Функция быстрого графика позволяет визуализировать основные характеристики I-V для полупроводниковых коммутационных устройств на основе текущих значений параметров блока.
Эта функция реализована для нетермических вариантов следующих блоков в библиотеке Semiconductors:
MOSFET N-канала (варианты на основе пороговых значений и на основе поверхностного потенциала)
P-Channel MOSFET (варианты на основе пороговых значений и на основе поверхностного потенциала)
Для печати характеристик щелкните правой кнопкой мыши соответствующий полупроводниковый блок в модели и в контекстном меню выберите «Electrical» > «Basic characteristics».
Примечание
Для блоков MOSFET и P-Channel MOSFET на основе поверхностного потенциала также доступна опция Electrical > Explore characteristics. Эта опция открывает инструмент Просмотр характеристик (Characteristics Viewer), который позволяет выполнить углубленное исследование характеристик блока и сопоставить поведение блока с набором целевых характеристик. Дополнительные сведения см. в разделе Средство просмотра характеристик MOSFET.
Для построения графика основных характеристик:
Щелкните правой кнопкой мыши полупроводниковый блок в модели и в контекстном меню выберите «Electrical» > «Basic characteristics». Программное обеспечение автоматически вычисляет набор условий смещения на основе значений параметров блока и открывает окно рисунка, содержащее график I-V характеристик постоянного тока для блока.
Например, следующий график соответствует значениям параметров по умолчанию основанного на пороговых значениях N-канального блока MOSFET.
При изменении значений параметров блока и повторном выводе на печать признаков график открывается в новом окне. Таким образом, можно сравнить графики бок о бок и увидеть, как значения параметров влияют на результирующие I-V-характеристики постоянного тока для блока.
Например, при изменении значения параметра Gate-source, Vgs, для параметра R_DS (on) на20 V, новый сюжет выглядит так.
