exponenta event banner

IGBT (идеальный, коммутационный)

Идеальный биполярный транзистор с изолированным затвором для коммутации

  • Библиотека:
  • Simscape/Электрические/Полупроводники и преобразователи

  • IGBT (Ideal, Switching) block

Описание

Блок IGBT (Ideal, Switching) моделирует идеальный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для коммутационных приложений. Коммутационная характеристика IGBT такова, что если напряжение затвора-эмиттера превышает заданное пороговое напряжение Vth, IGBT находится в включенном состоянии. В противном случае устройство находится в выключенном состоянии. На этом рисунке показана типичная i-v характеристика:

Для определения I-V характеристики IGBT установите для параметра On-state и switching loss значение Specify constant values или Tabulate with temperature and current. Tabulate with temperature and current опция доступна только при открытии теплового порта блока.

В включенном состоянии путь коллектор-эмиттер ведет себя как линейный диод с падением напряжения в прямом направлении, Vf и сопротивлением Ron. Однако при отображении теплового порта блока и параметризации устройства с использованием табличных данных I-V значение сопротивления в таблице зависит от температуры и тока.

В выключенном состоянии путь коллектор-эмиттер ведет себя как линейный резистор с низким значением проводимости в выключенном состоянии, Гофф.

Определяющими Simscape™ уравнениями для блока являются:

     if (v>Vf)&&(G>Vth)         
        i == (v - Vf*(1-Ron*Goff))/Ron;      
     else
        i == v*Goff;
     end 

где:

  • v - напряжение коллектора-эмиттера.

  • Vf - напряжение прямого направления.

  • G - напряжение затвора-эмиттера.

  • Vth - пороговое напряжение.

  • i - ток коллектора-эмиттера.

  • Рон - сопротивление во включенном состоянии.

  • Гофф - это проводимость вне состояния.

Опция интегрального защитного диода

Используя параметры интегрального диода, можно включить интегральный эмиттерно-коллекторный диод. Встроенный диод защищает полупроводниковый прибор, обеспечивая путь проводимости для обратного тока. Индуктивная нагрузка может создавать высокий скачок обратного напряжения, когда полупроводниковый прибор внезапно отключает подачу напряжения на нагрузку.

Установите параметр Integral protection diode в зависимости от цели.

ЦельЗначение для выбораПоведение блока
Приоритизируйте скорость моделирования.Protection diode with no dynamicsБлок включает в себя интегральную копию диодного блока. Для параметризации внутреннего диодного блока используйте параметры Protection.
Точно укажите динамику заряда в обратном режиме.Protection diode with charge dynamicsБлок включает в себя интегральную копию динамической модели диодного блока. Для параметризации внутреннего диодного блока используйте параметры Protection.

Варианты моделирования

Блок предоставляет четыре варианта моделирования. Чтобы выбрать нужный вариант, щелкните правой кнопкой мыши блок в модели. В контекстном меню выберите «Simscape» > «Block choices», а затем один из следующих вариантов:

  • Управляющий порт PS - содержит физический сигнальный порт, связанный с терминалом затвора. Этот вариант является вариантом по умолчанию.

  • Электрический управляющий порт - содержит электрический консервационный порт, связанный с клеммой затвора.

  • Управляющий порт PS | Тепловой порт - Содержит тепловой порт и физический сигнальный порт, связанный с клеммой затвора.

  • Электрический управляющий порт | Тепловой порт - Содержит тепловой порт и электрический консервационный порт, связанный с клеммой затвора.

Варианты этого блока без теплового порта не моделируют тепловыделение в устройстве.

Варианты с тепловым портом позволяют моделировать тепло, которое генерируют события переключения и потери проводимости. По умолчанию тепловой порт скрыт. Чтобы включить тепловой порт, выберите вариант теплового блока.

Тепловые потери

На рисунке показано идеализированное представление выходного напряжения Vout и выходного тока Iout полупроводникового устройства. Показанный интервал включает в себя весь n-й цикл переключения, в течение которого блок выключается и затем включается.

Потери при переключении являются одним из основных источников тепловых потерь в полупроводниках. Во время каждого перехода включения-выключения паразиты IGBT хранят и затем рассеивают энергию.

Потери при переключении зависят от напряжения в выключенном состоянии и тока в включенном состоянии. Когда переключающее устройство включено, потери мощности зависят от начального напряжения в выключенном состоянии на устройстве и конечного тока в включенном состоянии, как только устройство полностью находится в включенном состоянии. Аналогично, когда переключающее устройство выключено, потери мощности зависят от начального тока включенного состояния через устройство и конечного напряжения выключенного состояния, как только устройство полностью находится в выключенном состоянии.

В этом блоке потери на переключение прикладываются посредством повышения температуры перехода на величину, равную потерям на переключение, деленной на общую тепловую массу в переходе. Значения параметров потери включения, потери включения (Tj, Ice) и потери включения, потери включения (Tj, Ice) устанавливают размеры потерь переключения, и они либо фиксированы, либо зависят от температуры соединения и тока истока стока. В обоих случаях потери масштабируются напряжением в выключенном состоянии до последнего события включения устройства.

Примечание

Поскольку конечный ток после события переключения не известен во время моделирования, блок записывает ток во включенном состоянии в точке, в которой устройство выключено. Аналогично, блок записывает напряжение в выключенном состоянии в точке, в которой устройство включено. По этой причине simlog не сообщает о потерях переключения в тепловую сеть до одного цикла переключения позже.

Для всех идеальных коммутационных устройств потери при переключении указываются в simlog как lastTurnOffLoss и lastTurnOnLoss и регистрируют в виде импульса с амплитудой, равной потере энергии. При использовании сценария для суммирования общих потерь за определенный период моделирования необходимо суммировать значения импульсов на каждом фронте нарастания импульса. Кроме того, можно использовать ee_getPowerLossSummary и ee_getPowerLossTimeSeries функции извлечения потерь на проводимость и переключение из зарегистрированных данных.

Переменные

Параметры «Переменные» позволяют задать приоритет и начальные целевые значения для переменных блока перед моделированием. Дополнительные сведения см. в разделе Установка приоритета и начальной цели для переменных блока.

Чтобы включить параметры переменных для этого блока, установите вариант PS Control Port | Thermal Port или Electrical Control Port | Thermal Port.

Порты

На рисунке показаны имена портов блоков.

Сохранение

развернуть все

Порт, связанный с терминалом шлюза. Можно установить для порта физический сигнал или электрический порт.

Электрический консервационный порт, связанный с клеммой коллектора

Электрический консервационный порт, связанный с клеммой эмиттера

Термосберегающий порт. Тепловой порт является необязательным и по умолчанию скрыт. Чтобы включить этот порт, выберите вариант, включающий тепловой порт.

Параметры

развернуть все

Главный

В этой таблице показано, как видимость основных параметров зависит от того, как настраиваются параметры «Выбор блока» и «Состояние» и «Потери при переключении». Сведения о прочтении этой таблицы см. в разделе Зависимости параметров.

Зависимости основных параметров

Параметры и опции
Выбор блока
PS control port или Electrical control portPS control port | Thermal port или Electrical control port | Thermal port
Напряжение прямого направления, VfПороговое напряжение, Vth
Сопротивление в состоянии on-stateПоведение в состоянии и потери при переключении
Specify constant valuesTabulate with temperature and current
Проводимость вне состоянияНапряжение прямого направления, VfНапряжение в рабочем состоянии, Vds (Tj, Ice)
Пороговое напряжение, VthСопротивление в состоянии on-stateПроводимость вне состояния
Проводимость вне состоянияПотеря включения, Eon (Tj, Ice)
Потеря включенияПотеря отключения, Eoff (Tj, Ice)
Потеря отключенияТемпературный вектор, Tj
Напряжение в выключенном состоянии для коммутации данных о потеряхВектор тока коллектор-эмиттер, лед
Ток во включенном состоянии для коммутации данных о потеряхНапряжение в выключенном состоянии для коммутации данных о потерях

Выберите метод параметризации. Выбранная опция определяет, какие другие параметры включены. Возможны следующие варианты:

  • Specify constant values - используйте скалярные значения для указания выходного тока, потери при включении и потери при выключении. Это метод параметризации по умолчанию.

  • Tabulate with temperature and current - Векторы используются для указания выходного тока, потерь при включении, потерь при выключении и данных о температуре.

Зависимости

См. таблицу Зависимости основных параметров.

Минимальное напряжение, необходимое на портах коллектора и блока эмиттера для 1/Ron градиента диодной I-V характеристики, где Ron - значение сопротивления On-state.

Зависимости

См. таблицу Зависимости основных параметров.

Сопротивление коллектора-эмиттера при включенном устройстве.

Зависимости

См. таблицу Зависимости основных параметров.

Проводимость коллектор-эмиттер при отключении прибора. Значение должно быть меньше 1/R, где R - значение сопротивления On-state.

Зависимости

См. таблицу Зависимости основных параметров.

Напряжение затвора-эмиттера, при котором включается устройство.

Зависимости

См. таблицу Зависимости основных параметров.

Энергия рассеивается во время одного события включения. Этот параметр определяется как функция температуры и конечного выходного тока в включенном состоянии. Укажите этот параметр с помощью скалярной величины.

Зависимости

См. таблицу Зависимости основных параметров.

Энергия рассеивается во время одного события отключения. Этот параметр определяется как функция температуры и конечного выходного тока в включенном состоянии. Укажите этот параметр с помощью скалярной величины.

Зависимости

См. таблицу Зависимости основных параметров.

Выходное напряжение устройства в выключенном состоянии. Это напряжение блокировки, при котором определяются потери при включении и потери при выключении.

Зависимости

См. таблицу Зависимости основных параметров.

Выходные токи, для которых определены потери при включении, потери при выключении и напряжение при включенном состоянии. Первый элемент должен быть равен нулю. Укажите этот параметр с помощью скалярной величины.

Зависимости

См. таблицу Зависимости основных параметров.

Падение напряжения на устройстве во время его срабатывания. Этот параметр определяется как функция температуры и конечного выходного тока в включенном состоянии. Укажите этот параметр с помощью векторной величины.

Зависимости

См. таблицу Зависимости основных параметров.

Энергия рассеивается во время одного включения. Этот параметр определяется как функция температуры и конечного выходного тока в включенном состоянии. Укажите этот параметр с помощью векторной величины.

Зависимости

См. таблицу Зависимости основных параметров.

Энергия рассеивается во время одного события отключения. Этот параметр определяется как функция температуры и конечного выходного тока в включенном состоянии. Укажите этот параметр с помощью векторной величины.

Зависимости

См. таблицу Зависимости основных параметров.

Значения температуры, при которых задаются потери при включении, потери при выключении и напряжение при включенном состоянии. Укажите этот параметр с помощью векторной величины.

Зависимости

См. таблицу Зависимости основных параметров.

Коллекторно-эмиттерные токи, для которых определены потери при включении, потери при выключении и напряжение при включенном состоянии. Первый элемент должен быть равен нулю. Укажите этот параметр с помощью векторной величины.

Зависимости

См. таблицу Зависимости основных параметров.

Интегральный диод

Блочный интегральный защитный диод.

Можно выбрать следующие диоды:

  • None

  • Protection diode with no dynamics

  • Protection diode with charge dynamics

Выберите одну из следующих моделей диодов:

  • Piecewise Linear - использовать кусочно-линейную модель для диода, как описано в разделе Кусочно-линейный диод. Это метод по умолчанию.

  • Tabulated I-V curve - Использовать табличные данные I-V прямого смещения плюс фиксированное обратное смещение с обратной проводимостью.

Зависимости

Этот параметр отображается только в том случае, если тепловой порт открыт и для параметра Integral protection diode установлено значение Protection diode with no dynamics или Protection diode with charge dynamics.

Минимальное напряжение, требуемое на + и - блокирующие порты для 1/Ron градиента диодной I-V характеристики, где Ron - значение сопротивления On.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, выполните следующие действия.

  • Если тепловой порт скрыт, установите интегральный защитный диод в значение Protection diode with no dynamics или Protection diode with charge dynamics.

  • Если тепловой порт открыт, установите интегральный защитный диод в Protection diode with no dynamics или Protection diode with charge dynamics и модель диода в Piecewise linear.

Скорость изменения напряжения по отношению к току выше прямого напряжения.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, выполните следующие действия.

  • Если тепловой порт скрыт, установите интегральный защитный диод в значение Protection diode with no dynamics или Protection diode with charge dynamics.

  • Если тепловой порт открыт, установите интегральный защитный диод в Protection diode with no dynamics или Protection diode with charge dynamics и модель диода в Piecewise linear.

Прямые токи. Этот параметр должен быть вектором не менее трех неотрицательных элементов.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, откройте тепловой порт и установите для модели диода значение Tabulated I-V curve.

Вектор температур перехода. Этот параметр должен быть вектором по крайней мере из двух элементов.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, откройте тепловой порт и установите для модели диода значение Tabulated I-V curve.

Вектор прямых напряжений. Этот параметр должен быть вектором не менее трех неотрицательных значений.

Зависимости

Чтобы включить этот параметр, откройте тепловой порт и установите для модели диода значение Tabulated I-V curve.

Проводимость диода с обратным смещением.

Зависимости

Этот параметр отображается только в том случае, если для параметра Integral protection diode установлено значение Protection diode with no dynamics или Protection diode with charge dynamics.

Емкость диодного перехода.

Зависимости

Этот параметр отображается только в том случае, если для параметра Integral protection diode установлено значение Protection diode with charge dynamics.

Пиковый обратный ток, измеренный внешней тестовой схемой. Это значение должно быть меньше нуля. Значение по умолчанию: -235 A.

Зависимости

Этот параметр отображается только в том случае, если для параметра Integral protection diode установлено значение Protection diode with charge dynamics.

Начальный прямой ток при измерении пикового обратного тока. Это значение должно быть больше нуля.

Зависимости

Этот параметр отображается только в том случае, если для параметра Integral protection diode установлено значение Protection diode with charge dynamics.

Скорость изменения тока при измерении пикового обратного тока. Это значение должно быть меньше нуля.

Зависимости

Этот параметр отображается только в том случае, если для параметра Integral protection diode установлено значение Protection diode with charge dynamics.

Определяет способ указания времени обратного восстановления в блоке. Значение по умолчанию: Specify reverse recovery time directly.

При выборе Specify stretch factor или Specify reverse recovery charge, вы указываете значение, которое блок использует для получения времени обратного восстановления. Дополнительные сведения об этих параметрах см. в разделе Как блок вычисляет TM и Tau.

Зависимости

Этот параметр отображается только в том случае, если для параметра Integral protection diode установлено значение Protection diode with charge dynamics.

Интервал между временем, когда ток первоначально переходит в ноль (когда диод выключается) и временем, когда ток падает до менее 10% пикового обратного тока. Значение параметра Reverse recovery time, trr должно быть больше, чем значение параметра Peak reverse current, iRM деленное на значение параметра Rate of change of current при измерении параметра iRM.

Зависимости

Этот параметр отображается только в том случае, если для параметра Integral protection diode установлено значение Protection diode with charge dynamics и параметр параметризации Reverse recovery time имеет значение Specify reverse recovery time directly.

Значение, используемое блоком для вычисления времени обратного восстановления, trr. Это значение должно быть больше 1. Определение коэффициента растяжения является более простым способом параметризации времени обратного восстановления, чем задание обратного заряда восстановления. Чем больше значение коэффициента растяжения, тем дольше рассеивается обратный восстановительный ток.

Зависимости

Этот параметр отображается только в том случае, если для параметра Integral protection diode установлено значение Protection diode with charge dynamics и параметр параметризации Reverse recovery time имеет значение Specify stretch factor.

Значение, которое блок использует для вычисления времени обратного восстановления, trr. Используйте этот параметр, если в спецификации для диодного устройства указано значение обратного заряда восстановления вместо значения обратного времени восстановления.

Обратный восстановительный заряд - это суммарный заряд, который продолжает рассеиваться при отключении диода. Значение должно быть меньше i2RM2a ,

где:

  • iRM - значение, указанное для пикового обратного тока, iRM.

  • a - значение, заданное для скорости изменения тока при измерении iRM.

Зависимости

Этот параметр отображается только в том случае, если для параметра Integral protection diode установлено значение Protection diode with charge dynamics и параметр параметризации Reverse recovery time имеет значение Specify reverse recovery charge.

Тепловой порт

Используйте тепловой порт для моделирования влияния генерируемого тепла и температуры устройства. Дополнительные сведения об использовании тепловых портов и о параметрах тепловых портов см. в разделе Моделирование тепловых эффектов в полупроводниках.

Вопросы совместимости

развернуть все

В R2020b изменилось поведение

В R2021a изменилось поведение

Расширенные возможности

Создание кода C/C + +
Создайте код C и C++ с помощью Simulink ® Coder™

.
Представлен в R2013b