В выключенном состоянии путь анод-катод ведет себя как линейный резистор с низкой проводимостью Гоффа в выключенном состоянии.

Используя параметры интегрального диода, можно включить интегральный катодно-анодный диод. Встроенный диод защищает полупроводниковый прибор, обеспечивая путь проводимости для обратного тока. Индуктивная нагрузка может создавать высокий скачок обратного напряжения, когда полупроводниковый прибор внезапно отключает подачу напряжения на нагрузку.

В таблице показано, как установить параметр Integral protection diode в зависимости от поставленных целей.

ЦельЗначение для выбораПоведение блока
Приоритизируйте скорость моделирования.Protection diode with no dynamicsБлок включает в себя интегральную копию диодного блока. Для параметризации внутреннего диодного блока используйте параметры Protection.
Точно укажите динамику заряда в обратном режиме.Protection diode with charge dynamicsБлок включает в себя интегральную копию динамической модели диодного блока. Для параметризации внутреннего диодного блока используйте параметры Protection.

Порты

На этом рисунке показаны имена портов блоков.

Сохранение

развернуть все

Порт, связанный с терминалом шлюза. Для порта можно установить физический сигнал или электрический порт.

Электрический консервационный порт, связанный с анодным выводом.

Электрический консервационный порт, связанный с катодным выводом.

Параметры

развернуть все

Главный

Анодно-катодное сопротивление при включенном устройстве.

Анодно-катодная проводимость при отключении устройства. Значение должно быть меньше 1/R, где R - значение сопротивления On-state.

Порог напряжения затвора-катода. Устройство включается, когда напряжение между затвором и катодом превышает это значение.

Интегральный диод

Укажите, включает ли блок встроенный защитный диод. Значение по умолчанию: None.

Если вы хотите включить встроенный защитный диод, есть два варианта:

  • Protection diode with no dynamics

  • Protection diode with charge dynamics

Минимальное напряжение, требуемое на + и - блокирующие порты для 1/Ron градиента диодной I-V характеристики, где Ron - значение сопротивления On.

Зависимости

Для включения этого параметра установите интегральный диод защиты в значение Protection diode with no dynamics или Protection diode with charge dynamics.

Скорость изменения напряжения по отношению к току выше прямого напряжения.

Зависимости

Для включения этого параметра установите интегральный диод защиты в значение Protection diode with no dynamics или Protection diode with charge dynamics.

Проводимость диода с обратным смещением.

Зависимости

Этот параметр отображается только в том случае, если для параметра Integral protection diode установлено значение Protection diode with no dynamics или Protection diode with charge dynamics.

Емкость диодного перехода.

Зависимости

Этот параметр отображается только в том случае, если для параметра Integral protection diode установлено значение Protection diode with charge dynamics.

Начальный прямой ток при измерении пикового обратного тока. Это значение должно быть больше нуля.

Зависимости

Этот параметр отображается только в том случае, если для параметра Integral protection diode установлено значение Protection diode with charge dynamics.

Скорость изменения тока при измерении пикового обратного тока. Это значение должно быть меньше нуля.

Зависимости

Этот параметр отображается только в том случае, если для параметра Integral protection diode установлено значение Protection diode with charge dynamics.

Определяет способ указания времени обратного восстановления в блоке. Значение по умолчанию: Specify reverse recovery time directly.

При выборе Specify stretch factor или Specify reverse recovery charge, вы указываете значение, которое блок использует для получения времени обратного восстановления. Дополнительные сведения об этих параметрах см. в разделе Как блок вычисляет TM и Tau.

Зависимости

Этот параметр отображается только в том случае, если для параметра Integral protection diode установлено значение Protection diode with charge dynamics.

Интервал между временем, когда ток первоначально переходит в ноль (когда диод выключается) и временем, когда ток падает до менее 10% пикового обратного тока. Значение параметра Reverse recovery time, trr должно быть больше, чем значение параметра Peak reverse current, iRM деленное на значение параметра Rate of change of current при измерении параметра iRM.

Зависимости

Этот параметр отображается только в том случае, если для параметра Integral protection diode установлено значение Protection diode with charge dynamics и параметр параметризации Reverse recovery time имеет значение Specify reverse recovery time directly.

Значение, используемое блоком для вычисления времени обратного восстановления, trr. Это значение должно быть больше 1. Определение коэффициента растяжения является более простым способом параметризации времени обратного восстановления, чем задание обратного заряда восстановления. Чем больше значение коэффициента растяжения, тем дольше рассеивается обратный восстановительный ток.

Зависимости

Этот параметр отображается только в том случае, если для параметра Integral protection diode установлено значение Protection diode with charge dynamics и параметр параметризации Reverse recovery time имеет значение Specify stretch factor.

Значение, которое блок использует для вычисления времени обратного восстановления, trr. Используйте этот параметр, если в спецификации для диодного устройства указано значение обратного заряда восстановления вместо значения обратного времени восстановления.

Обратный восстановительный заряд - это суммарный заряд, который продолжает рассеиваться при отключении диода. Значение должно быть меньше i2RM2a ,

где:

  • iRM - значение, указанное для пикового обратного тока, iRM.

  • a - значение, заданное для скорости изменения тока при измерении iRM.

Зависимости

Этот параметр отображается только в том случае, если для параметра Integral protection diode установлено значение Protection diode with charge dynamics и параметр параметризации Reverse recovery time имеет значение Specify reverse recovery charge.

Дополнительные сведения об этих параметрах см. в разделе Диод.

Расширенные возможности

Создание кода C/C + +
Создайте код C и C++ с помощью Simulink ® Coder™

.
Представлен в R2013b