Позволяет пользователю исследовать влияние выбора параметров на характеристики I-V и C-V для модели MOSFET на основе поверхностного потенциала. Чтобы открыть этот пример, в окне команд MATLAB ® введите: ee_mosfet_characteristics.

Позволяет пользователю исследовать влияние выбора параметров на характеристики I-V и C-V для модели полевого транзистора LDMOS на основе поверхностного потенциала. Чтобы открыть этот пример, в окне команд MATLAB ® введите: ee_p_ldmos_characteristics.

Позволяет пользователю исследовать влияние выбора параметров на характеристики I-V и C-V для термической модели MOSFET на основе поверхностного потенциала. Чтобы открыть этот пример, в окне команд MATLAB ® введите: ee_thermal_mosfet_characteristics.

Формирование I-V и C-V характеристик для транзистора NMOS. Определите условия смещения для сдвигов напряжения затворов-истоков и стоков-истоков, а также типы графиков, которые будут генерироваться двойным щелчком на блоке «Определение параметров сдвига». Затем щелкните гиперссылку «Генерировать графики» в модели. Выходная емкость, C_oss, показана только для свипов напряжения стока-истока. Следует отметить, что для генерации характеристик C-V может потребоваться несколько минут.

Формирование кривой Ic в зависимости от Vce для биполярного транзистора с изолированным затвором. Определите вектор напряжений эмитента ворот, и минимальные и максимальные напряжения коллекционера-эмитента, дважды щелкая по блоку, маркированному ', Определяют Условия (Vge и Vce)'. Щелкните гиперссылку «график кривых» в модели, чтобы выполнить моделирование графика результатов моделирования.

Формирование кривой Ic в зависимости от Vce для IGBT при двух различных температурах. Чтобы создать график, щелкните гиперссылку в модели с меткой «График кривых IGBT».

Как динамические характеристики БТИЗ зависят от его параметров. Предпосылкой для согласования динамических характеристик со значениями таблицы данных или измеренными данными является установка параметров, определяющих статическую кривую I-V. Для получения дополнительной информации см. пример «Характеристики IGBT», ee_igbt. При правильной установке статических параметров динамические параметры могут быть установлены следующим образом:

Тестовый жгут можно использовать для проверки «упрощенных характеристик I-V и синхронизации на основе событий» варианта IGBT Simscape™ Electrical™ N-канала. Этот вариант требует только данных I-V, соответствующих напряжению затвора во включенном состоянии, и моделирует время нарастания и время падения выключения, делая напряжение коллектора-эмиттера линейной функцией времени моделирования. Преимущества этого подхода заключаются в более быстром моделировании и упрощении параметризации.

Используйте Simscape™ Electrical™ подробные модели коммутационных устройств для создания табличных данных потерь коммутации. Эти табличные данные могут затем использоваться с кусочно-линейными моделями компонентов коммутационного устройства для прогнозирования общих потерь в системных моделях, сконфигурированных для быстрого и/или фиксированного моделирования.

Формирование характеристических кривых для N-канального МОП-транзистора. Определите вектор напряжений ворот, и минимальные и максимальные напряжения источника утечки, дважды щелкая по блоку, маркированному ', Определяют Условия (Vg и Vds)'. Затем щелкните гиперссылку «Результаты графика» в модели.

Сравнение поведения нелинейных индукторов для различных параметризаций. Начиная со значений фундаментальных параметров, получаются параметры для линейных и нелинейных представлений. Эти параметры затем используются в Simscape™ модели, и результаты моделирования сравниваются.

Как изменение коэффициентов уравнений уравнений гистерезиса Джилеса-Атертона влияет на результирующую кривую B-H. Параметры моделирования сконфигурированы для выполнения четырех полных циклов переменного тока с начальной напряженностью поля (H) и плотностью магнитного потока (B), которые установлены на ноль.

Расчет и подтверждение характеристики намагниченности нелинейного сердечника трансформатора. Начиная со значений фундаментальных параметров, извлекается основная характеристика. Это затем используется в Simscape™ модели примерной испытательной схемы, которая может быть использована для построения графика характеристики намагниченности сердечника на осциллографе. Затем выходные данные модели сравниваются с известными значениями.

Формирование кривой Ic в зависимости от Vce для биполярного транзистора NPN. Определите вектор базовых токов и минимальное и максимальное коллекторно-эмиттерные напряжения двойным щелчком на блоке «Define Conditions (Ib и Vce)». Выполните тесты и создайте графики кривых, щелкнув модель на гиперссылке «график кривых».

Формирование кривой Ic в зависимости от Vce для биполярного транзистора PNP. Определите вектор базовых токов и минимальное и максимальное коллекторно-эмиттерные напряжения двойным щелчком на блоке «Define Conditions (Ib и Vce)». Выполните тесты и создайте графики кривых, щелкнув модель на гиперссылке «график кривых».

Формирование кривой зависимости тока от напряжения для барьерного диода Шоттки. Определите вектор температур, для которого необходимо построить график характеристик, двойным щелчком мыши щелкните по блоку «Определение температур для тестов». Выполните тесты и постройте график I-V кривых, щелкнув модель на гиперссылке «plot curves».

Проверка статического поведения тиристорного блока по значениям его маски. Значения маски тесно связаны со значениями таблицы данных, и тиристорный блок использует эти значения для вычисления коэффициентов уравнений, используемых для ее моделирования.

Проверка динамического поведения тиристорного блока по значениям его маски. Значения маски тесно связаны со значениями таблицы данных, и блок тиристора использует эти значения для вычисления коэффициентов уравнений, используемых для ее моделирования. Дважды щелкните по каждой из тестовых подсистем для получения дополнительной информации о тестах.

Преобразуйте подсхему «металл-оксид-полупроводник-полевой транзистор» (MOSFET) в эквивалентный компонент Simscape™ и сравните графики Spice и Simscape для некоторых стандартных характеристик MOSFET, а именно: Id в сравнении с Vgs, Id в сравнении с Vds, Qiss/Gate, Qoss/Output charge charge и bage voltage. subcircuit2ssc функция преобразует все компоненты подсистемы в файле списка соединений SPICE в один или несколько эквивалентных файлов Simscape.

Используйте результаты моделирования SPICE полевого транзистора металл-оксид-полупроводник (MOSFET) для установки значений параметров N-канального MOSFET (на основе таблицы поиска) в Simscape™. Затем сравниваются характеристики N-Channel MOSFET в Simscape с результатами моделирования списка соединений SPICE.

Эффективность импорта наносит на карту данные из Моторного CAD, чтобы параметризовать Двигатель Simscape™ Electrical™ & Двигатель (Системный Уровень) блок. Это обеспечивает быструю возможность моделирования на уровне системы электропривода при одновременном составлении точных прогнозов потерь.

Найдите конструктивные параметры, которые оптимизируют составную кривую крутящего момента и частоты вращения двигателя в соответствии с требуемой кривой.