Идеальный полупроводниковый коммутатор
Simscape/Электрические/Полупроводники и преобразователи
Блок Ideal Semiconductor Switch моделирует идеальное полупроводниковое коммутационное устройство.
На рисунке показана типичная i-v характеристика для идеального полупроводникового переключателя.

Если напряжение между затвором и катодом превышает заданное пороговое напряжение, идеальный полупроводниковый переключатель находится в включенном состоянии. В противном случае устройство находится в выключенном состоянии.
В включенном состоянии путь анод-катод ведет себя как линейный резистор с включенным сопротивлением Ron.
В выключенном состоянии путь анод-катод ведет себя как линейный резистор с низкой проводимостью Гоффа в выключенном состоянии.
Используя параметры интегрального диода, можно включить интегральный катодно-анодный диод. Встроенный диод защищает полупроводниковый прибор, обеспечивая путь проводимости для обратного тока. Индуктивная нагрузка может создавать высокий скачок обратного напряжения, когда полупроводниковый прибор внезапно отключает подачу напряжения на нагрузку.
В таблице показано, как установить параметр Integral protection diode в зависимости от поставленных целей.
| Цель | Значение для выбора | Поведение блока |
|---|---|---|
| Приоритизируйте скорость моделирования. | Protection diode with no dynamics | Блок включает в себя интегральную копию диодного блока. Для параметризации внутреннего диодного блока используйте параметры Protection. |
| Точно укажите динамику заряда в обратном режиме. | Protection diode with charge dynamics | Блок включает в себя интегральную копию динамической модели диодного блока. Для параметризации внутреннего диодного блока используйте параметры Protection. |
На этом рисунке показаны имена портов блоков.

Диод | GTO | Идеальный полупроводниковый коммутатор | IGBT (идеальный, коммутационный) | MOSFET (идеальный вариант, переключение) | N-канальный MOSFET | P-канал MOSFET | Тиристор (кусочно-линейный)